Transistors hyperfréquences puissants Philips Semiconductors. Donnée de référence

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Les transistors hyperfréquences sont utilisés dans de nombreux domaines de l'activité humaine : émetteurs de radiodiffusion télévisuelle et radio, répéteurs, radars civils et militaires, stations de base d'un système de communication cellulaire, avionique, etc.

Au cours des dernières années, il y a eu une tendance notable à la transition de la technologie bipolaire pour la production de transistors hyperfréquences vers les technologies VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) et LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors). La technologie LDMOS la plus avancée possède les meilleures caractéristiques telles que la linéarité, le gain, les performances thermiques, la tolérance aux décalages, le rendement élevé, la marge de dissipation de puissance, la fiabilité. Les transistors Philips ont une répétabilité exceptionnelle d'un lot à l'autre, et Philips en est fier. Lors du remplacement des transistors défectueux, vous n'avez pas à vous soucier du processus de configuration de l'équipement, car tous les paramètres des transistors sont absolument identiques. Aucun des concurrents de Philips ne peut s'en vanter.

Tous les nouveaux développements Philips sont basés sur la nouvelle technologie moderne LDMOS.

Transistors pour stations de base cellulaires

En plus des transistors conditionnés dans des boîtiers, Philips produit des modules intégrés.

Particularités des modules intégrés :

• Technologie LDMOS (soudure directement sur le radiateur, linéarité, gain plus élevé), o distorsion plus faible,
• moins d'échauffement du semi-conducteur grâce à l'utilisation d'une bride en cuivre, o compensation d'offset de température intégrée,
• entrées/sorties 50 ohms,
• amplification linéaire,
• prise en charge de nombreuses normes (EDGE, CDMA).

Solutions recommandées pour la norme GSM : à 800 MHz : BGF844 + BLF1049 à 900 MHz : BGF944 + BLF1049 à 1800 MHz : BGF1801-10 + BLF1820-10 à 1900 MHz : BGF1901-10 + BLF1820-10

Solutions recommandées pour la norme CDMA : à 800 MHz : BGF802-20 + BLF0810-180 à 1900 MHz : BGF1901-10 + BLF1820-90

Solutions recommandées pour la norme EDGE :

BGF0810-90

• puissance de sortie : 40W,
• gain : 16 dB,
• Efficacité : 37%,
• Atténuation de puissance du canal adjacent ACPR : -60 dB,
• Amplitude du vecteur d'erreur EVM : 2 %.

BLF1820-90

• puissance de sortie : 40W,
• gain : 12 dB,
• Efficacité : 32%,
• Atténuation de puissance du canal adjacent ACPR : -60 dB,
• Amplitude du vecteur d'erreur EVM : 2 %.

Transistors pour stations de diffusion

Au cours des 25 dernières années, Philips a maintenu son leadership dans ce domaine. L'utilisation des dernières avancées de la technologie LDMOS (BLF1xx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx, séries) vous permet de renforcer constamment votre position sur le marché. Un exemple est l'énorme succès du transistor BLF861 pour les émetteurs TV. Contrairement aux transistors concurrents, le BLF861 s'est avéré être un élément très fiable et très stable, protégé contre les pannes lorsque l'antenne est déconnectée. Aucun des concurrents ne pouvait se rapprocher des caractéristiques du BLF861 en termes de stabilité. On peut citer les principaux domaines d'application de tels transistors : émetteurs pour les fréquences de HF à 800 MHz, radios privées PMR (TETRA), émetteurs VHF à usage civil et militaire.

Tableau 5. Transistors radar en bandes L et S

 

Tableau 6. Transistors avioniques

Les principales caractéristiques du transistor BLF861A

• Transistor push-pull (amplificateur push-pull),
• puissance de sortie supérieure à 150W,
• gain supérieur à 13 dB,
• Efficacité supérieure à 50%,
• couvre la bande de 470 à 860 MHz (bandes IV et V),
• fiable, résistant à l'inadéquation,
• résistant à la déconnexion de l'antenne,
• est aujourd'hui la norme de l'industrie en matière d'émetteurs de télévision.

Nouveau modèle de transistor BLF647

• conçu sur la base de BLF861A,
• gain important de 16 dB à 600 MHz,
• puissance de sortie jusqu'à 150 W,
• couvre la bande de 1,5 à 800 MHz,
• fiable, résistant à l'inadéquation,
• résistant à la déconnexion de l'antenne,
• a une résistance intégrée qui vous permet de travailler aux fréquences HF et VHF,
• Transistor push-pull (amplificateur push-pull).

Transistor BLF872

• est développé comme un remplacement plus puissant pour le BLF861A,
• mise en production 1er trimestre 2004,
• puissance de sortie jusqu'à 250 W,
• le transistor le plus fiable en termes de résistance au désappariement,
• maintient la linéarité,
• maintient la fiabilité,
• déplacement actuel Idq inférieur à 10% depuis 20 ans,
• gagner plus de 14 dB,
• couvre la bande de 470 à 860 MHz.

Transistors pour radar et avionique

Les nouveaux transistors Philips pour le radar et l'avionique sont également fabriqués à l'aide de la technologie LDMOS de pointe. Les cristaux fabriqués à l'aide de la technologie LDMOS chauffent moins, sont plus fiables, ont une amplification plus élevée et ne nécessitent pas d'isolant entre le substrat et le dissipateur thermique. Par conséquent, moins de transistors sont nécessaires pour obtenir les mêmes performances, ce qui améliore encore la fiabilité et réduit le coût du produit.

Nouveaux développements:

BLA0912-250

• bande de 960 à 1250 MHz (toutes les fréquences avioniques majeures),
• gain élevé jusqu'à 13 dB,
• fiabilité, résistance au déphasage 5:1,
• linéarité,
• des échantillons seront disponibles à partir de juin 2003.

BLS2934-100

• bande de 2,9 à 3,4 GHz (toutes les fréquences avioniques majeures),
• utilisation d'un boîtier standard non pressurisé,
• des échantillons seront disponibles d'ici la fin de 2003.

Pour résumer, Philips évolue avec son temps et propose des transistors qui permettent de nouveaux appareils avec des fonctionnalités plus avancées : une taille plus petite, une puissance de sortie plus élevée, moins de composants de tuyauterie et un coût de produit final inférieur.

Auteur : Vladimir Zakharov, zww@gamma.spb.ru ; Publication : cxem.net

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