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MOTS AILES, UNITES PHRASEOLOGIQUES
Annuaire / Mots ailés, unités phraséologiques / Le peuple élu

Mots ailés, phraséologisme. Signification, histoire d'origine, exemples d'utilisation

Mots ailés, unités phraséologiques

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peuple élu

Bible
Bible

Phraséologisme : Le peuple élu.

Signification: À propos de ceux qui se considèrent élus, marqués par un certain pouvoir "d'en haut", et donc censés être autorisés plus que les autres.

Origine: La source originale est la Bible. Trouvé à plusieurs reprises dans l'Ancien Testament. Par exemple, Moïse, transmettant aux Juifs « les décrets et les lois » que Dieu lui a commandés, dit à ses compagnons de tribu (Deutéronome, 14 :1-2) : « Vous êtes les fils de l'Éternel, votre Dieu, ne coupe ton corps et coupe les cheveux au-dessus de tes yeux pour les morts, car tu es un peuple saint pour l'Éternel, ton Dieu, et l'Éternel t'a choisi pour être son peuple, parmi toutes les nations qui sont sur la terre. "

Phraseologie aléatoire :

Var, Var, rends-moi mes légions !

Signification:

Regret pour la grosse perte.

Origine:

L'historien romain Suétone (vers 70-160 après JC) dans son ouvrage "La vie des douze Césars" ("Août", 23) raconte que l'empereur Auguste, ayant reçu la nouvelle de la défaite de son commandant Varus dans la forêt de Teutoburg , lorsque les légions d'élite romaines furent complètement exterminées par les Allemands (9 après JC), s'exclama désespérément: "Quintilius Varus, rends les légions!" Cette exclamation de désespoir devint ailée sous la forme de "Var, Var, rends-moi (donne) mes légions !"

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Puces SRAM Renesas RMLV0816B et RMLV0808B à haute dureté de rayonnement 21.12.2014

Renesas Electronics a annoncé la sortie de cinq nouvelles puces de mémoire vive statique à faible consommation (Advanced LP SRAM) dans les séries RMLV0816B et RMLV0808B. Ils ont une densité de 8 Mbit et sont fabriqués selon les normes de 110 nm.

Pourquoi utiliser un procédé technique aussi « brut », alors que les microcircuits pour l'électronique mobile grand public sont depuis longtemps produits selon des normes beaucoup plus fines ?

Le fait est qu'en augmentant les éléments, il est possible d'augmenter la résistance aux radiations. Selon le fabricant, les défaillances simples (Soft Error ou Single-Event Upset, SEU) et le verrouillage du transistor (Latch-up) sont exclus de la nouvelle mémoire.

La cause des défaillances uniques est l'impulsion de courant qui se produit lorsqu'un ion pénètre dans la cellule. Il met la cellule dans l'état opposé, mais le circuit reste dans un état sain. Étant donné que la taille du transistor dans les nouvelles puces est relativement grande, la commutation nécessite une charge si importante que la probabilité d'une panne tend à être nulle. De plus, un condensateur spécial est introduit dans le circuit de la cellule. Contrairement à la correction d'erreurs ECC, cette approche empêche plusieurs erreurs de se produire en même temps. L'utilisation de cette technique et d'autres, selon Renesas, a permis d'obtenir le même degré de résistance aux rayonnements que dans le cas des microcircuits fabriqués selon les normes de 150 nm.

Quant à l'accrochage des transistors, il est provoqué par une impulsion de courant induite par les ions, qui conduit à l'ouverture d'un circuit de type thyristor formé par des structures parasites de paires de transistors de types différents. En raison du verrouillage, le courant à travers les transistors augmente même après l'arrêt de l'exposition aux ions, ce qui peut entraîner une surchauffe et une défaillance du microcircuit. Dans la nouvelle mémoire, seuls les transistors à canal n sont formés sur un substrat monocristallin et les transistors à canal p sont formés sous forme de transistors à couche mince utilisant du silicium polycristallin, ce qui élimine la formation d'un thyristor à partir de structures parasites et élimine fondamentalement le risque de claquement de transistor. Au passage, cela a permis de réduire la surface des cellules et la taille du cristal, rapprochant ces indicateurs de ceux des mémoires produites selon les normes 65 nm.

La consommation de courant en mode veille est inférieure à 2 µA à 25 °C, ce qui rend les puces adaptées au stockage de données dans des dispositifs alimentés par batterie.

Renesas prévoit de libérer une telle mémoire avec une densité de 16 Mbps.

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