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ENCYCLOPÉDIE DE LA RADIOÉLECTRONIQUE ET DU GÉNIE ÉLECTRIQUE
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Alimentation à découpage, 9 volts 3 ampères. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / Alimentations

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Le convertisseur (Fig. 5.18) est conçu pour alimenter des appareils à partir d'un réseau 220 V avec une consommation de courant allant jusqu'à 3 A à une tension de sortie de 9,2 V (tout circuit de stabilisation linéaire typique peut être utilisé pour obtenir 5 V ou 6 V à partir de cette tension). Le convertisseur proposé diffère des convertisseurs similaires par sa simplicité et par la présence d'une protection de l'alimentation contre les surcharges dans le circuit de sortie en cas de court-circuit. Le circuit électrique du dispositif est constitué d'un filtre d'entrée (éléments C1, C2, C3 et T1) ; circuits de démarrage (R2, R3, R4, C4, VT1); oscillateur (VT2, VT3, T2, T3, C5 ... C9); redresseur basse tension (VD5, VD6, C10 ... C13).

Alimentation à découpage, 9 volts 3 ampères
(cliquez pour agrandir)

Le convertisseur est assemblé selon un circuit en demi-pont commun. Le filtre d'entrée du convertisseur fournit une atténuation des interférences, à partir d'une fréquence de 15 kHz, plus de 2 fois. Le circuit de déclenchement utilise le transistor VT1 en mode de claquage réversible, ce qui vous permet de générer de courtes impulsions nécessaires au moment de la mise sous tension du circuit pour démarrer le fonctionnement de l'étage clé VT2, VT3 en mode oscillateur à une fréquence de 30 ... 60 kHz, alors que la fréquence de fonctionnement est dans de petites limites, vous pouvez modifier la capacité de C5. En cas de court-circuit dans le circuit d'enroulement secondaire du transformateur T3, la rétroaction dans l'oscillateur est interrompue et la génération échoue jusqu'à ce que le dysfonctionnement soit éliminé, le rendement du convertisseur à un courant de charge de 2 A est de 0,74 (à un courant de charge de 4 A, il diminue à 0,63).

Des résistances de tout type peuvent être utilisées dans l'appareil, des condensateurs C1 de type K73-17 pour 630 V ; C2, C3 type K73-9 ou K73-17 pour 250 V ; C4, C5 types K10-7 ; C6, C7 type K50-35 pour 250 V ; C8, C9 type K73-9 pour 250 V ; C10.C12 type K10-17 ; C13 type K52-1V pour 20 V. Le transistor VT1 peut être remplacé par KT312A, B, C, les transistors VT2 et VT3 par KT838A, KT846V. L'inductance T1 est enroulée sur deux noyaux annulaires collés ensemble, de taille K20x12x6, en ferrite de qualité 2000NM. Les enroulements I et II contiennent 45 tours de fil PEV-2 d'un diamètre de 0,25 mm.

Le transformateur T2 est fabriqué sur deux noyaux annulaires de taille K10x6x2000 collés ensemble à partir de ferrite 60NM. L'enroulement I contient 15 tours, les enroulements II et III - 0,15 tours de fil PELSHO-XNUMX chacun (appuyez sur l'enroulement II pour un retour de courant à partir du troisième tour).

Pour la fabrication de. T3 a utilisé un noyau annulaire K28x16x9 (2000NM). L'enroulement I est enroulé avec 250 tours de fil PEV-2-0,25, les enroulements II et III - avec 22 tours de fil PEV-2 d'un diamètre de 0,51 mm. Dans la fabrication des transformateurs, avant d'enrouler le fil, il est nécessaire d'arrondir les arêtes vives des noyaux avec une lime à aiguille et de les envelopper de tissu verni. L'enroulement doit être effectué tour à tour, suivi de l'isolation de chaque couche (il est préférable d'utiliser du ruban fluoroplastique de 0,1 mm d'épaisseur).

Les diodes VD1.VD4 utilisées peuvent être remplacées par des diodes haute tension, le remplacement des diodes VD5 et VD6, à l'exception de KD2998V, n'est pas recommandé par un autre type. La plus grande dissipation de chaleur dans le circuit se produit sur les diodes de redressement VD5, VD6, et elles doivent être installées sur un radiateur.

Les parties restantes du circuit n'ont pas besoin de dissipateur thermique. Structurellement, tous les éléments du circuit, à l'exception du commutateur S1 et des diodes VD5, VD6, sont placés sur une carte de circuit imprimé simple face de 140x65 mm. La topologie de la carte de circuit imprimé est illustrée à la fig. 5.19.

Alimentation à découpage, 9 volts 3 ampères

Avant d'allumer le convertisseur pour la première fois, il est nécessaire de vérifier la conformité des phases des enroulements des circuits de base VT2 et VT3 avec le circuit. Si le convertisseur, lorsqu'il est correctement installé, ne commence pas immédiatement à fonctionner, il sera alors nécessaire d'échanger les bornes de l'enroulement I du transformateur T2. II et III du transformateur T3.

Auteur : Semyan A.P.

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Une technologie de mémoire non volatile innovante qui peut mieux évoluer et fonctionner mieux que la mémoire flash et la mémoire résistive traditionnelle (ReRAM) a suscité l'intérêt d'ARM Holdings, une société majeure en architecture de processeur. La mémoire CeRAM (Correlated electron RAM, mémoire à électron corrélé) est activement promue par Symetrix. ARM, à son tour, soutient ses recherches.

Symetrix, ARM, l'Université du Colorado et l'Université du Texas participent au projet de recherche sur la mémoire CeRAM. Les objectifs spécifiques, la durée et le budget du projet n'ont pas été annoncés, mais le participant à l'étude, le professeur Araujo (Araujo), a noté que Symetrix recevra bientôt des données importantes sur les dispositifs CeRAM utilisant un microscope à force atomique, ce qui vous permet d'examiner les détails comme petit que 5 nm. Ces données devront démontrer les propriétés de "nouvelle commutation" de l'appareil.

Les recherches intensives sur des technologies telles que ReRAM et CeRAM s'expliquent par le fait que la mémoire flash approche de sa barrière technologique et qu'il sera très problématique de développer des dispositifs utilisant des processus de fabrication inférieurs à 10-20 nm. Par conséquent, l'industrie a besoin de développements fondamentalement nouveaux. Quant à ReRAM, les chercheurs font face à de nombreux obstacles dans le développement de cette technologie. Comprendre les processus physiques de formation et de destruction des soi-disant fils conducteurs dans la couche isolante entre les électrodes supérieure et inférieure dans la mémoire ReRAM s'est avéré difficile, et sans cela, il est difficile d'avancer.

Contrairement à ReRAM, CeRAM est une mémoire résistive qui utilise les mêmes oxydes de métaux de transition (TMO) tels que NiO, mais n'utilise pas de filaments ou d'électroformage. Au lieu de cela, CeRAM présente des effets quantiques de corrélation de position d'électrons, d'où son nom. Dans la structure CeRAM, on distingue la région active TMO, qui sépare les deux couches conductrices de TMO, tandis que dans ReRAM, l'oxyde de métal de transition occupe toute la région entre les couches métalliques.

Les TMO ont des coques atomiques 3d ou 4d incomplètes qui traversent une jonction métal-isolant. Dans le cas du NiO, une tension de 0,6 V suffit pour enregistrer un état isolé et 1,2 V pour enregistrer un état conducteur. Il ne nécessite aucune transition de phase thermodynamique, comme dans le ReRAM traditionnel.

La vitesse de commutation des cellules de mémoire CeRAM peut atteindre des dizaines de femtosecondes et la tension d'alimentation pendant la lecture n'est que d'environ 0,1 à 0,2 V. L'état de la mémoire reste stable même lorsqu'il est chauffé jusqu'à 400 degrés Celsius.

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