Bibliothèque technique gratuite ENCYCLOPÉDIE DE LA RADIOÉLECTRONIQUE ET DU GÉNIE ÉLECTRIQUE Amplificateur de puissance à transistor complémentaire à symétrie de bras complet pour les deux demi-ondes du signal amplifié et avec un double étage différentiel à l'entrée. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / Amplificateurs de puissance à transistors Il a les caractéristiques principales suivantes : Puissance de sortie nominale ...... 60 W L'amplificateur est entièrement réalisé sur des transistors complémentaires. Il fonctionne en mode AB. Les solutions de circuit appliquées ont permis de réduire au minimum les distorsions non linéaires. La principale caractéristique de l'amplificateur est la symétrie des bras pour les deux demi-ondes du signal amplifié. Cela a permis de réduire la distorsion non linéaire de l'amplificateur sans introduire d'OOS. Une autre caractéristique de la se trouve dans le circuit de l'étage de sortie, ce qui permet d'amplifier le signal non seulement en courant, mais également en tension. Dans le même temps, le mode de fonctionnement des transistors de l'étage préliminaire est facilité, car l'amplitude de signal requise est nettement inférieure à celle d'un étage de sortie classique. Le schéma de principe de l'amplificateur est illustré à la Fig.1. Il contient un étage différentiel sur transistors complémentaires (VT1, VT4, VT2, VT5), un étage d'amplification du signal de tension [VT7, VT8), un étage de sortie (VT10 - VT13, VT15, VT16) et un dispositif de protection contre les surintensités (VT14, VT17 ). L'étage d'entrée différentiel sur transistors complémentaires présente un avantage supplémentaire par rapport à l'étage habituel : si les courants de base des transistors VT1 et VT2 (VT4 et VT5) sont égaux, le courant peut ne pas circuler du tout à travers les résistances R2 et R3 et à travers la résistance R30. Cela permet, sans violer l'équilibrage de la cascade, de modifier la résistance de ces résistances dans une plage assez large. Pour augmenter le coefficient de transfert de tension et améliorer la linéarité à haute stabilité thermique, des sources de courant sur les transistors VT3 et VT6 sont incluses dans les circuits d'émetteur des transistors de l'étage différentiel. L'étage d'amplification de tension est réalisé sur une paire complémentaire de transistors VT7 et VT8 fonctionnant en mode A. Les bras de l'étage de sortie contiennent trois transistors VT10, VT12, VT15 (VT11, VT13, VT16) couverts par OOS local via les résistances R25 et R29 (et R26 et R31, respectivement). Dans ce cas, le gain en tension de chaque trio de transistors approche trois. La rétroaction locale réduit également l'étalement des gains des bras de l'étage de sortie, ce qui réduit l'exigence de paramètres identiques de transistors complémentaires. Une autre caractéristique de l'étage de sortie est la suivante. La tension de l'OOS local, couvrant le triple des transistors, est retirée des résistances R34 et R35, dont la tension est proportionnelle à toute variation du courant des transistors de sortie (y compris en fonction de la température). Cela stabilise en outre le courant de repos des transistors de sortie. La tension de polarisation des transistors VT10 et VT11 dépend de la chute de tension dans la section émetteur-collecteur du transistor VT9, fixée par le diviseur sur les éléments VD4, R20 - R22. OOS paramétrique à travers la diode VD4, située sur un dissipateur thermique commun avec les transistors de sortie, assure la stabilisation de la température du courant de repos des transistors VT15, VT16. Avec l'augmentation de la température, la chute de tension aux bornes de la diode VD4 diminue également, tandis que la tension émetteur-collecteur VT9 diminue également. Tout cela vous permet de maintenir le courant de repos des sorties transistor à un niveau constant à différents niveaux de puissance et fluctuations de la température ambiante. L'ensemble de l'amplificateur est recouvert d'un OOS commun, dont la tension est fournie depuis la sortie de l'amplificateur via le diviseur R30, RI5, C3 aux bases des transistors VT4, VT5. Les éléments C1, C5, C6, C7, C8, C9, R44, L1 sont conçus pour corriger la réponse en fréquence aux hautes fréquences. Ils assurent également la stabilité de l'amplificateur lorsqu'il couvre son OOS global et avec d'éventuels changements de charge. Les transistors VT14, VT17 shuntent la jonction d'émetteur des transistors de sortie en cas de surcharge. L'amplificateur est alimenté par une source bipolaire non stabilisée ± 40 V. La diode VD4 est placée sur le radiateur à côté des transistors VT15 ou VT16. L'amplificateur utilise des résistances MLT, SPZ-1K (R22), des condensateurs K50-6, KM. La bobine LI est enroulée sur une résistance R45 (MLT-2) et contient 10 tours de fil PEV-2 0,8. Pour alimenter l'amplificateur, il faut une source bipolaire fournissant un courant d'au moins 40 A sous une tension de ± 2 V. Le réglage de l'amplificateur, assemblé à partir d'éléments réparables, consiste à vérifier la bonne installation et à régler le courant initial des collecteurs VT15 et VT16 (50 ... 70 mA) avec la résistance R22. Les caractéristiques amplitude-fréquence et phase-fréquence d'un amplificateur fonctionnant normalement sont illustrées à la Fig. 2.
littérature
Publication : N. Bolchakov, rf.atnn.ru Voir d'autres articles section Amplificateurs de puissance à transistors. Lire et écrire utile commentaires sur cet article. Dernières nouvelles de la science et de la technologie, nouvelle électronique : Cuir artificiel pour émulation tactile
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