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ENCYCLOPÉDIE DE LA RADIOÉLECTRONIQUE ET DU GÉNIE ÉLECTRIQUE
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Diodes Schottky de la série KDSh2964. Donnée de référence

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Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / Les références

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De puissantes diodes de redressement au silicium avec une barrière Schottky KDSh2964A, KDSh2964B sont fabriquées à l'aide de la technologie épitaxiale planaire. Ils sont conçus pour être utilisés dans les alimentations à découpage et autres équipements destinés à une large gamme d'applications. Les diodes sont emballées dans un boîtier en plastique KT-28-1 (TO-220AS) avec des fils étamés rigides estampés (Fig. 1). La masse de l'appareil ne dépasse pas 2,5 g. Le brochage des diodes est indiqué sur la même fig. 1.

Diodes Schottky de la série KDSh2964

Analogue étranger de KDSh2964A - 12TQ060, KDSh2964B-12TQ045.

Principaux paramètres électriques à Тkorp = 25 °С

  • Courant inverse constant de la diode, mA, pas plus que, pour KDSh2964A (avec une tension inverse de 60 V) ..... 0 8
  • KDSh2964B (45 V) ..... 1,75
  • Tension directe constante de la diode, V, pas plus, à un courant continu de 15 A, durée d'impulsion pas plus de 300 μs et cycle de service pas moins de 100 pour KDSh2964A ..... 0,62
  • KDSh2964B ..... 0,56
  • Tension directe constante de la diode, V, pas plus, à un courant continu de 30 A, durée d'impulsion pas plus de 300 μs et cycle de service pas moins de 100 pour KDSh2964A ..... 0,82
  • KDSh2964B ..... 0,71
  • Tension inverse de claquage de diode, V, pas plus, à courant inverse 10 mA pour KDSh2964A.....60
  • KDSh2964B ..... 45
  • Capacité totale de la diode, pF, pas plus de ..... 900
  • Résistance thermique boîtier de transition, °С/W, max.....2

Valeurs limites

  • La tension inverse constante la plus élevée de la diode, V, pour KDSh2964A ..... 60
  • KDSh2964B ..... 45
  • Le courant direct moyen le plus élevé de la diode, A, à une température du boîtier ne dépassant pas 120 ° C ..... 15
  • Le courant direct d'impulsion répétitive le plus élevé de la diode, A, avec un rapport cyclique d'au moins 2 et une température du boîtier ne dépassant pas 120 ° C..... 15
  • Le plus grand courant direct d'impulsion non répétitif de la diode, A, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 10 ms pour KDSh2964A ..... 220
  • KDSh2964B ..... 250
  • La température de transition la plus élevée, ° С ..... 150
  • Plage de fonctionnement de la température ambiante, °С.....-45...+125

Valeur admissible du potentiel statique - 200 V (degré de rigidité III selon OST 11 073.062).

Sur la fig. 2 montre les dépendances typiques du courant inverse constant des diodes sur la tension inverse constante à deux valeurs de la température du boîtier, et sur la fig. 3 - tension continue continue provenant du courant continu aux mêmes températures du boîtier.

Diodes Schottky de la série KDSh2964 Diodes Schottky de la série KDSh2964

Sur la fig. 4 montre une dépendance typique de la capacité totale de la diode sur la tension inverse constante à une fréquence de 1 MHz.

Diodes Schottky de la série KDSh2964

Auteur : V.Kiselev, Minsk

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