Transistors à effet de champ puissants de la série KP742. Donnée de référence

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Les transistors à effet de champ à canal N en silicium KP742A et KP742B avec grille isolée, enrichissement de canal et diode inverse de protection intégrée sont fabriqués à l'aide d'une technologie pitaxiale-planaire. Les appareils sont conçus pour fonctionner dans des alimentations secondaires avec entrée sans transformateur, dans des régulateurs, des stabilisateurs et des convertisseurs de tension avec contrôle continu et par impulsions, dans des entraînements de moteurs électriques et d'autres équipements utilisés dans la vie quotidienne et dans l'industrie.

Les transistors sont logés dans un boîtier rectangulaire en plastique KT-43 (TO-218) avec des fils étamés rigides estampés (Fig. 1) ; poids de l'appareil - pas plus de 6 g.

Analogue étranger du transistor KP742A - STH75N06, KP742B - STH75N05 de SGS-THOMSON.

Principales caractéristiques techniques à Тkorp = 25 °С

• Tension de seuil, V, à un courant de drain de 0,25 mA et grille et drain connectés......2...4
• Résistance à canal ouvert, Ohm, pas plus, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs et un rapport cyclique d'au moins 50, avec un courant de drain de 40 A et une tension grille-source de 10 V pour KP742A.... .. 0,014
• KP742B ...... 0,012
• Courant de drain résiduel, μA, pas plus, à une tension drain-source maximale et à une tension grille-source nulle ...... 250
• Courant de fuite de grille, nA, pas plus, à une tension grille-source ±20 V et une tension drain-source nulle ...... ±100
• Pente caractéristique I-V, A/V, au minimum, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 µs et un rapport cyclique d'au moins 50, à une tension drain-source de 10 V et un courant de drain de 40 A. ....25
• Fréquence d'amplification maximale, MHz, pas moins ...... 1
• Temps d'activation*, µs, max, à une tension drain-source de 25 V, courant de drain 40 A, impédance de sortie de la source de signal 6,2 Ohm, résistance du circuit de drain 50 Ohm, tension grille-source 10 V, durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs et leur cycle de service n'est pas inférieur à 50 ...... 1,57
• Temps de coupure*, µs, max, à tension drain-source 40 V, courant de drain 75 A, impédance de sortie de la source de signal 50 Ω, résistance du circuit de drain 50 Ω, tension grille-source 10 V, durée d'impulsion ne dépassant pas 300 µs et leur cycle de service n'est pas inférieur à 50 pour KP742A ...... 0,97
• KP742B ...... 1,08
• Capacité du transistor*, pF, pas plus, à une tension drain-source de 25 V, une tension grille-source nulle et une fréquence d'entrée de 1 M Hz ...... 5200 XNUMX
• week-end ...... 2300
• point de contrôle ...... 650
• Boîtier en cristal de résistance thermique, С/W, pas plus de......30
• Tension directe constante d'une diode de protection ouverte. V, pas plus, à tension grille-source nulle, durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs et leur rapport cyclique d'au moins 50 pour KP742A à un courant traversant la sortie de drain de 75 A et KP742B - 80A ...... 1,6
• Temps de récupération inverse de la diode*, pas, à une tension drain-source de 35 V, un taux d'augmentation du courant de diode de 100 A/µs, une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 µs et un rapport cyclique d'au moins 50 pour le KP742A à un courant à travers la sortie du drain de 75 A et KP742B - 80 A ...... 130

* Paramètres de référence.

Valeurs limites

• La tension drain-source la plus élevée, V, pour KP742A......60
• KP742B ...... 50
• Tension grille-source maximale, V ...... ± 20
• Le courant de drain direct le plus élevé *, A, à une température du boîtier ne dépassant pas 25 ° C pour KP742A ...... 75
• KP742B ...... 80
• Le courant de drain pulsé le plus élevé *, A, pour KP742A......300
• KP742B ...... 320
• Le courant direct le plus élevé de la diode de protection, A, pour KP742A......75
• KP742B ...... 80
• Puissance dissipée continue maximale**, W, à une température de boîtier de 25 °С......200
• La température la plus élevée du cristal, "C ...... 175
• Plage de température ambiante de fonctionnement, "С......-55...+150

* À condition que les valeurs de puissance maximale dissipée et de température du cristal ne soient pas dépassées.

** À une température ambiante supérieure à 25 °C, la puissance maximale admissible Pmax doit être réduite conformément à la formule

où Tkp max et Tkorp sont les valeurs de la température maximale admissible du cristal et de la température actuelle du boîtier du transistor ; Rt kr-corps - résistance thermique du boîtier en cristal.

Valeur admissible du potentiel statique - 500 V conformément à OST 11 073.062. Le mode et les conditions de montage des transistors dans l'équipement - selon OST 11 336.907.0.

Les dépendances graphiques typiques des paramètres des transistors KP742A et KP742B sont représentées sur la fig. 2-7.

Sur la fig. 2, a et b montrent les familles de caractéristiques de sortie des appareils à deux valeurs de température du boîtier, et sur la fig. 3 - dépendance en température de la résistance du canal ouvert (normalisée par rapport au point où la température du cristal Tcr = 25 °C). Riz. La figure 4 illustre la relation entre le courant de drain et la tension grille-source.

Les dépendances de la capacité d'entrée, de sortie et de débit des appareils sur la tension drain-source sont représentées sur la fig. 5. Le courant de drain doit être réduit à mesure que la température du boîtier augmente selon la courbe de la fig. 6.

La chute de tension aux bornes d'une diode de protection ouverte, en fonction du courant direct qui la traverse, est illustrée à la fig. 7 (ici Ic est le courant traversant la sortie drain de l'appareil).

Auteur : V.Kiselev, Minsk, Biélorussie

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