Transistors à effet de champ de la série KP723. Donnée de référence

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Transistors à effet de champ de la série KP723. Donnée de référence

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De puissants transistors à canal N à effet de champ en silicium KP723A-KP723G avec une grille isolée, un enrichissement de canal et une diode inverse de protection intégrée sont fabriqués à l'aide de la technologie épitaxiale planaire. Ils sont conçus pour fonctionner dans les alimentations secondaires, les régulateurs de puissance, les stabilisateurs et les convertisseurs de tension à commande continue et par impulsions, dans les alimentations sans coupure pour ordinateurs personnels, dans les dispositifs d'entraînement de moteurs électriques et autres unités et blocs d'équipements pour une large application.

Les appareils sont conçus dans un boîtier en plastique KT-28 (selon la classification étrangère - TO-220) avec des fils étamés estampés ; poids de l'appareil - pas plus de 2,5 g.

Analogues fonctionnels étrangers des transistors KP723A - IRFZ44, KP723B - IRFZ45, KP723V - IRFZ40, KP723G - IRLZ44.

Les transistors des séries KP723 et KP727 sont similaires en termes de conception de boîtier, de circuit électrique de connexions internes et de brochage.

Principales caractéristiques techniques à Tamb.av = 25 °C

Tension de seuil, V, à un courant de drain de 0,25 mA et grille et drain connectés pour KP723A - KP723V ...... 2...4
KP723G......1...2
Courant de drain, A, pas moins, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs et un cycle de service d'au moins 50 pour KP723A et KP723V à une tension drain-source de 1,75 V et une tension grille-source de 10 V, pour KP723B à une tension drain-source de 2,25 V et grille-source 10 V, pour KP723G à une tension drain-source de 1,75 V et grille-source 5 V ...... 50
Résistance de canal d'un transistor ouvert, Ohm, pas plus, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs, un rapport cyclique d'au moins 50 et un courant de drain de 31 A pour KP723A, KP723V (à une tension grille-source de 10 V)...... 0,028
KP723B(10V)......0,035
KP723G (5 V) ...... 0,028
Courant de drain résiduel, μA, pas plus, à la tension drain-source maximale autorisée et à la tension grille-source nulle ...... 250
Courant de fuite de grille, nA, pas plus, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs, un rapport cyclique d'au moins 50 et une tension drain-source nulle pour KP723A - KP723V à une tension grille-source de ±20 V, pour KP723G à une tension grille-source de ±10 V ......100
La pente de la caractéristique, A/V, pas moins, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs, un rapport cyclique d'au moins 50, une tension drain-source de 25 V, un courant de drain de 31 A pour KP723A- KP723V ...... 15
KP723G......23
Résistance thermique, °C/W, pas plus, transition - cas......1
transition - environnement ...... 62
Temps d'allumage, non, pas plus, à une tension drain-source de 30 V, un courant de drain de 51 A pour KP723A-KP723V (avec une résistance de sortie de la source de signal de 9,1 Ohm et une tension grille-source de 10 V)...... 130
KP723G (4,6 ohms, 5 V)......247
Temps de coupure, non, pas plus, à une tension drain-source de 30 V, un courant de drain de 51 A pour KP723A-KP723V (avec une impédance de sortie de la source de signal de 9,1 Ohm et une tension grille-source de 10 V)...... 150
KP723G (4,6 ohms, 5 V)......152
Capacité d'entrée*, pF, pas plus, à tension grille-source nulle, tension drain-source 25 V et fréquence 1 MHz pour KP723A-KP723V......2500
KP723G......4300
Capacité de sortie*, pF, pas plus, à tension grille-source nulle, tension drain-source 25 V et fréquence 1 MHz pour KP723A-KP723V......1200
KP723G......1600
Capacité*, pF, pas plus, à tension grille-source nulle, tension drain-source 25 V et fréquence 1 MHz ...... 290
Tension directe de la diode de protection, V, pas plus, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs, un rapport cyclique d'au moins 50, une tension grille-source et un courant de drain nuls ** 51 A......2,5

Valeurs limites

Tension drain-source maximale, V, pour KP723A, KP723B, KP723G ..... 60
KP723V......50
Tension grille-source maximale, V, pour KP723A-KP723V......±20
KP723G......±10
Le courant de drain direct le plus élevé, A, à une température de boîtier de 25 ° C ...... 50
Le courant de drain pulsé le plus élevé, A, à une température de boîtier de 25 ° C ...... 200
Dissipation de puissance continue la plus élevée, W, avec un dissipateur thermique, à une température de boîtier de 25°C......150
La température de transition la plus élevée, ° С ...... 175
Plage de température ambiante de fonctionnement, °С -60...+125

Valeur admissible du potentiel statique - 200 V (degré de rigidité III selon OSP 1073.062).

Le mode de fonctionnement et les conditions de montage des transistors dans l'équipement doivent être conformes à l'OSP 1336.907.0. Le fonctionnement avec deux ou plusieurs valeurs maximales autorisées de paramètres n'est pas autorisé. Pour améliorer la fiabilité et la durabilité, il est recommandé d'utiliser des transistors dans des modes où les valeurs des paramètres ne dépassent pas 70 % des valeurs limites.

Lors de l'installation, une flexion unique des fils avec un rayon de courbure d'au moins 1,5 mm est autorisée à une distance d'au moins 5 mm du corps, et uniquement dans un plan perpendiculaire au plan des fils et passant le long du courbé plomb. La torsion des fils n'est pas autorisée.

La distance entre le corps et le lieu d'étamage et de soudure ne doit pas être inférieure à 5 mm. Température de soudure : pas plus de 265°C. Le temps d'étamage ne doit pas dépasser 2 s et le temps de soudage - 4 s.

Pour améliorer le transfert de chaleur de la bride du transistor au dissipateur thermique, il est recommandé d'utiliser des lubrifiants et des pâtes thermoconducteurs, par exemple KPT-8 selon GOST 19783. S'il est nécessaire d'installer un joint isolant sous le transistor, son la résistance thermique doit être prise en compte.

Sur la fig. 1-8 montre les dépendances graphiques typiques des paramètres des transistors de la série KP723. Les familles de caractéristiques de sortie des appareils à deux valeurs de température du boîtier sont représentées sur la fig. 1 et 2, et sur la Fig. 3 et 4 - leurs caractéristiques de transfert.

Transistors à effet de champ de la série KP723

Les dépendances normalisées de la résistance du canal ouvert sur la température de jonction sont représentées sur les Fig. 5, et sur la fig. 6 - dépendances de la capacité d'entrée, de sortie et de débit sur la tension drain-source. Riz. Les figures 7, a et b illustrent la variation du courant traversant la sortie de drain du transistor à partir de la tension appliquée aux sorties des canaux en polarité, ce qui ouvre la diode de protection du dispositif.

Sur la fig. 8 montre les dépendances en température du courant de drain limite.

Auteur : V. Kiselev, Minsk, Biélorussie

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