Commutateur HF actif. Schéma, description

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Commutateur HF actif. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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Dans les équipements sportifs HF, les commutateurs haute fréquence (utilisant généralement un circuit atténuateur en forme de T) fabriqués sans diodes sont largement utilisés. A l'état fermé, ils assurent un bon découplage entre étages, mais introduisent des pertes relativement importantes à l'état ouvert, notamment lorsqu'ils fonctionnent avec une charge à faible impédance.

La figure montre une version d'un commutateur haute fréquence assemblé à l'aide de transistors. Il est également réalisé selon le circuit atténuateur en forme de T, mais par rapport au prototype sur diodes, il introduit moins de pertes à l'état passant. De plus, il fonctionne efficacement comme un étage tampon, puisque les transistors VT1 et VT3, à travers lesquels passe le signal RF, sont connectés dans un circuit collecteur commun.

Commutateur HF actif

Si une tension de commande de +2 V est appliquée au circuit de base du transistor VT12, il entrera en saturation et les transistors VT1, VT3 se fermeront de manière fiable, car leurs jonctions d'émetteur recevront des tensions de polarité de fermeture déterminées par les diviseurs résistifs R1R2 et R6R7, respectivement. . De plus, le transistor saturé VT2 shunte efficacement le circuit de signal.

Pour obtenir une bonne isolation, les transistors VT1 et VT3 doivent avoir une faible capacité de jonction d'émetteur, et le transistor VT2 doit également avoir une faible résistance à la saturation. Lors de l'utilisation des transistors indiqués dans le schéma (capacité de jonction d'émetteur VT1 - 0,8 pF, VT3 - 1,5 pF, résistance de saturation VT2 - 2 Ohms), la valeur d'isolement calculée entre la sortie et l'entrée du commutateur est d'environ 9 dB à une fréquence de 110 MHz. Cette valeur a été obtenue pour le mode "repos" de la sortie ; la connexion d'une charge améliore ce paramètre. Pour mettre en œuvre pratiquement des valeurs d'isolation aussi élevées entre la sortie et l'entrée, un blindage inter-étage efficace dans le commutateur est nécessaire.

L'impédance de sortie du commutateur est d'environ 6 ohms. ce qui permet l'utilisation d'une charge avec une résistance de 60...75 Ohms sans atténuation notable du signal RF. Le courant traversant le transistor VT3 est d'environ 5 mA, donc la tension de sortie maximale pour une charge de 60 Ohm est limitée à 260 mV et pour une charge de 600 Ohm, elle est limitée à 2,6 V.

Dans le commutateur actif, vous pouvez utiliser des transistors domestiques des séries KT337 (VT1), KT608 (VT2) et KT610 (VT3).

Auteur : Monficelli D. ; Publication : N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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