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ENCYCLOPÉDIE DE LA RADIOÉLECTRONIQUE ET DU GÉNIE ÉLECTRIQUE
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Amplificateur d'impulsions du système radar à courte portée. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / Concepteur radioamateur

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Pour mesurer la vitesse d'objets en mouvement, comme les voitures, les systèmes radar à courte portée basés sur l'effet Doppler sont largement utilisés [1]. Les générateurs d'oscillations hyperfréquences de ces systèmes sont le plus souvent réalisés sur des diodes Gunn fonctionnant en mode continu. Les capacités de ces systèmes radar à courte portée peuvent être étendues en commutant les générateurs sur un mode de fonctionnement pulsé. Dans ce cas, il devient possible, en plus de mesurer la vitesse des objets, de déterminer également la distance à ceux-ci.

Amplificateur d'impulsions du système radar à courte portée
(cliquez pour agrandir)

Conformément aux données de passeport pour les diodes Gunn [2]. pour leur excitation, des générateurs d'impulsions à polarité positive d'une amplitude de 5 ... 6 V sont nécessaires à un courant de sortie de 1.5 ... 2 A. Les générateurs de signaux d'impulsion standard fonctionnent généralement sur une charge standard de 50 Ohms et ont une tension de sortie de 1 V.

La figure 1 montre un circuit amplificateur qui vous permet d'augmenter les paramètres de sortie d'un générateur de signal d'impulsion standard aux valeurs requises. L'amplificateur contient un diviseur de tension résistif d'entrée, deux étages d'amplification, un générateur de courant stable et une sortie de contrôle.

Amplificateur d'impulsions du système radar à courte portée
(cliquez pour agrandir)

Le diviseur de tension d'entrée est réalisé sur les résistances R1...R3. Il assure l'adaptation de l'amplificateur avec l'impédance de sortie du générateur et la stabilisation de la profondeur de la contre-réaction globale recouvrant l'amplificateur.Dans les deux étages de l'amplificateur, construit sur les transistors VT2 et VT4. la stabilisation thermique du collecteur actif des courants de repos est appliquée (3). Les courants de repos des transistors eux-mêmes ont été choisis en fonction de l'amplification non déformée des impulsions avec un rapport cyclique variant de 10 à l'infini. Pour le transistor VT2, le courant de repos est de 70 mA, pour le transistor VT4 - 300 mA. Les courants sont réglés en sélectionnant les résistances R5 et R12.

Lors du démarrage du générateur sur la diode Gunn, sa résistance change. Pour réduire l'effet de la modification de la résistance de charge sur les caractéristiques de l'amplificateur, son étage de sortie est réalisé selon un circuit collecteur commun, et l'amplificateur lui-même est couvert par une rétroaction négative commune via la chaîne R7-C8. En conséquence, l'impédance de sortie de l'amplificateur ne dépasse pas 0,4 ohms.

Un changement de température du cristal de la diode Gunn entraîne un changement de la fréquence de génération instantanée [4]. Pour réduire ce facteur, un générateur de courant stable basé sur un transistor VT5 est installé dans l'amplificateur, ce qui assure le chauffage de la diode dans les périodes entre les impulsions de déclenchement. Le courant du générateur est ajusté à l'aide du potentiomètre R18 entre 0.1 ... 0.5 A. L'amplificateur a une sortie de commande pour enregistrer l'amplitude des impulsions appliquées à la diode Gunn. La diode VD1 est installée pour protéger les transistors de l'amplificateur contre les pannes si la polarité de l'alimentation est inversée. La diode VD2 est nécessaire pour restituer la composante constante en sortie de l'amplificateur.

L'amplificateur est assemblé sur une carte de circuit imprimé de 80x75 mm en fibre de verre double face d'une épaisseur de 2 ... 3 mm. Le dessin de la carte est illustré à la Fig. 2, la Fig. 3 montre l'emplacement des éléments.

Amplificateur d'impulsions du système radar à courte portée

La ligne pointillée sur la figure 3 indique les endroits de métallisation des extrémités, ce qui est nécessaire pour éliminer les résonances parasites et mettre à la terre les sections nécessaires de la carte de circuit imprimé. Cela peut être fait avec une feuille de métal. Transistors VT2. VT4 et VT5 sont fixés à la base à l'aide d'une pâte thermoconductrice. Les inducteurs sont collés à la carte de circuit imprimé à l'aide d'entretoises diélectriques constituées, par exemple, de fibre de verre sans feuille.

La configuration de l'amplificateur commence par le réglage des courants de repos donnés des transistors VT2 et VT4 avec les résistances R5 et R12. Ensuite, en tant qu'équivalent de charge, une résistance d'une résistance de 4 ... 6 ohms est connectée à la sortie de l'amplificateur. Une impulsion négative d'une amplitude de 0,1 ... 0,2 V est appliquée à l'entrée de l'amplificateur et le gain requis est réglé en modifiant la résistance R7. Il faut garder à l'esprit que lorsque la résistance R7 est inférieure à 100 ohms, un dépassement apparaît sur le front montant de l'impulsion. Cela est dû au retard du signal dans la boucle de rétroaction commune. Le choix des résistances R19 et R20 fixe les limites de régulation du courant fourni par le générateur à VT5.

littérature

  1. Bakulev P.A., Stenin V.M. Méthodes et dispositifs de sélection de chaînes mobiles. - M. : Radio et communication, 1986.
  2. Dispositifs semi-conducteurs. Diodes hyperfréquences : Ouvrage de référence /B.A.Nalivaiko et al./. - Tomsk MGP RASKO. 1992.
  3. Titov A. A. Calcul du circuit de stabilisation thermique du collecteur actif et son utilisation dans les amplificateurs avec contrôle automatique du courant consommé. - Équipement électronique. Ser. technologie micro-ondes. 2001. N° 2. P.26.
  4. Tsarapkin D.P. Générateurs hyperfréquences à base de diodes Gunn. - M. : Radio et communication, 1982.

Auteurs : A.Titov, V.Pushkarev, Tomsk

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