Microtransmetteur avec stabilisation de courant. Schéma, description

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Microtransmetteur avec stabilisation de courant. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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Le circuit est facile à configurer et à fabriquer, vous permet de modifier la fréquence de l'oscillateur maître sur une large plage. L'appareil reste opérationnel lorsque la tension d'alimentation est supérieure à 1V.

Le générateur haute fréquence est assemblé selon le circuit multivibrateur avec une charge inductive. Le changement de fréquence des oscillations haute fréquence se produit lorsque le courant traversant les transistors VT1, VT2 du type KT368 change. Lorsque le courant change, les paramètres de conductivité des transistors et leurs capacités de diffusion changent, ce qui permet de faire varier la fréquence d'un tel générateur sur une large plage sans changer les éléments de réglage de fréquence-bobines L1 et L2.

Pour augmenter la stabilité de fréquence et la possibilité de commander le générateur afin d'obtenir une modulation de fréquence, ce dernier est alimenté par un stabilisateur de courant. Le stabilisateur et l'amplificateur modulant sont réalisés sur un microphone à électret M1 de type MKE-3, M1-B2 "Pine" et similaire.

Lors de l'utilisation de pièces standard, la dérive de la fréquence porteuse lorsque la tension d'alimentation passe de 1,5 à 12 V ne dépasse pas 150 kHz (à une fréquence moyenne du générateur de 100 MHz).

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Mémoire résistante à la chaleur pour les missions interplanétaires 28.07.2019

Les études des deux planètes les plus proches du Soleil, Mercure et Vénus, ont toujours été compliquées par le fait que les conditions à leur surface sont extrêmement défavorables. Par exemple, Mercure peut chauffer jusqu'à 430 ° C, et Vénus, en raison des caractéristiques de l'atmosphère, encore plus. Par conséquent, tout appareil qui étudie ces corps célestes de près doit être préparé en conséquence.

L'électronique moderne est très sensible à la chaleur et des températures de plusieurs centaines de degrés Celsius leur sont préjudiciables. Cependant, les scientifiques ont du mal à résoudre ce problème depuis de nombreuses années, et ils semblent avoir obtenu un certain succès. Par exemple, l'Arizona State University a récemment annoncé le développement de modules électroniques de nouvelle génération dans le cadre du programme HOTTech financé par la NASA, sur la base desquels il a été possible de créer des éléments de mémoire capables de résister à des températures élevées - jusqu'à 300 ° C et même plus. .

Le nitrure de gallium a été pris comme matériau de base pour créer des composants électroniques à haute température. Le fait est que le silicium, qui est traditionnellement utilisé pour créer des microprocesseurs et des modules de mémoire, a une bande interdite relativement faible (cet indicateur détermine l'énergie minimale requise pour qu'un électron passe de la bande de valence à la bande de conduction) - seulement 1,12 eV. Dans le même temps, pour le nitrure de gallium, il est égal à 3,4 eV, ce qui permet aux appareils de fonctionner normalement à des températures beaucoup plus élevées. Dans le même temps, on note que ce n'est pas le seul matériau semi-conducteur à large bande interdite étudié dans le cadre du programme d'électronique haute température. Un autre candidat valable avec une large bande interdite est le carbure de silicium.

Le dispositif de mémoire a été fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur sur un substrat de nitrure de gallium. Lors des tests, le module de mémoire a montré des performances stables sur toute la plage de 25 à 300°C. Lorsque la température est montée à 350°C, le contrôle des processus a été perdu, mais il a été restauré après que la température est tombée à la température ambiante. Ainsi, même en cas de chauffage extrême, le module de mémoire lui-même ne sera pas perdu, même s'il cessera de fonctionner normalement pendant un certain temps. Dans le même temps, comme le note Yuji Zhao, les résultats des travaux sont intermédiaires et la prochaine étape sera la création de modules de mémoire pouvant supporter jusqu'à 500 ° C en mode normal, et avec une telle électronique, il est déjà possible d'explorer la surface de même Vénus, même Mercure.

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