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ENCYCLOPÉDIE DE LA RADIOÉLECTRONIQUE ET DU GÉNIE ÉLECTRIQUE
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Transistors de la série KT6113. Donnée de référence

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Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / Les références

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Les transistors n-p-n de moyenne puissance au silicium KT6113A-KT6113E sont conçus pour fonctionner dans les étages d'entrée et intermédiaires des amplificateurs haute fréquence, dans les convertisseurs de fréquence et autres unités et blocs d'équipements électroniques pour une large gamme d'applications.

Les transistors sont fabriqués à l'aide de la technologie épitaxiale planaire. Ils sont conçus dans un boîtier plastique KT-26 (selon la classification européenne TO-92). Le dessin du boîtier est illustré à la fig. 1. Masse de l'appareil - pas plus de 0,3 g.

Transistors série KT6113

Analogues étrangers des transistors KT6113A, KT6113E - SS9018D, SS9018I, respectivement.

Principales caractéristiques électriques à Tacr moy = 25°C

  • Tension limite collecteur-émetteur, V, pas moins de, à un courant de collecteur de 10 mA, courant de base nul, durée d'impulsion pas plus de 300 μs et leur rapport cyclique 100 ou plus ...... 15
  • Courant de collecteur inverse, mA, pas plus, à une tension collecteur-base de 12 V et un courant d'émetteur nul......50
  • Courant d'émetteur inverse, μA, pas plus, à une tension base-émetteur de 5 V et un courant de collecteur nul ...... 10
  • Coefficient de transfert de courant statique de la base à une tension collecteur-base de 5 V et un courant d'émetteur de 1 mA pour KT6113A ...... 28 ... 45
  • KT6113B......39...60
  • KT6113V......54...80
  • KT6113G......72...108
  • KT611ZD......97...146
  • KT6113E......32...198
  • Tension de saturation collecteur-émetteur, V, pas plus, à un courant de collecteur de 10 mA et un courant de base de 1 mA......0,5
  • Fréquence limite du coefficient de transfert de courant, MHz, pas moins de, à une tension collecteur-émetteur de 5 V et un courant de collecteur de 5 mA......700
  • Capacité de jonction collecteur, pF, pas plus, à une tension collecteur-base de 10 V et un courant d'émetteur nul à une fréquence de 1 MHz ...... 1,7
  • Transition résistance thermique - environnement, °C / W, pas plus ...... 312,5

Valeurs limites

  • La tension collecteur-base la plus élevée, V ...... 30
  • La tension collecteur-émetteur la plus élevée, ...... 15
  • La tension émetteur-base la plus élevée, V ...... 5
  • Le courant de collecteur CC le plus élevé, mA ...... 50
  • Puissance dissipée constante du collecteur, mW.....400
  • Température de transition maximale, °С......150
  • Limites de température ambiante de fonctionnement, °С ..... -45...+85

Il n'est pas permis d'utiliser un transistor dans un mode où deux paramètres (ou plus) ont des valeurs maximales autorisées. Dans le même temps, il n'est pas recommandé de faire fonctionner les transistors à un courant de fonctionnement correspondant à un courant inverse incontrôlé dans toute la plage de température.

Pour l'installation d'appareils, une flexion unique des fils est autorisée à moins de 2 mm du corps avec un rayon de courbure d'au moins 1,5 mm; dans ce cas, il est nécessaire de prendre des mesures qui excluent le transfert de force au corps. La distance entre le boîtier et le lieu de soudage ou d'étamage ne doit pas être inférieure à 3 mm. S'il est nécessaire de connecter l'appareil à un circuit électrique sous tension, la borne de base doit être connectée en premier et déconnectée en dernier.

Les dépendances graphiques des paramètres des transistors de la série KT6113 sont illustrées à la fig. 2b. Les caractéristiques courant-tension de sortie de l'appareil connecté selon le circuit d'émetteur commun sont illustrées à la fig. 2.

Transistors série KT6113

Les dépendances typiques du courant de collecteur du coefficient de transfert de courant statique et de la fréquence de coupure du coefficient statique sont illustrées à la fig. 3 et 4, tandis que les tensions de saturation collecteur-émetteur et base-émetteur sont représentées sur les Fig. 5. Une dépendance typique de la capacité de jonction du collecteur sur la tension continue collecteur-base est illustrée à la fig. 6.

Transistors série KT6113

Auteur : V.Kisilev, Minsk, Biélorussie

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Les batteries sodium-ion ne sont pas utilisées aussi souvent dans les appareils mobiles, car les batteries lithium-ion traditionnelles offrent 2 fois la densité d'énergie - 285 kWh / kg.

La batterie sodium-ion (Na-ion) est un type de batterie électrique qui a des caractéristiques énergétiques presque identiques à une batterie lithium-ion, mais le coût des matériaux utilisés est beaucoup plus faible. Le grand avantage des batteries sodium-ion est qu'elles peuvent être déchargées à zéro en toute sécurité, ce qui les rend plus sûres à transporter et à stocker.

Les spécialistes ont découvert qu'avec un nouveau type d'électrode en graphène, une batterie sodium-ion est capable de démontrer des performances similaires : ce matériau est capable de contenir le même nombre d'ions sodium.

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Pour surmonter ce problème, les scientifiques ont créé un nouveau matériau composé de couches alternées de graphène et de benzène. La couche de benzène augmente la distance entre les couches de graphène, permettant aux ions sodium de se déplacer librement. De plus, le benzène peut former une liaison forte avec les ions sodium.

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