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Transformateur exponentiel adapté pour récepteurs satellites. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / TV

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La résistance d'entrée des transistors bipolaires micro-ondes est de quelques ohms et comporte une composante inductive. Par conséquent, lorsqu'un câble coaxial avec une impédance caractéristique de 75 Ohms est directement connecté, une onde stationnaire y apparaît.

Si vous disposez de 10 à 20 cm de câble coaxial plaqué argent avec isolation en plastique fluoré, il est facile d'en faire un transformateur exponentiel. L'isolation d'un tel câble est constituée de rubans fluoroplastiques enroulés sur le fil central. Il faut retirer la tresse du câble et dérouler les rubans fluoroplastiques (sauf le dernier). Ce diamètre d'isolation sera à l'extrémité de sortie du transformateur. A l'aide d'un couteau, coupez les rubans avec une cale qui converge. Enroulez les rubans en essayant d'obtenir un changement exponentiel du diamètre de la section isolante sur toute la longueur. Tous les rubans ne seront pas nécessaires ! Étirez la tresse et appuyez-la fermement contre l'isolant. Lubrifiez la tresse avec le flux LTI-120 et la soudure. La soudure coule superbement sur l'argent. Le segment semi-rigide obtenu peut être plié et même enroulé en anneau. Des mesures ultérieures de plusieurs échantillons de transformateur ont montré que la précision de l'exponentielle et de la longueur du câble n'est pas critique. Il suffit d'obtenir une diminution monotone de la section efficace. Nous soudons le transformateur obtenu entre le connecteur d'entrée et le HF. bloc récepteur.

Transformateur exponentiel adapté pour les récepteurs satellites

Pour différentes options de h.p. maison. blocs, une augmentation de gain de 4 à 6 dB a été obtenue ! Le BEF dans le chargeur s'est considérablement amélioré et je pense que le bruit de l'étage d'entrée a diminué grâce à une meilleure adaptation d'entrée sur toute la plage de fréquences. Je pense que ce moyen utile d'obtenir un gain micro-ondes supplémentaire est applicable à de nombreux appareils à large bande.

Auteur : E. Shustikov, UO5OHX ex RO5OWG ; Publication : shustikov.by.ru

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Ce matériau possède d'excellentes propriétés de transport d'électrons. Les transistors InGaAs peuvent traiter les signaux rapidement et fonctionner à une tension relativement basse, ce qui peut vraiment améliorer les performances des ordinateurs. Mais il y a un hic, écrit MIT News. A petite échelle, le fameux transport électronique de ce composé est dégradé. Ce problème a conduit certains chercheurs à déclarer InGaAs un matériau inadapté à la production de transistors.

Cependant, les scientifiques du MIT ont découvert que les problèmes de performances de l'arséniure d'indium et de gallium sont dus en partie au piégeage des oxydes, ce qui rend plus difficile le passage des électrons à travers les transistors.

Après avoir étudié leur dépendance en fréquence - la vitesse à laquelle les impulsions électriques traversent un transistor - ils ont remarqué que les performances de l'InGaAs chutent aux basses fréquences. Mais à une fréquence de 1 GHz et plus, la connexion fonctionne parfaitement - pas pire que le silicium.

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