Transistors unijonction de la série KT133. Donnée de référence

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Transistors unijonction de la série KT133. Donnée de référence

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Les transistors unijonction au silicium avec base n KT133A et KT133B sont conçus pour fonctionner dans des unités de temporisation, des convertisseurs de tension, des générateurs d'oscillations électriques, des dispositifs de commande à thyristors et autres lorsqu'un élément avec des caractéristiques de relais est requis.

Les appareils sont fabriqués selon la technologie épitaxiale-planaire. Ils sont délivrés dans un boîtier en plastique KT-26 (Fig. 1), la masse de l'appareil ne dépasse pas 0,3 s. Analogues étrangers des transistors KT133A, KT133B - 2N4870, 2N4871, respectivement.

Transistors unijonction de la série KT133

Principales caractéristiques électriques à Tacr moy = 25°C

Courant de fuite de la jonction de l'émetteur, μA, pas plus, à tension inverse émetteur-base2 30 V et courant nul base1......1
Courant de vallée, mA, pas inférieur à, à une tension base1-base2 de 20 V, résistance dans le circuit émetteur de 100 Ohm, durée d'impulsion de 6 µs ou moins avec un rapport cyclique de 50 pour
KT133A......2
KT133B......4
Coefficient de transfert à tension base1-base2 10 V pour KT133A ...... 0,56 ... 0,75
KT133B......0,75...0,85
La fréquence générée la plus élevée, Hz ...... 220
Courant d'activation*, µA, pas plus, à une tension base1-base2 25 V......5
Courant de modulation*, mA, à une tension base1-base2 10 V et un courant d'émetteur 50 mA......15...65
Tension résiduelle*, V, à une tension base1-base2 3 V et un courant d'émetteur 50 mA......0,7...2,5
Résistance interbase*, kOhm, à une tension base1-base2 3 V et un courant d'émetteur nul .....4...9,1
Coefficient de température de la résistance interbase*, %/°С, pas plus, à une tension base1-base2 3 V, courant d'émetteur nul et température ambiante entre -60...+125°С .0,1...0,9
Tension d'impulsion de la base 1*, V, pas plus, avec une résistance des résistances dans les circuits baey1 20 Ohm, base2 - 100 Ohm, émetteur - 10 kOhm, capacité du condensateur dans le circuit émetteur 0,2 μF et tension base1-base2 20 V pour KT133A .. ....3
KT133B...........5
Transition de résistance thermique-environnement, °С/W, pas plus......333

* Paramètres de référence.

Valeurs limites

La tension la plus élevée base1-base2 (tension interbase), V ...... 35
Tension inverse maximale émetteur-base2, V......30
Le courant continu le plus élevé de l'émetteur d'un transistor ouvert, mA ...... 50
Le courant d'émetteur pulsé le plus élevé, A. avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 10 μs et un rapport cyclique d'au moins 100 ...... 1,5
La dissipation de puissance constante la plus élevée, mW......300
La température de transition la plus élevée, ° С ...... 135
Limites de température ambiante de fonctionnement, °С..... -60...+125

La caractéristique courant-tension d'entrée d'un transistor unijonction est représentée sur la fig. 2. Le courant d'activation Ion de l'appareil est généralement appelé la valeur du courant d'émetteur à laquelle se produit la transition de l'état fermé à l'état ouvert. Le courant de vallée Id est la valeur du courant d'émetteur correspondant au point CVC avec la tension minimale et la résistance différentielle nulle.

Le courant de fuite de la jonction émetteur Iebo est le courant traversant la jonction émetteur, polarisé en inverse par rapport à la base2. Résistance interbase RB1B2 - résistance entre les bases du transistor à une tension interbase donnée. Le coefficient de transfert r] est le rapport entre la tension d'émetteur maximale possible moins la chute de tension à la jonction pn et la tension interbase appliquée.

Tension résiduelle UBEnas - tension continue sur l'émetteur à un courant d'émetteur et une tension interbase donnés. La tension interbase maximale autorisée UB1B2max est la valeur de tension maximale de toute forme et fréquence entre les bases, à laquelle la fiabilité spécifiée est assurée.

La tension inverse maximale autorisée de l'émetteur-base2 UEB2 est la valeur maximale de la tension inverse de la jonction de l'émetteur par rapport à la base2. Courant de modulation Imod - le courant minimum dans le circuit base2 pour une tension interbase et un courant d'émetteur donnés.

Étant donné que les transistors de la série KT133 sont produits dans le même boîtier que la série KT6113 (voir ci-dessus), leurs caractéristiques de montage sont les mêmes.

Transistors unijonction de la série KT133

Les principales dépendances graphiques typiques des paramètres des transistors KT133A, KT133B sur la température ambiante sont représentées sur la fig. 3-5

Auteur : V.Kiselev, Minsk, Biélorussie

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