Le corps est en fibre de verre de 2 mm d'épaisseur, auquel un radiateur est fixé sur tout le périmètre. Un trou est fait dans le fond du boîtier exactement de la taille du boîtier du transistor, qui repose sur le radiateur, et le fond est si épais que les fils d'émetteur du transistor reposent sur la feuille du boîtier et sont pressés contre lui avec des plaques de laiton et vis M3. Pour que la base et le collecteur ne touchent pas la "masse", sous eux, près du boîtier du transistor, la feuille est retirée de 3 mm et les fils sont légèrement pliés vers le haut. C2 et C3 sont montés verticalement sur des crémaillères G en laiton, qui sont la mise à la terre des rotors, C1 et C4 - sur des crémaillères en forme de U en textolite.
Conception d'amplificateur
Les détails:
C1, C2, C3, C4 - 1KPM 1 (3 ... 27pf).
L1 - 3 tours avec fil de 0,8 mm, diamètre d'enroulement 6 mm.
L2 - 8 tours avec fil 0,8 mm, diamètre d'enroulement 5 mm, l=18mm.
L3 - 4 tours avec un pneu 2x0,7 mm, diamètre d'enroulement 8 mm, l = 16 mm.
L4 - 4 tours avec fil de 0,8 mm, diamètre d'enroulement 15 mm (résistance R2 à l'intérieur de la bobine).
Transistor KT930A (30V, 2,4A), KT931A (30V, 3A).
Lors de l'utilisation du transistor KT931A, 2 tours sont court-circuités à L2, trois condensateurs sont ajoutés au circuit, représentés en pointillés. En sélectionnant ces capacités et L2, la RA est négociée.
Auteur : Yu.Grebnev (RA9AA) ; Publication : N. Bolchakov, rf.atnn.ru
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L'avantage d'utiliser des transistors SiC par rapport aux solutions Si est un rendement plus élevé, ce qui est particulièrement important pour les systèmes de conversion de puissance. Par rapport aux IGBT et MOSFET à base de Si, les MOSFET SiC présentent plusieurs avantages : les niveaux de charge et de capacité de grille les plus bas parmi les commutateurs 1200 V, aucune perte de récupération de diode interne, une faible perte de commutation indépendante de la température et une caractéristique sans seuil.
Les MOSFET CoolSiC sont parfaits pour les topologies commutées dures et résonnantes telles que les circuits de correction du facteur de puissance (PFC), les topologies bidirectionnelles, les convertisseurs CC/CC ou les onduleurs CC/CA.
Caractéristiques:
Faibles pertes de commutation ;
Caractéristique sans seuil ;
Large plage de tension grille-source ;
Tension de seuil de grille VGS(th) = 4,5 V ;
Vitesse de balayage de tension contrôlée (dV/dT) ;
Diode conductrice de courant robuste pour une commutation dure ;
Les pertes de commutation sont indépendantes de la température ;
Maintien de l'opérabilité en cas de court-circuit pendant 3 μs à une tension de grille de 15 V.
Disponible à la commande en colis TO247-4. Ce boîtier dispose d'une broche de signal source supplémentaire pour optimiser le processus de commutation.
Application:
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