Transistors à effet de champ de la série KP504. Donnée de référence

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Transistors à effet de champ de la série KP504. Donnée de référence

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Les transistors au silicium à canal N à effet de champ KP504A-KP504E de puissance moyenne avec une grille isolée et un enrichissement de canal sont fabriqués à l'aide de la technologie épitaxiale-planaire. L'appareil est équipé d'une diode de protection intégrée à polarisation inverse connectée entre la source et le drain.

Les transistors sont conçus pour fonctionner dans des alimentations secondaires avec entrée sans transformateur, dans des régulateurs, des stabilisateurs et des convertisseurs de tension avec contrôle continu et par impulsions, dans des unités d'entraînement de moteurs électriques de faible puissance et d'autres équipements à usage domestique et industriel.

Les appareils sont logés dans un boîtier en plastique KT-26 (TO-92) avec des bornes étamées rigides estampées (Fig. 1). Un analogue étranger du transistor KP504A est le BSS88.

Transistors à effet de champ de la série KP504

Principales caractéristiques à Tacr.av = 25±10°C

Tension de seuil, V, avec un courant de drain de 1 mA et une grille-source connectée. . .0,6...2
Résistance à canal ouvert, Ohm, pas plus, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs et leur rapport cyclique d'au moins 50, avec un courant de drain de 0,25 A et une tension grille-source de 4,5 V pour KP504A-KP504V, KP504D , KP504E... ...8
KP504G......10
Résistance de canal ouvert, Ohm, pas plus, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs et leur rapport cyclique d'au moins 50, avec un courant de drain de 14 mA et une tension grille-source de 1,8 V pour KP504A- KP504V, KP504D , KP504E..... .15
KP504G......18
Courant de drain résiduel, μA, pas plus, à la tension drain-source maximale autorisée et à la tension grille-source nulle......1
Courant de fuite de grille, µA, pas plus, à tension drain-source nulle et tension grille-source ±20 V......±0,1
Pente de la caractéristique courant-tension, A/V, au minimum, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs et leur rapport cyclique d'au moins 50, avec une tension drain-source de 5 V et un courant de drain de 0,25 A ......0,14, XNUMX
Tension directe constante de la diode de protection, V, pas plus, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs et leur cycle de service d'au moins 50, avec une tension grille-source nulle et un courant traversant la diode 0,5 A pour
KP504A, KP504V-KP504D......1,3
KP504B, KP504E......1,8

Résistance thermique cristal-environnement, °С/W, max, pour

KP504A, KP504B......125
KP504V-KP504E......177
Capacité* du transistor, pF, pas plus, à tension grille-source nulle, tension drain-source 25 V et fréquence d'entrée 1 MHz......140
week-end ...... 30
point de contrôle ...... 9

* Paramètres de référence.

Valeurs limites

La tension drain-source la plus élevée, V, pour KP504A, KP504B, KP504D, KP504E ...... 240
KP504V......200
KP504G......250
Tension grille-source maximale, V ...... ± 10
Consommation maximale de courant continu*, mA, pour
KP504A, KP504B......250
KP504V, KP504D, KP504E......200
KP504G......180
Le courant pulsé le plus élevé * drain, A ...... 1
Puissance dissipée constante maximale**, W, à une température ambiante ne dépassant pas 25 °C, pour KP504A, KP504B......1
KP504V-KP504E......0,7
La température la plus élevée du cristal, ° С ...... 150
Plage de température de fonctionnement de l'environnement, °C......-55...+125

* À condition que la puissance de dissipation maximale et la température du cristal ne soient pas dépassées

** À des températures ambiantes Tam.av de +25 à +125 °C, la puissance maximale dissipée Pmax doit être réduite selon la formule Pmax = (Tcr max - Tam.av.)/RT.cr-avg, où Tcr max est la température cristalline la plus élevée ; RT.cr-sr - milieu cristallin à résistance thermique.

La valeur admissible du potentiel statique est de 30 V conformément à OST 11 073.062. Le mode de fonctionnement et les conditions d'installation des transistors dans l'équipement sont conformes à l'OST 11 336.907.0.

Les dépendances graphiques typiques les plus importantes des paramètres des transistors de la série KP504 sont présentées ci-dessous. En figue. 2, a et b montrent les caractéristiques de sortie à deux valeurs de température ambiante, et sur la Fig. 3 - dépendance du courant de drain sur la tension grille-source. En figue. La figure 4 montre la dépendance normalisée de la résistance du canal ouvert du dispositif à la température (RK est le rapport entre la résistance du canal actuel et la résistance à une température du cristal de +25 °C).
Riz. 5 illustre le changement de température dans la tension de seuil, et la Fig. 6 - dissipation de puissance constante maximale admissible. Une idée de la façon dont les valeurs de la capacité d'entrée, de sortie et de passage des transistors changent lorsque la tension drain-source change est donnée par le graphique de la Fig. 7. La dépendance de la pente de la caractéristique courant-tension et de la résistance du canal ouvert sur le courant de drain est représentée sur la Fig. 8 et 9 respectivement. Les capacités de puissance de la diode de protection intégrée sont indiquées sur la Fig. dix.

(cliquez pour agrandir)

Auteur : V.Kiselev, Minsk, Biélorussie

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