Transistors à effet de champ de la série KP727. Donnée de référence

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Transistors à effet de champ de la série KP727. Donnée de référence

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Les puissants transistors à effet de champ en silicium KP727A et KP727B avec une grille isolée, un canal N enrichi et une diode de protection intégrée à connexion inverse sont fabriqués à l'aide de la technologie épitaxiale-planaire. Ils sont conçus pour fonctionner dans les alimentations secondaires, dans les régulateurs, les stabilisateurs et les convertisseurs de tension et de courant à commande continue et par impulsions, dans les unités d'entraînement de moteurs électriques et dans d'autres équipements largement utilisés.

Les transistors sont logés dans un boîtier en plastique KT-28 (TO-220) avec des fils étamés rigides estampés et une bride métallique dissipant la chaleur avec un trou de montage (Fig. 1). Le poids de l'appareil ne dépasse pas 2,5 g. Analogues étrangers de transistors : KP727A - BUZ71, KP727B - IRFZ34.

Transistors à effet de champ de la série KP727

Principales caractéristiques à Tacr.av = 25°C

Tension grille-source de seuil, V, à un courant de drain de 0,25 mA et les mêmes valeurs de tension grille-source et drain-source pour KP727A......2,1...4
KP727B......2...4
Courant de drain d'impulsion, A, pas moins, avec une durée d'impulsion inférieure à 300 μs et un rapport cyclique supérieur à 50, avec une tension grille-source de 10 V pour KP727A (tension drain-source 2V)..... ..14
KP727B(1,8V)......30
Résistance drain-source d'un transistor ouvert, Ohm, pas plus, avec une durée d'impulsion inférieure à 300 μs et un rapport cyclique supérieur à 50, avec une tension grille-source de 10 V pour KP727A (courant de drain 9 A). ......0,1
KP727B(18A)......0,05
Courant de drain résiduel, µA, pas plus, à une tension drain-source maximale et à une tension grille-source nulle......25
Courant de fuite de grille, µA, pas plus, à une tension grille-source +20 V et une tension drain-source nulle......±0,1
Pente caractéristique, A/V, rien de moins, avec une durée d'impulsion inférieure à 300 μs et un rapport cyclique supérieur à 50, avec une tension drain-source de 25 V pour KP727A (courant de drain 9 A)..... .4
KP727B(18A)......9,3
Tension directe constante sur la diode de protection ouverte, V, pas plus, avec une durée d'impulsion inférieure à 300 μs et un rapport cyclique supérieur à 50, avec une tension grille-source nulle pour KP727A (courant traversant la diode 28 A). .....1,8
KP727B(30A)......1,6
Résistance thermique du boîtier de jonction, °C/W maximum, pour KP727A......3,1
KP727B ...... 1,7
Transition résistance thermique - environnement, °C / W, pas plus ...... 62
Temps d'activation*, μs, pas plus, pour une tension drain-source de 30 V, un courant de drain de 30 A et une résistance de sortie de la source du signal de mesure de 9,1 Ohm.....0,14
Temps de coupure*, μs, pas plus, pour une tension drain-source de 30 V, un courant de drain de 30 A et une résistance de sortie de la source du signal de mesure de 9,1 Ohm......0,12
Capacité d'entrée*, pF, pas plus, à une tension grille-source nulle et une tension drain-source 25 V à une fréquence de 1 MHz......1600
Capacité de sortie*, pF, pas plus, à une tension grille-source nulle et une tension drain-source 25 V à une fréquence de 1 MHz......800
Capacité de passage*, pF, pas plus, à une tension grille-source nulle et une tension drain-source 25 V à une fréquence de 1 MHz .....195

* Paramètres de référence.

Limites de fonctionnement

La tension drain-source la plus élevée, V, pour KP727A......50
KP727B ...... 60
Tension grille-source maximale, V ...... ± 20
Courant de drain constant le plus élevé, A, à une température de boîtier de 25°C pour le KP727A......14
KP727B ...... 30
Courant de drain pulsé le plus élevé, A, à une température de boîtier de 25°C pour le KP727A......56
KP727B ...... 120
Dissipation de puissance constante maximale, W, à une température de boîtier de 25°C pour KP727A......40
KP727B ...... 88
La valeur la plus élevée du potentiel statique, V.....200**
Plage de température de fonctionnement, °С......-55...+150

** Degré de rigidité III selon OST 11073.062.

Il est interdit de faire fonctionner des transistors à deux valeurs de paramètres limites ou plus. Pour augmenter la fiabilité du fonctionnement de l'instrument, les valeurs des paramètres ne doivent pas dépasser 70 % des valeurs maximales autorisées.

La courbure unique des fils n'est pas autorisée à moins de 5 mm du corps avec un rayon de courbure d'au moins 1,5 mm, et la ligne de courbure doit se situer dans le plan des fils. Lors de la flexion, il est nécessaire de prendre des mesures pour empêcher le transfert de force au corps. Vous ne pouvez pas tordre les fils.

La distance entre le corps et le lieu de soudure et d'étamage ne doit pas être inférieure à 5 mm. Température de soudage - pas plus de 265°C, temps de soudage - pas plus de 4 s, temps d'étamage - 2 s.

Pour réduire la résistance thermique du corps-dissipateur thermique du transistor, il est recommandé d'utiliser des pâtes spéciales, par exemple KPT-8 selon GOST 19783. Dans les cas où il doit y avoir un joint isolant sous le corps, sa résistance thermique doit être pris en compte.

En figue. 2a et b montrent les dépendances typiques du courant de drain des transistors sur la tension drain-source à température normale du boîtier, et sur la Fig. 3, a et b - à partir de la tension grille-source à deux températures de transition.

Transistors à effet de champ de la série KP727

En figue. La figure 4 montre la dépendance normalisée en température de la résistance drain-source d'un transistor ouvert (Rsi.t25 est le rapport de la valeur actuelle de la résistance drain-source à la valeur de cette résistance à une température de transition de 25°C), et sur la fig. 5 - dépendances typiques de la capacité d'entrée (C11i), de sortie (C22i) et de passage (C12i) des transistors sur la tension d'impulsion drain-source.

Transistors à effet de champ de la série KP727

Riz. Les figures 6a et b illustrent la dépendance de la tension aux bornes du canal du transistor sur le courant traversant ces bornes circulant dans le sens direct pour la diode de protection. La composante principale de cette tension est la chute de tension aux bornes de la diode de protection ouverte.

Transistors à effet de champ de la série KP727

Auteur : V.Kiselev

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