Oscillateurs haute fréquence avec un niveau de puissance de sortie de un à plusieurs dizaines de watts. Schéma, description

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Oscillateurs haute fréquence avec un niveau de puissance de sortie de un à plusieurs dizaines de watts. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / Noeuds d'équipement de radio amateur. Générateurs, hétérodynes

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Le circuit pratique du générateur (Fig.1) sur le transistor KP901A dans la gamme de fréquences de 30 ... 80 MHz fournissait Pout \u2,5d 904 W. Un circuit similaire sur le transistor KP20A avait Pout = 4 W à une fréquence de fo = 52 MHz et Up = 36,4 V (consommation 15 W, dissipée 2 W). Valeurs L5,6=2 MH, C760=2 pF, R=XNUMX Ohm.

Oscillateurs haute fréquence avec un niveau de puissance de sortie de un à plusieurs dizaines de watts
Ris.1

Aux basses fréquences avec une puissance de sortie élevée (quelques à dizaines de watts), des transistors composés non saturables peuvent être utilisés dans des générateurs, dans lesquels un FET puissant contrôle un transistor bipolaire plus puissant. La figure 2 montre un schéma d'un oscillateur à quartz basé sur un transistor composite.

Oscillateurs haute fréquence avec un niveau de puissance de sortie de un à plusieurs dizaines de watts
Ris.2

La figure 3 montre les dépendances du courant consommé et de la puissance de sortie sur la température. Les variations maximales de ces paramètres n'ont pas dépassé 2,3 et 3,5 %, respectivement, lorsque la température est passée de 25 à 70°C. Avec un angle de coupure du courant de drain Q=70°, le générateur fournissait une puissance de sortie de 10 W avec un rendement total de 65 %. Fréquence de génération 7,41 MHz, l'instabilité de fréquence horaire moyenne n'a pas dépassé 2 * 10^-7.

Oscillateurs haute fréquence avec un niveau de puissance de sortie de un à plusieurs dizaines de watts
Fig.3. Dépendances de la consommation actuelle (1) et de la production
puissance (2) à température ambiante.

Oscillateurs haute fréquence avec un niveau de puissance de sortie de un à plusieurs dizaines de watts
Fig.4. Niveaux de bruit de phase des auto-oscillateurs sur PTS puissant (1)
Transistors bipolaires hyperfréquences (2) et diodes Gunn (3)

Ainsi, les auto-oscillateurs sur des FET puissants couvrent presque toutes les gammes de fréquences utilisées. Pour un certain nombre d'applications, les niveaux de bruit de phase des auto-oscillateurs sont importants. Comme il ressort de la Fig. 4, dans ce paramètre, les générateurs micro-ondes GaAs des FTS haute puissance sont inférieurs aux générateurs basés sur des transistors bipolaires micro-ondes et des diodes Gunn. On s'attend à ce que le niveau de bruit de modulation diminue de 20 dB lors du développement de PTS haute puissance avec une longueur de canal inférieure au micron.

littérature

Circuiterie de dispositifs sur de puissants transistors à effet de champ. Annuaire. Edité par V.P. Dyakonov.

Publication : N. Bolchakov, rf.atnn.ru

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