Préfixe pour l'enregistrement des conversations téléphoniques 2. Schéma, description

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Pièce jointe pour l'enregistrement des conversations téléphoniques. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / Téléphonie

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Parfois, il devient nécessaire d'enregistrer une conversation téléphonique sur bande magnétique, sans être distrait pour allumer le magnétophone. Le problème sera résolu si vous connectez le magnétophone au téléphone via le préfixe automatique proposé.

Le dispositif décrit allume automatiquement le magnétophone pour enregistrer la conversation et l'éteint lorsque le combiné est raccroché. Lors de l'utilisation de la machine à préfixes, le magnétophone doit être constamment allumé pour l'enregistrement. L'activation et la désactivation se produisent en commutant le circuit d'alimentation. Le schéma de l'appareil est illustré à la Fig.1.

(cliquez pour agrandir)

La tension de la ligne téléphonique est appliquée au diviseur à travers les résistances R1 et R2. Lorsque le tube est sur le levier, la tension dans la ligne est d'environ 60 V, la sortie de l'élément DD1.1 est basse, le condensateur C1 est déchargé, la sortie de DD1.3 est également basse, le transistor VT1 est fermé , le relais K1 est désexcité, l'alimentation du magnétophone est coupée.

Lorsque le tube est retiré, la tension dans la ligne chute à 5 ... 12 V, la sortie DD1.1 est haute, le condensateur C1 commence à se charger à travers la résistance R3. Lorsque le niveau de seuil est atteint aux bornes du condensateur, l'état des éléments DD1.2 et DD1.3 passe à l'opposé, de sorte qu'un niveau haut apparaît en sortie de DD1.3. Le transistor VT1 s'ouvre, le relais K1 est activé. Grâce aux contacts de fermeture du relais, l'alimentation est fournie au magnétophone. La tension de fréquence audio de la ligne est fournie via le circuit C3, C4, VD4, VD5, C5 à l'entrée de ligne du magnétophone.

En fin de conversation, dès que le combiné est posé sur le levier, la tension dans la ligne va monter à 60 V. Un niveau bas apparaît en sortie de l'élément DD1.1. Le condensateur C1 commence à se décharger à travers la résistance R3 et l'élément DD1.1. Dès que la tension aux bornes du condensateur atteint le niveau de seuil, les éléments DD1.2 et DD1.3 vont changer d'état. Le transistor VT1 se ferme, les contacts de relais K1 s'ouvrent et coupent l'alimentation du magnétophone.

Etant donné que la constante de temps du circuit R3C1 est bien supérieure à la période de répétition d'une série d'impulsions de "numérotation", lorsque le combiné est décroché et que le numéro est composé, le magnétophone reste hors tension. Cependant, si vous décrochez le téléphone et ne composez pas le numéro pendant un certain temps, le condensateur C1 aura le temps de se charger et le magnétophone s'allumera.

L'envoi d'un signal d'appel (80 ... 120 V, 25 Hz) ne modifie pas non plus l'état des éléments DD1.2 et DD1.3. La diode VD2 limite la tension à l'entrée de l'élément DD1.1. La résistance des condensateurs C3 et C4 à 25 Hz est élevée, ils ne contournent donc pas le signal de sonnerie. Les diodes VD4 et VD5 limitent la tension à l'entrée du magnétophone au niveau de 0,6 ... 0,7 V.

Le microcircuit K561LA7 est interchangeable avec le K561LE5, ainsi qu'avec les séries similaires K176 et 564. L'ensemble de diodes KTS407A (VD1) peut être remplacé par KTS402B, KTS405B ou quatre diodes avec une tension inverse admissible supérieure à 200 V. Le transistor VT1 est une structure npn avec une puissance de dissipation de collecteur admissible d'au moins 150 mW. Relais K1 - pour une tension de réponse de 5 ... 7 V, par exemple RES10 (passeport RS4.524.302 ou 031-04-02), RES15 (passeport RS4.591.003).

Les détails de l'appareil sont montés sur une carte de circuit imprimé en fibre de verre. Son dessin est représenté sur la Fig. 2.

La mise en place de l'appareil est réduite à la sélection des résistances R1 et R2 pour assurer un fonctionnement clair de l'élément DD1.1 lors de la montée et de la descente du tube. Mais la résistance de la résistance R1 ne doit pas être inférieure à 330 kOhm. Le temps de retard du fonctionnement du relais peut, si nécessaire, être modifié en sélectionnant la résistance R3.

Auteur : A.Kurguzov, Moscou ; Publication : N. Bolchakov, rf.atnn.ru

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