Protection des transistors hyperfréquences. Schéma, description

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Protection des transistors hyperfréquences. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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Beaucoup de gens connaissent probablement la sensation désagréable de perte lorsqu'un transistor rare ou très cher tombe en panne lors d'un réglage ou d'expériences.

Afin de vous protéger d'une crise cardiaque prématurée et d'économiser votre budget familial, je vous propose d'utiliser des appareils simples lors d'expériences qui vous protégeront de telles situations. Il s'agit de la protection actuelle des transistors.

Pour protéger les transistors, des résistances sont incluses dans le circuit d'alimentation du collecteur, qui limitent le courant lors des surcharges. Le degré de protection du transistor est directement proportionnel à la valeur de la résistance de la résistance. Avec une augmentation de la résistance, il y a une perte de puissance dans la cascade, la linéarité se détériore, la puissance est gaspillée inutilement sur la résistance. Par conséquent, une valeur de résistance de compromis est choisie qui est acceptable pour un cas particulier.

La situation est encore pire en technologie hyperfréquence, où la capacité des jonctions pn dépend de la tension entre les électrodes du transistor. Avec les types de modulation d'impulsions (SSB, CW), le courant de cascade varie de 0 à la valeur maximale. Dans ce cas, la tension aux bornes du collecteur changera en raison de la chute aux bornes de la résistance. Cela provoque une modification de l'accord des circuits résonnants, le signal amplifié "s'effrite", une auto-excitation de la cascade apparaît. Il en résulte que pour alimenter les circuits collecteurs des transistors, il faut utiliser une tension plus stable, et réaliser une protection en courant à l'aide d'un limiteur de courant à seuil.

Protection des transistors hyperfréquences
Ris.1

Nous considérerons le fonctionnement de ce dispositif en utilisant l'exemple d'un circuit mélangeur TX 1296 MHz (Fig.1), lorsque la tension aux bornes de la résistance R2 atteint une valeur à laquelle la diode VD1 s'ouvre, le transistor VT1 s'ouvre, VT2 se ferme, la tension d'alimentation chute. L'utilisation d'un circuit de protection a permis d'obtenir un mode de fonctionnement plus linéaire du mélangeur et de protéger le transistor lors du pompage à travers l'entrée 144 MHz. Dans un amplificateur à deux étages de 1296 MHz, un circuit de protection est utilisé qui supprime la tension d'alimentation des deux étages simultanément lorsque la valeur de courant spécifiée de l'un des transistors de l'amplificateur est dépassée (Fig. 2).

Fig.2 (cliquez pour agrandir)

Le courant d'arrêt est régulé progressivement par le nombre de diodes et en douceur par sélection de la résistance des résistances R2, R4. Certains transistors (par exemple, KT979, KT946), en raison de leurs caractéristiques de conception, ont un courant de repos initial. En mode réception et lorsque l'on travaille sur d'autres gammes, il est nécessaire de retirer la tension d'alimentation de la cascade. Cette opération est effectuée par le dispositif, dont le schéma est illustré à la Fig.3.

Protection des transistors hyperfréquences
Ris.3

En plus de la commutation de tension, le circuit assure la protection actuelle de la cascade.

Auteur : V. Petrushnko (RB5EC), Dnepropetrovsk ; Publication : N. Bolchakov, rf.atnn.ru

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