Transistor à effet de champ basse puissance KP214A9. Donnée de référence

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Transistor à effet de champ basse puissance KP214A9. Donnée de référence

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Le transistor à effet de champ à canal N en silicium KP214A9 avec grille isolée et enrichissement de canal, avec diode inverse de protection intégrée, est fabriqué à l'aide de la technologie épitaxiale-planaire. Les transistors sont conçus pour fonctionner dans des alimentations secondaires avec une entrée sans transformateur, dans des régulateurs, des stabilisateurs et des convertisseurs de tension à commande continue et par impulsions, dans des unités de commande pour moteurs électriques de faible puissance et dans d'autres équipements électroniques pour l'économie nationale et la vie quotidienne.

Les transistors sont logés dans un boîtier en plastique KT-46A (SOT-23) avec des bornes plates étamées (Fig. 1), destiné au montage en surface.

Transistor à effet de champ basse puissance KP214A9

Analogue étranger du transistor KP214A9 - 2N7002LT1.

Le brochage et le schéma des connexions internes sont illustrés à la fig. une.

Principales caractéristiques techniques à Tacrav = 25+10 °С

Tension de seuil, V, avec un courant de drain de 0,25 mA et une grille et un drain connectés......1 ...2,5
Résistance de canal ouvert, Ohm, pas plus, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs et leur rapport cyclique d'au moins 50, courant de drain 0,5 A et tension grille-source 10 V...... 7,5
Résistance de canal ouvert, Ohm, pas plus, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs et leur rapport cyclique d'au moins 50, courant de drain 0,05 A et tension grille-source 5 V......7,5
Courant de drain résiduel, µA, pas plus, à une tension drain-source de 60 V et une tension nulle à la grille......1
Courant de fuite de grille, µA, pas plus, à tension drain-source nulle et tension grille-source ±20 V......±0,1
Pente de la caractéristique courant-tension, mA/V, au minimum, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs et leur rapport cyclique d'au moins 50, avec une tension drain-source de 7,5 V et un courant de drain de 0,2 A ......80
Tension directe constante d'une diode de protection ouverte, V, pas plus, à une tension grille-source nulle du transistor et un courant traversant les bornes drain et source de 115 mA...... 1,5
Résistance thermique cristal-environnement, °С/W, pas plus......625
Temps marche/arrêt*, non, pas plus, pour une tension drain-source de 25 V, un courant de drain de 0,5 A et une résistance de sortie de la source de signal de 25 Ohms......30/40
Capacité du transistor*, pF, pas plus, à tension grille-source nulle, tension drain-source 25 V et fréquence 1 MHz
entrée ...... 50
week-end ...... 25
point de contrôle ...... 5

* Paramètres de référence.

Valeurs limites

La tension drain-source la plus élevée, V ...... 60
Tension grille-source maximale, V ...... ± 20
La tension d'impulsion grille-source la plus élevée, V, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 1 s et leur cycle de service d'au moins 300 ..... ± 40
Courant de drain constant maximum*, mA, à une tension grille-source de 10 V et une température ambiante ne dépassant pas 25 °C......115
Courant de drain pulsé maximum**, mA, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs......800
Puissance dissipée constante maximale***, W, à une température ambiante ne dépassant pas 25 °C......0,2
Le courant direct le plus élevé de la diode de protection, mA ...... 115
Courant d'impulsion maximal de la diode de protection**, mA, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs .....800
La température la plus élevée du cristal, ° С ...... 150
Plage de température ambiante de fonctionnement, °С -55...+125

* Lorsque la température ambiante monte jusqu'à 125

Le courant de drain doit être réduit (à condition que la puissance maximale dissipée ne soit pas dépassée) jusqu'à zéro conformément au graphique de la Fig. 2.

** À condition que la valeur maximale de dissipation de puissance ne soit pas dépassée. *** Dans la plage de température ambiante de 25 à 125°C, la puissance maximale dissipée Pmax est calculée à l'aide de la formule

où RTkp-cp est la résistance thermique de l'environnement cristallin.

La valeur admissible du potentiel statique est de 30 V conformément à OST 11073.062. Le mode et les conditions d'installation des transistors dans les équipements sont conformes à l'OST 11336.907.0. Lors du soudage de câbles avec un fer à souder, il est nécessaire d'évacuer la chaleur à l'aide d'une pince à épiler spéciale dotée de mâchoires massives en cuivre. Les pinces sont installées sur le terminal à proximité du boîtier. Le fer à souder doit être mis à la terre.

Transistor à effet de champ basse puissance KP214A9

Les principales dépendances graphiques typiques des paramètres du transistor KP214A9 sont présentées sur la Fig. 3-7. En figue. Les figures 3a et b montrent la dépendance du courant de drain lc sur la tension drain-source Usi à la température du cristal Tcr = 25 ± 10 °C et 150 °C. Les dépendances du courant de drain sur la tension grille-source Uzi sont représentées sur la Fig. 4, et la dépendance normalisée en température de la norme RK de résistance à canal ouvert est illustrée à la Fig. 5.

Transistor à effet de champ basse puissance KP214A9
Riz. 6 illustre la nature du changement de capacité du transistor lorsque la tension drain-source change, et la Fig. 7 - caractéristique courant-tension d'une diode de protection ouverte. La dépendance du courant de drain constant maximum admissible lc max sur la température du cristal est représentée sur la Fig. 2.

Auteur : V.Kiselev, Minsk, Biélorussie

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Irony Man est équipé d'un module actionneur pour le visage, qui lui permet d'exprimer toute une gamme d'émotions (clin d'œil, rouler des yeux, etc.). Tout cela est conçu pour améliorer la communication avec une personne et compléter la réaction verbale. Soit dit en passant, le robot parle également de manière très intéressante - il est capable de contrôler l'intonation, d'accentuer et d'accentuer certains mots et, en général, de diffuser assez bien le sarcasme. La seule chose qu'il ne sait toujours pas faire, c'est « éteindre » l'ironie, si tôt ou tard il risque de se gifler son visage en plastique.

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