Amplificateur haute fréquence stable. Schéma, description

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Amplificateur haute fréquence stable. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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Le schéma de circuit UHF qui est illustré à la Fig. 1 se distingue par un gain important et stable Ku (plusieurs milliers) et une faible consommation et une stabilité élevée des caractéristiques [1].

Pour le courant continu, le transistor VT1 est activé par une diode (la base et le collecteur sont fermés à travers l'inductance L1). L'ensemble du circuit CC est un générateur de courant Wilson amélioré avec une rétroaction de courant profonde. Par conséquent, les modes de fonctionnement de tous les transistors sont stables et ne dépendent pas de la température et de la tension d'alimentation (si elle est supérieure à 2 V).Les courants de collecteur VT2 et VT3 sont les mêmes et sont définis par la résistance R1, dont la valeur est déterminé par la formule : R1 \u2d (Upit-0.7Ube) / Ik, où Ube= 2 V pour les transistors au silicium ; Ik - le courant de collecteur souhaité VT3, VTXNUMX.

En termes de courant alternatif, le circuit est un amplificateur OE-OE-OE, qui a le coefficient le plus élevé par rapport aux autres circuits de commutation à transistors dans les amplificateurs à trois transistors.

Le premier étage d'amplification est réalisé sur le transistor VT1, et L1 fournit une polarisation. Une caractéristique du fonctionnement de VT1 est que la tension collecteur-base de ce transistor est égale à zéro. Cependant, cela n'affecte pas ses propriétés d'amplification, puisque la tension collecteur-émetteur Uke = 0.7 V, qui pour les transistors au silicium de faible puissance est bien supérieure à la tension de saturation, qui est de 0.1-0.2 V.

Amplificateur haute fréquence stable

C1, C2 = 0.033 uF, L1, L2 = 40 uH, R1 = 5.1 kOhm

Avec une tension Uke aussi basse, le mode actif VT1 n'est maintenu que tant que l'amplitude de la tension alternative sur son collecteur ne dépasse pas 200 mV. Cependant, dans cet amplificateur, il ne peut pas être supérieur en raison du gain élevé des étages suivants sur VT2, VT3.

Le deuxième étage d'amplification sur VT2 est également réalisé selon le schéma OE, le signal amplifié est attribué à R1. Du collecteur VT2, le signal va à la base VT3, dont l'émetteur est mis à la terre à haute fréquence via le condensateur de blocage C2. Le signal de sortie amplifié de VT3 est affecté à la charge Z1. qui peut être utilisé comme un circuit oscillant parallèle (avec un amplificateur résonnant) ou une résistance (avec un large bande).

L'amplificateur a un gain élevé et stable, n'est pas critique pour l'installation et la disposition des éléments. Avec les cotes indiquées à la Fig. 1, VT1-VT3 KT368AM, Upit \u12d 1V et une résistance de 0k1m comme Z0.1, l'amplificateur a une bande de fréquence de 20-3000 MHz et Ku \u1.5d 12. S'il est nécessaire d'ajuster Ku sur une large plage (par exemple, pour AGC), la tension de commande de +1 ... XNUMX V peut être appliquée à la borne supérieure RXNUMX en la déconnectant du plus de la source d'alimentation.

Amplificateur haute fréquence stable

Un exemple d'utilisation de l'UHF considérée dans un récepteur à amplification directe dans la gamme MW est illustré à la Fig.2. L'antenne magnétique WA1 est réalisée sur une tige 400NN 0 8 mm L1 contient 90 spires de fil PELSHO 0.1, et L2 - 3 spires du même fil selfs incluses résistances R2, R2. De l'entrée UHF Ku=3 à Upit=6000 V. Le détecteur est réalisé sur des diodes VD6-VD1, qui doivent être au germanium. Le récepteur reste opérationnel lorsque la tension chute à 3 V.

littérature

1. G. Utochkine. I. Goncharenko. Amplificateur haute fréquence. Application de l'URSS n ° 4649488 / 09, décision du VNIIGPE sur la délivrance d'un certificat de droit d'auteur du 23.11.89/XNUMX/XNUMX

Auteurs : G. Utochkin, Riazan, I. Goncharenko (RC2AV), Minsk ; Publication : N. Bolchakov, rf.atnn.ru

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Sergei
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