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ENCYCLOPÉDIE DE LA RADIOÉLECTRONIQUE ET DU GÉNIE ÉLECTRIQUE
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Amplificateur de puissance AF (80 watts). Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / Amplificateurs de puissance à transistors

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L'amplificateur AF a de très faibles coefficients de distorsion harmonique et d'intermodulation, il est relativement simple, capable de supporter un court-circuit à court terme dans la charge et ne nécessite pas d'éléments externes pour la stabilisation du courant thermique des transistors de l'étage de sortie.

Principales caractéristiques techniques

Puissance maximale à une charge avec une résistance de 4m, W. . . 0
Plage de fréquence nominale, Hz. . . 20...20 000
Distorsion harmonique au maximum
puissance de sortie 80 W, %, à fréquence :
1kHz. . . 0,002
20kHz. . . 0,004
Facteur de distorsion d'intermodulation, % . . . 0,0015
La fréquence maximale à laquelle le maximum
la puissance est réduite de 1 dB, kHz. . . cinquante
Taux de balayage de sortie
tension (sans condensateur C2), V / μs. . . 40

Amplificateur de puissance AF (80 watts)
Fig. 1

Le schéma de circuit de l'amplificateur est illustré à la fig. 1. Des modifications ont été apportées à l'étage de sortie. Pour augmenter sa résistance d'entrée, les transistors VT1, VT2 sont introduits dans l'amplificateur AF. Cela a facilité le fonctionnement de l'ampli-op DA1 et a permis d'assurer une tension base-émetteur stable des transistors VT3, VT4 lorsque la température change. De plus, l'amplificateur est complété par une cascade sur les transistors VT5, VT6, qui, avec les capteurs de courant R33, R34 et les étages de sortie sur les transistors VT7-VT10, forment deux générateurs de courant en mode veille, ce qui élimine la coupure du courant d'émetteur des transistors de l'étage final et réduit la distorsion de commutation. Ce dernier, comme on le sait, affecte favorablement le spectre des harmoniques.

En plus de ces changements, un OOS local plus profond a été introduit dans chaque bras de l'étage de sortie en augmentant la résistance des résistances dans les circuits d'émetteur des transistors VT3, VT4, ce qui a rendu l'étage de sortie plus linéaire. Les résistances R20, R21 étant reliées aux capteurs de courant R33, R34, on obtient une stabilisation thermique assez rigide du courant de repos des transistors de l'étage final. . La présence de capteurs de courant R20, R90, de rétroaction CC profonde et de résistances de limitation de courant dans les circuits de base des transistors VT150, VT180 conduit à la limitation de leurs courants de collecteur à une valeur acceptable lors de courts-circuits dans la charge. La résistance R33 définit la symétrie des épaules de l'étage de sortie.

Aucune autre modification n'a été apportée à l'amplificateur. Les distorsions non linéaires ont été mesurées avec un oscilloscope S1-68 utilisant un générateur de signal ZCH GZ-118 (Kg - environ 0,002%) et un double pont en T de précision inclus dans le kit générateur. Les mesures ont été effectuées selon la méthode décrite dans l'article de Yu. Mitrofanov "Economic mode A in a power amplifier" (voir "Radio", 1986, n° 5, pp. 40-43). Le coefficient de distorsion d'intermodulation a été mesuré selon les recommandations données dans l'article de V. Kostin "Critères de qualité du son psychoacoustique et choix des paramètres UMZCH" (voir "Radio", 1987, n° 12, p. 40-43). Lors du test de l'amplificateur avec un signal pulsé, aucune pointe n'a été observée à la tension de sortie.

Auteur : G. Bragin ; Publication : cxem.net

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