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ENCYCLOPÉDIE DE LA RADIOÉLECTRONIQUE ET DU GÉNIE ÉLECTRIQUE
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Diodes de limitation et de limitation de redresseur. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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Les équipements radioélectroniques et électriques doivent contenir des éléments de protection qui garantissent un fonctionnement sûr et fiable dans diverses situations - en cas de surtension lors de transitoires, de décharges d'électricité statique ou à la suite de coups de foudre qui induisent des surtensions.

En tant qu'éléments de protection, des limiteurs de tension (parafoudres, varistances, limiteurs de tension à semi-conducteur) ou des limiteurs de courant (résistances, thermistances PTC) sont utilisés.

Les limiteurs de tension empêchent les pannes électriques et protègent les composants contre les dommages. Deux types d'éléments sont utilisés comme limiteurs de tension : les éléments qui passent à un état de basse impédance (ont une caractéristique courant-tension en forme de S), par exemple, les parafoudres remplis de gaz, ainsi que les limiteurs de tension qui fixent un niveau donné sur l'appareil protégé et passent dans un état à faible résistance dynamique, par exemple, les varistances, les suppresseurs de tension à diode semi-conductrice ou les diodes de protection (diodes TSV - Transient Voltage Suppressor).

Dans le parafoudre, lorsque la tension de claquage par avalanche de l'entrefer est atteinte, la résistance passe brutalement de quelques GΩ à une valeur inférieure à 1 Ω. Après la fin de l'exposition à la surtension, le parafoudre revient à son état de haute impédance d'origine.

Pour les parafoudres de petite taille, la tension de claquage est de 70 ... 5000 V, le courant de surcharge admissible est de 0,5 ... 60 kA, la capacité est de 1 ... 20 pF, la chute de tension est ≤ 25 V, la résistance d'isolement est de 1 ... 10 GΩ, le courant de fuite est inférieur à 10 nA. Le temps de réponse à la surtension des parafoudres dépend de la vitesse de montée de la tension et est de 0,25 µs...2 s. Leur principal inconvénient est une ressource limitée.

Le temps de réponse des varistances (la résistance varie en fonction de la tension appliquée) est de 0,5...25 ns, le courant de surcharge est supérieur à 1000 A, la tension d'action est de 1...2 kV. Leur principal inconvénient est la forte dégradation des paramètres lorsque des surcharges sont appliquées.

Les limiteurs de tension à diode semi-conductrice fixent le niveau de tension spécifié sur l'appareil protégé. Lorsque la tension de fonctionnement est dépassée, un claquage par avalanche réversible de la diode se produit, elle passe dans un état à faible résistance dynamique. Dans cet état, le suppresseur à diode détourne le courant de surtension de l'objet protégé et absorbe les surtensions qui dépassent la tension de claquage. Le temps de réponse à la surtension est de plusieurs nanosecondes (selon la conception), le courant d'impulsion - jusqu'à des centaines d'ampères, la puissance d'impulsion - plus de 1 kW, la tension fixe - 3 ... 400 V, la capacité - moins de 50 pF.

En tableau. 1 montre les paramètres de différents types de limiteurs.

Tableau 1. Paramètres des différents types de limiteurs
Paramètre Déchargeurs Varistances diodes zener Diodes à pince
Plage de tension de fonctionnement, V 70 10000 ... 1000 2000 ... 2,4 200 ... 0,7 3100 ...
Plage des courants d'impulsions admissibles, A 0,5 60000 ... 1000 100 10 600 ...
Plage de temps de réponse, ns 250...2 s 0,5 25 ... 10 100 ... 0,001 0,1 ...
Capacité interélectronique, pF 1 20 ... 200 1500 ... 20...100 000 2...100 000
Température de fonctionnement ° C -55 ... + 130 -40...+ 125 -60 ... + 170 -60 ... + 170

Comme on peut le voir sur le tableau. 1, les plus rapides sont les suppresseurs de tension à diode semi-conductrice. Auparavant, elles avaient la même désignation que les diodes Zener. Il existe maintenant une nouvelle version de leur désignation :

où: 1 - matériau (K - silicium);

2 - type d'appareil (P - limiteur de tension);

3 - puissance d'impulsion fonctionnelle (2 - 1,5 kW; 3 - 5 kW; 4 - plus de 5 kW (15 kW));

4 - numéro de série du développement ;

5 - type nominal (A - groupe par limite de tension);

6 - constructif (C - symétrique).

Un exemple de symbole pour les diodes de limitation de redresseur :

où: 1 - type d'appareil (D - diode);

2, 3 - but (B - redresseur, O - restrictif);

4 - polarité (1 - polarité directe, 2 - polarité inverse);

5 - groupe (01 - groupe de tension de claquage);

6 - courant (35 - courant direct moyen maximum autorisé, A).

En tableau. 2 et 3 montrent les paramètres des diodes de limitation et de limitation de redressement fabriquées par les fabricants russes.

Les limiteurs de tension sont conçus pour protéger les équipements contre les surtensions causées par les processus transitoires et de commutation, les décharges d'électricité statique et les impulsions électromagnétiques induites de nature différente dans les circuits électriques continus et alternatifs.

Les diodes de limitation de redresseur sont conçues pour convertir le courant alternatif en courant continu et limiter le niveau de surtension dans les générateurs automobiles et les puissants dispositifs de redressement et de conversion d'énergie. Dans le mode des diodes zener puissantes, elles peuvent être utilisées dans les systèmes de commande de moteurs électriques, les chargeurs de batterie.

En tableau. 2 et 3, les désignations suivantes sont adoptées : Uogre, et - limitation de la tension d'impulsion ; jeogre, et - limitation du courant d'impulsion, Iarr - courant inverse;Uà - tension directe pulsée ; αUéchantillons- coefficient de température de la tension de claquage ; Rarr, et - puissance inverse d'impulsion ; Rτ p-to - boîtier de transition à résistance thermique ; Jok - température ambiante admissible ; tuéchantillons - tension de claquage; jepr, mer - courant direct moyen constant ; jefier - courant direct de choc ; tarr, vos - le temps de récupération; Jsociété - température corporelle admissible.

Tableau 2. Suppresseur de tension à diode
Type de diode Uogre,
В
Uogre, et,
В
Iogre, et,
А
|arr max(Uarr),
uA
Uà,
В
αUéchantillons,
%/°C
Рarr, je, max,
KW
Rτ p-to,
ºС/W
Тok,
ºС
Type de corps Analogique
KR4.03A 32 1,6 ± 48,2 311 5 (25,9 B) - J0,082 15 - -60 ... + 70 KD-11A RO-5) -
Б 42 2,4 ± 66,3 226 5 (34 B) - - "- - "- - - "- - "- -
В 54 2,7 ± 82,4 182 5 (43,7 B) - - "- - "- - - "- - "- -
Г 60 3 ± 96,8 155 5 (48,6 B) - - "- - "- - - "- - "- -
KR4.04A 32 1,6 ± 48,2 519 5 (25,9 B) - - "- 25 - -60...+ 170 KD-11A (O-5) -
Б 42 2,1 ± 66,3 377 5 (34 B) - - "- - "- - - "- - "- -
В 54 2,7 ± 82,4 303 5 (43.6 B) - - "- - "- - - "- - "- -
Г 60 3 ± 96,8 258 5 (48,6 B) - - "- - "- - - "- - "- -
KR192AS 18 0,5 ± 19 (0,2 A) - 250 (16 B) - - 0,3 - - KT-46 (SOT-23) -
35 1 ± 38 (0,2 A) - 250 (32 B) - - - "- - - - "- -
KR192BS 41 1 ± 45±1 (0,2 A) - 250 (36 B) - - - "- - - CT-46 -
KR192VS1 115 120 ... - - 100 (110 B) - - 0,3 (20 µs) - - - "- -
BC1 230 240 ... - - - "- - - - "- - - - "- -
BC2 100 110 ... - - 100 (100 B) - - - "- - - - "- -
BC2 200 220 ... - - - "- - - - "- - - - "- -
KR227A 20,9 23,1 ... 30,8 (1 mA) 49 5 (18,8 B) - - 1,5 (1 ms) - - KD-7D (DO-27) 1,5KE22A ;
1N6279
Б 22,8 25,2 ... 33,2 45 5 (20,5 B) - - - "- - - - "- 1,5KE24A ;
1N6280
В 24,4 .... 28,4 37,5 40 5 (22 B) - - - "- - - - "- 1,5KE27 ; 1N6281
KR231A 6,45 7,14 ... 10,5 143 1000 (5,8 B) - - - "- - - KD-7D (DO-27) 1,5KE6U8 ;
1N6267
Б 7,13 7,88 ... 13,3 132 500 (6,4 B) - - - "- - - - "- 1,5KE7U5 ;
1N6268
В 7,79 8,61 ... 12,1 124 200 (7.02 B) - - - "- - - - "- 1,5KE8U2 ;
1N6269
Г 8,65 9,55 ... 13,4 112 50 (7,78 B) - - - "- - - - "- 1,5KE9U1 ;
1N6270
Д 9,5 10,5 ... 11,45 103 5 (8,55 B) - - - "- - - - "- 1,5KE10A ; - 1N6271
Е 10,5 11,6 ... 15,6 96 5(9,4V) - - - "- - - - "- 1,5KE11A ;
1N6272
Ж 11,4 12,6 ... 16,7 90 5 (10,2 B) - - - "- - - - "- 1,5KE12A ;
1N6273

Type de diode Uogre,
В
Uogre, et,
В
Iogre, et,
А
|arr max (Uarr),
uA
Uà,
В
αUéchantillons,
%/°C
Рarr, je, max,
KW
Rτ p-to,
ºС/W
Тok,
ºС
Type de corps Analogique
И 12,4 13,7 ... 18,2 82 5 (11,1 B) - - - "- - - - "- 1,5KE13A ;
1N6274
К 14,3 15,8 ... 21,2 71 5 (12,8 B) - - - "- - - - "- 1,5KE15A ;
1N6275
Л 15,2 16,8 ... 22,5 67 5 (13,6 B) - - - "- - - - "- 1,5KE16A ;
1N6276
М 17,1 18,9 ... 25,2 59,5 5 (15,3 B) - - - "- - - - "- 1,5KE18A ;
1N6277
Н 19 21 ... 27,7 54 5 (17,1 B) - - - "- - - - "- 1,5KE20A ;
1N6278
П 20,9 23,1 ... 30,6 49 5 (18,8 B) - - - "- - - - "- 1,5KE22A ;
1N6279
Р 22,8 25,2 ... 33,2 45 5 (20.5 B) - - - "- - - - "- 1,5KE24A ;
1N6280
С 25,7 28,4 ... 37,5 40 5 (23,1 B) - - - "- - - - "- 1,5KE27A ;
1N6281
KR231T 28,5 31,5 ... 41,5 36 5 (25,6 B) - - - "- - - KD-7D 1,5KE30A,
1N6282
У 31,4 34,7 ... 45,7 33 5 (28,8 B) - - - "- - - - "- 1,5KE33A,
1N6283
Ф 34,2 37,8 ... 49,9 30 5 (30,8 B) - - - "- - - - "- 1,5KE36A,
1N6284
Х 37,1 41 ... 53,9 28 5 (33,3 B) - - - "- - - - "- 1,5KE39A,
1N6285
Ц 40,9 45,2 ... 59,3 25,3 5 (36,8 B) - - - "- - - - "- 1,5KE43A,
1N6286
Ш 44,7 49,4 ... 64,8 23,2 5(40,2V) - - - "- - - - "- 1,5KE47A,
1N6287
KR232A 6,5 7,14 ... 10,5 57,1 1000 (5,8 B) - - 0,6 (1 ms) - - KD-4V (DO-41) R6KE6U8D
Б 7,1 7,88 ... 11,3 53,1 500 (6,4 B) - - - "- - - - "- R6KE7U5A
В 7,8 8,61 ... 12,1 49,6 200 (7 B) - - - "- - - - "- R6KE8U2A
Г 8,7 9,55 ... 13,4 44,8 50 (7,8 B) - - - "- - - - "- R6KE9U1A
Д 9,5 10,5 ... 14,5 41,1 5 (8,6 B) - - - "- - - - "- R6KE10A
Е 10,5 11,6 ... 15,6 38,5 5(9,4V) - - - "- - - - "- R6KE11A
Ж 11,4 12 ... 16,7 35,9 5 (10,2 B) - - - "- - - - "- R6KE12A
И 12,4 13,7 ... 18,5 30,5 5 (11,1 B) - - - "- - - - "- R6KE13A
К 14,3 15,8 ... 21,2 28,3 5 (12,8 B) - - - "- - - - "- R6KE15A
Л 15,2 16,8 ... 22,5 26,7 5 (13,6 B) - - - "- - - - "- R6KE16A
М 17,1 18,9 ... 25,2 23,8 5 (15,3 B) - - - "- - - - "- R6KE18A
Н 19 21 ... 27,7 21,7 5 (17,1 B) - - - "- - - - "- R6KE20A
П 20,9 23,1 ... 30,6 19,6 5 (18,8 B) - - - "- - - - "- R6KE22A
Р 22,8 25,2 ... 33,2 18,1 5 (20,5 B) - - - "- - - - "- R6KE24A
С 25,7 28,4 ... 37,5 16 5 (23,1) - - - "- - - - "- R6KE27A
Т 28,5 31,5 ... 41,5 14,5 5 (25,6 B) - - - "- - - - "- R6KE30A
У 31,4 34,7 ... 45,7 13,1 5 (28,8 B) - - - "- - - - "- R6KE33A
Х 37,1 41 ... 53,9 11,1 5 (33,3 B) - - - "- - - - "- R6KE39A
Ц 40,9 45,2 ... 59,3 10,1 5 (36,8 B) - - - "- - - - "- R6KE43A

Type de diode Uogre,
В
Uogre, et,
В
Iogre, et,
А
|arr max (Uarr),
uA
Uà,
В
αUéchantillons,
%/°C
Рarr, je, max,
KW
Rτ p-to,
ºС/W
Тok,
ºС
Type de corps Analogique
Ш 44,7 49,4 ... 64,8 9,3 5 (40,2 B) - - - "- - - - "- R6KE47A
KR233A ; CA 5 6,2 ... 7,4 201,6 5 (5 B) 1,1
(100 A)
0,082 1,5 (1 ms) 0,8 -60...+ 170 KD-7E
(DO-201)
-
B; BS 5,8 7,5 ... 9 166,6 5 (6 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE6U8A ;
1,5KE6États-Unis
À; Soleil 7,1 9,1 ... 10,9 137,6 5 (7,37 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE7U5A ;
1,5KE7U5SA
G; SH 8,7 11 ... 13,2 113,6 5(8,9V) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE10A ;
1,5KE10CA
RÉ; CC 10,6 13,3 ... 16 94 5 (10,8 B) 1,1 - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE12A ;
1,5KE12CA
E; UE 12,9 16,4 ... 19,7 76,2 5 (13,3 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE15A ;
1,5KE15CA
KR233ZH ; ZhS 16,2 19,8 ... 23,8 63,1 5 (16 B) 1,1 0,082 1,5 0,8 -60 ... + 170 KD-7E 1,5KE18A ;
1,5KE18CA
ET; IP 18 19,2 ... 22,8 65,8 5 (15,55 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- -
À; KS 18,8 20,2 ... 24 62,5 5 (16,4 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- -
L; LS 19,8 21,2 ... 25,2 59,5 5 (17,2 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- -
M; MME 20,8 22,2 ... 26,4 56,8 5 (18 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- -
H; N.-É. 21,8 23,2 ... 27,6 54,3 5 (18,8 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- -
P; PS 22,8 24,2 ... 28,8 52 5 (19,6 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- -
R; RS 23,8 25,2 ... 30 50 5 (20,4 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- -
DE; SS 24,8 26 ... 31 48,4 5 (21 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- -
T; TS 24,2 29,5 ... 35,4 42,4 5 (23,9 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE27 ;
1,5KE27CA
U; NOUS 29,1 36 ... 43,6 34,7 5(29,2V) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE33 ;
1,5KE33CA
F; FS 35 43 ... 51,6 29,1 5 (34,8 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE39 ;
1,5KE39CA
X; XC 42,5 51,5 ... 61,8 24,3 5 (41,7 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE47 ;
1,5KE47CA
C; Californie 50,5 61,5 ... 73,8 20,3 5 (49,8 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE56 ;
1,5KE56CA
W; ShS 61 75 ... 75,1 20 5 (60, 75 V) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE68,
1,5KE68CA
KR234A ; CA 74 90 ... 108 18,9 5 (72, 9 V) 1,1 0,082 1,5 0,8 -60...+170 KD-7E 1,5KE82,
1N6293 ;
1,5KE82CA
B; BS 89,6 110 ... 132 13,6 5 (89,1 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE100,
1N6295 ;
1,5KE100CA
À; Soleil 108 132 ... 158,4 11,4 5 (106,9 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE120 ;
1N6297 ;
1,5KE120CA
G; SH 117 143 ... 171,6 10,5 5 (115,8 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE130 ;
1N6298 ;
1,5KE130CA
RÉ; CC 135 165 ... 198 7,6 5 (133,65 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE150,
1N6299 ;
1,5KE150CA
E; UE 162 198 ... 237,6 6,3 5 (160,4 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE180 ;
1N6302 ;
1,5KE180CA
ET; ZhS 180 220 ... 264 5,7 5 (178,2 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE200 ;
1N6303 ;
1,5KE200CA
ET; IP 198 242 ... 290,4 5,2 5 (196 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE220 ;
1,5KE220CA

Type de diode Uogre,
В
Uogre, et,
В
Iogre, et,
А
|arr max (Uarr),
uA
Uà,
В
αUéchantillons,
%/°C
Рarr, je, max,
KW
Rτ p-to,
ºС/W
Тok,
ºС
Type de corps Analogique
À; KS 225 275 ... 330 4,5 5 (222,75 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE250 ;
1,5KE250CA
L; LS 270 330 ... 396 3,8 5 (267,3 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- 1,5KE300 ;
1,5KE300CA
KR301A ; CA 5 6,2 ... 8,1 617,3 5 (5 B) 1,1
(100 A)
0,082 5 0,8 -60...+170 KD-7 -
B; BS 5,8 7,5 ... 9,8 510,2 5 (6 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- -
À; Soleil 7,1 9,1 ... 11,9 420,2 5 (7,4 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- -
G; SH 8,7 11 ... 14,4 347,2 5(8,9V) - "- - "- - "- - "- - "- - "- -
RÉ; CC 10,6 13,3 ... 17,4 283,3 5 (10,8 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- -
E; UE 12,9 16,4 ... 21,5 232,5 5 (13,3 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- -
ET; ZhS 16,2 19,8 ... 25,9 193 5 (16 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- -
ET; IP 18 19,2 ... 24,9 200,8 5 (15,6 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- -
À; KS 225.275 360,2 13,9 5 (222,8 B) - "- - "- - "- - "- - "- - "- -
L; LS 270 330 ... 432,3 11,6 5 (267,3) - "- - "- - "- - "- - "- - "- -
KR458A 340 400 ... 350 - 5 (350 B) - "- - "- 10 - "- - "- CT-43 -

Tableau 3. Diodes de limitation de redresseur
Type de diode Uéchantillons, V à
Iarr = 5 mA
Uogre, et, V à
Iogre = 45 A
Ipr, mer,
А
Ufier,
В
Ietc., maximum А
(à jeпр)
Iarr, max (Uéchantillons),
uA
tarr, vos, max

>μs
Rt, pk,

°С/W
Тok,
° C
DVO101-35 ; DVO201-35 18 19 ... 21 35 360 1 (35 A) 10 (15 B) 1 0,8 -60 ... + 175
DVO102-35 ; DVO202-35 19 20 ... 22 - "- - "- - "- - "- - "- - "- - "-
DVO103-35 ; DVO203-35 20 21 ... 23 - "- - "- - "- - "- - "- - "- - "-
DVO104-35 ; DVO204-35 21 22 ... 24 - "- - "- - "- - "- - "- - "- - "-
DVO105-35 ; DVO205-35 22 23 ... 25 - "- - "- - "- - "- - "- - "- - "-
DVO106-45 ; DVO206-45 18 19 ... 21 45 - "- 1 (45 A) - "- - "- 0,6 - "-
DVO107-45 ; DVO207-45 19 20 ... 22 - "- - "- - "- - "- - "- - "- - "-
DVO108-45 ; DVO208-45 20 21 ... 23 - "- - "- - "- - "- - "- - "- - "-
DVO109-45 ; DVO209-45 21 22 ... 24 - "- - "- - "- - "- - "- - "- - "-
DVO110-35 ; DVO210-35 35 36 ... 38 (30 A) 35 - "- 1 (35 A) 10 (31 B) - "- 0,8 - "-
DVO111-35 ; DVO211-35 36 37 ... 39 (30 A) - "- 330 - "- - "- - "- - "- - "-
DVO112-35 ; DVO212-35 37 38 ... 40 (30 A) - "- - "- - "- - "- - "- - "- - "-
DVO113-35 ; DVO213-35 38 39 ... 41 (30 A) - "- - "- - "- - "- - "- - "- - "-
DVO114-45 ; DVO214-45 22 23 ... 25 45 360 1 (45 A) 10 (15 B) - "- 0,6 - "-
DVO115-35, DVO215-35 23 24 ... 26 35 - "- - "- - "- - "- 0,8 - "-
DVO116-35 ; DVO216-35 24 25 ... 27 - "- - "- "- "- "- - "- - "-
DVO117-35 ; DVO217-35 25 26 ... 28 - "- - "- - "- - "- - "- - "- - "-
DVO129-50 ; DVO229-50 18 19 ... 21 50 500 1 (50 A) - "- - "- 0,6 - "-
DVO130-50 ; DVO230-50 19 20 ... 22 - "- - "- - "- - "- - "- - "- - "-
DVO131-50 ; DVO231-50 20 21 ... 23 - "- - "- - "- - "- - "- - "- - "-
DVO132-50 ; DVO232-50 21 22 ... 24 - "- - "- - "- - "- - "- - "- - "-
DVO133-50 ; DVO233-50 22 23 ... 25 - "- - "- - "- - "- - "- - "- - "-
DVO134-50 ; DVO234-50 23 24 ... 26 - "- - "- - "- - "- - "- - "- - "-
DVO135-50 ; DVO235-50 24 25 ... 27 - "- - "- - "- - "- - "- - "- - "-
DVO136-50 ; DVO236-50 25 26 ... 28 - "- - "- - "- - "- - "- - "- - "-

Auteur : Anatoly Nefedov

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Processeur Qualcomm Snapdragon G3x Gen1 10.12.2021

Qualcomm a introduit une puce pour les consoles de jeux. Le nouveau Snapdragon G3x Gen1 est conçu pour les appareils qui exécutent le système d'exploitation Android.

Le SoC a reçu des cœurs Kryo et des graphiques Adreno. Les appareils alimentés par Snapdragon G3x Gen1 pourront sortir sur des écrans 4K à 144 ips via un port USB-C.

La puce prend en charge le Wi-Fi 6/6E, 5G, ainsi que la technologie propriétaire Snapdragon Sound, qui améliore la qualité du son.

Qualcomm, avec Razer, a montré un prototype de console de jeu avec un nouveau processeur. L'appareil dispose d'un écran OLED de 6,65" à 120 Hz, d'un système de refroidissement, de quatre haut-parleurs et d'une caméra FHD de 5 mégapixels à travers laquelle vous pouvez diffuser pendant le jeu.

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