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ENCYCLOPÉDIE DE LA RADIOÉLECTRONIQUE ET DU GÉNIE ÉLECTRIQUE Amplificateur. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique
Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / Amplificateurs de puissance RF L'amplificateur de puissance a été conçu spécifiquement pour le fonctionnement du QRP sur les bandes basses. Puissance de sortie à une charge de 50 ohms - 10 watts. Grâce à la rétroaction négative (NFB) introduite, sa réponse amplitude-fréquence (AFC) est uniforme jusqu'à 21 MHz, et à une fréquence de 30 MHz, il y a une baisse de -3 dB. Une caractéristique du circuit est l'absence de transformateurs d'adaptation entre les étages. Résistance de charge optimale (RH) - 50 ... 150 Ohm. Des valeurs plus petites de RH conduisent à une violation du régime thermique des transistors de sortie. A une puissance de sortie de 10 W, le coefficient de distorsion d'intermodulation est de -43 dB, à 5 W de -52 dB. La sensibilité de l'amplificateur est de 50 mV, et il peut être recommandé pour une utilisation avec des conceptions bien connues telles que "chemin à carte unique", "Radio-76", etc. Le schéma de circuit de l'amplificateur est illustré à la Fig. 1, et la Fig. 2 montre le circuit d'alimentation.
La tension d'entrée est amplifiée par le transistor VT1. R6, C2 connectés en série dans le circuit de rétroaction égalisent la réponse en fréquence de l'étage d'entrée. Les transistors VT2 et VT3 - suiveurs d'émetteur - correspondent à l'amplificateur d'entrée avec une faible impédance d'entrée de l'étage final. Un amplificateur intermédiaire fonctionnant en classe "A" est monté sur le transistor VT4. Les diodes VD1 ... VD4 définissent le courant initial de l'étage de sortie sur les transistors VT5 et VT6. L'étage final a une faible impédance de sortie, par conséquent, un transformateur RF avec un rapport de transformation de 1: 2 en tension est installé pour correspondre à la charge. Les diodes VD5 et VD6 sont conçues pour protéger les transistors de sortie des surtensions. L'amplificateur final est couvert par un circuit OOS composé de C15, R12 et R11. La profondeur de l'OOS est d'environ 10 dB. Pour le fonctionnement normal de l'amplificateur de puissance, il est très important que la tension d'alimentation VT4 soit exactement la moitié de la tension d'alimentation (Upit) des transistors de l'étage de sortie VT5, VT6. La commutation du mode "réception-émission" est réalisée en commutant la tension d'alimentation de l'étage d'entrée VT1, VT2 et la polarisation sur le transistor VT4. Dans ce schéma, la manipulation télégraphique est facilement mise en œuvre. Il est réalisé sur le transistor VT7. En mode SSB, le transistor VT7 est ouvert et + 12V est fourni à l'étage d'entrée. En mode CW, VT7 s'ouvre uniquement lorsque la touche télégraphique est enfoncée. Le bord avant du message télégraphique est défini (déterminé) par la chaîne R26, C22 et le bord arrière - C22, R25. Le montage de l'amplificateur peut s'effectuer par montage articulé "en réglette" ou sur un circuit imprimé en fibre de verre feuilleté double face dont une des faces sert d'écran (du côté où les éléments sont installée). Il est nécessaire de s'assurer que la capacité de montage des circuits de base des transistors VT3, VT5 et VT6 est minimale. Transistors VT3, VT4. VT5 et VT6 sont installés sur un radiateur commun. La mise en place de l'amplificateur revient tout d'abord à vérifier et régler les modes pour le courant continu. Tout d'abord, une source de + 12V et + 12V TX est connectée. La sélection de R2 fixe la tension + 6V au collecteur du transistor VT1. Avec les transistors utilisables VT2 et VT3, la tension à l'émetteur VT3 sera de + 4,6V. Ensuite, la source + 25V est connectée et en sélectionnant la résistance R17, le courant de repos du transistor VT4 est réglé entre 70 ... 80 mA. Une fois les réglages effectués, une tension de + 50V est appliquée et, en sélectionnant le type et le nombre de diodes VD1 ... VD4, le courant de repos des transistors de sortie VT5 et VT6 est réglé sur 40 - 60 mA. Lorsqu'un signal d'entrée est appliqué, le courant des transistors de sortie augmente à 300 - 400 mA. La tension RF à une charge de 75 ohms à une fréquence de 1,9 MHz est d'au moins 28 Veff. Le diagramme (Fig. 1) montre les niveaux de tension RF sur les éléments individuels du circuit. L'alimentation de l'amplificateur de puissance (Fig. 2) est montée sur des circuits intégrés KREN12. La tension de sortie est ajustée par les résistances R3, R4.
Les éléments manquants peuvent être remplacés par VT 1 - KT325, KT399, KT316, etc. Le condensateur C18 est composé de plusieurs condensateurs céramiques de capacités différentes. Le transformateur T1 est enroulé avec un fil double torsadé PEV-2 - 0,51 sur un noyau toroïdal en ferrite 600NN KZ 2x16x6 mm. Le pas de torsion est d'un tour tous les 2 cm. Contient 10 ... 15 tours. On remarque que le bobinage du transformateur sur une coupelle en ferrite améliore la réponse en fréquence de l'amplificateur. L'amplificateur a une bonne répétabilité et une fiabilité opérationnelle élevée. Auteur : M. Roslanov, UA4UDF, Saransk ; Publication : N. Bolchakov, rf.atnn.ru
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