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NOUVELLES DE LA SCIENCE ET DE LA TECHNOLOGIE, NOUVEAUTÉ EN ÉLECTRONIQUE
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La mémoire moléculaire fonctionne à température ambiante

05.02.2013

La mémoire moléculaire stocke les données dans des molécules individuelles situées entre deux électrodes ferromagnétiques. Cette technologie a un grand potentiel, car elle permet de stocker une énorme quantité d'informations sur un support minuscule. Jusqu'à présent, cependant, la mémoire moléculaire a été très difficile à fabriquer et ne fonctionne que lorsqu'elle est refroidie à un niveau proche du zéro absolu.

Une équipe de scientifiques du Massachusetts Institute of Technology et de l'Indian Institute of Science and Education de Calcutta a réussi à développer un nouveau type de mémoire moléculaire qui est non seulement plus facile à fabriquer, mais qui fonctionne également à la température de congélation de l'eau, ce que les physiciens pense que c'est la température ambiante. Par exemple, pour une station serveur puissante, vous pouvez créer une telle température à l'aide d'un réfrigérateur, ce qui est beaucoup plus facile que de "clôturer" les systèmes de refroidissement cryogéniques. De plus, le nouveau circuit ne nécessitera qu'une seule électrode ferromagnétique, ce qui simplifie grandement la production. La nouvelle mémoire est constituée de feuilles plates d'atomes de carbone attachés à des atomes de zinc. Cette structure peut être fabriquée avec une très grande précision, ce qui augmente la fiabilité de la mémoire moléculaire.

Deux électrodes ferromagnétiques est une structure standard pour la mémoire magnétique, dans laquelle un changement brusque de l'orientation du champ magnétique des électrodes provoque un saut brusque de la conductivité du dispositif. Ces deux états de conduction sont "1" et "0" de la mémoire. Une nouvelle étude, à la surprise des scientifiques, a trouvé non pas un, mais deux sauts de conductivité dans cette conception.

Cette découverte permet de réaliser une mémoire moléculaire avec une seule électrode, ce qui simplifie grandement la technologie de la mémoire moléculaire et augmente sa fiabilité. Le fait est qu'en présence de deux électrodes, les molécules de l'électrode supérieure commencent à se mélanger avec les molécules qui stockent les informations. De plus, jusqu'à présent, le problème de la mémoire moléculaire était la nécessité d'un alignement soigneux des molécules pour stocker l'information. De ce fait, les expériences se limitaient généralement à travailler avec 5-6 molécules, et il n'était pas question de produire commercialement un nouveau type de mémoire.

La nouvelle mémoire moléculaire est composée d'atomes de zinc attachés à des feuilles plates de carbone. Ces matériaux ont la propriété d'auto-alignement, ce qui signifie qu'il est plus facile de produire une mémoire moléculaire avec les propriétés souhaitées à partir d'eux. Jusqu'à présent, la conductivité de la nouvelle mémoire moléculaire n'a changé que de 20 %, ce qui est trop petit pour une large application commerciale de la nouvelle technologie. Cependant, les scientifiques pensent qu'ils seront en mesure de trouver un composé organique approprié avec une grande fluctuation de conductivité.

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L'énergie de l'espace pour Starship 08.05.2024

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Nouvelle méthode pour créer des batteries puissantes 08.05.2024

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Teneur en alcool de la bière chaude 07.05.2024

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Nouvelles aléatoires de l'Archive

Nouveaux MOSFET pour les applications automobiles de Toshiba 19.05.2018

Toshiba Electronics Europe a lancé deux nouveaux MOSFET miniatures à faible résistance SOP Advance (WF) de 5 mm x 6 mm en complément de sa série de MOSFET à canal n haute puissance de 40 V pour les applications automobiles. Les transistors TPHR7904PB et TPH1R104PB sont certifiés AEC-Q101 pour une variété d'applications automobiles, y compris la direction assistée électrique (EPS), les interrupteurs de charge, les pompes électriques, les ventilateurs, etc.

Les nouveaux MOSFET sont fabriqués à l'aide du processus de formation de rainure U-MOS IX-H de neuvième génération de pointe dans un boîtier miniature à faible résistance avec une faible résistance à l'état passant (RDS(ON)) jusqu'à 0,79 mΩ (maximum valeur à VGS) =10 V), réduisant ainsi les pertes par conduction. Les appareils ont une tension nominale drain-source (VDSS) de 40 V et peuvent entraîner un courant de drain (ID) jusqu'à 150 A DC. La technologie U-MOS IX-H réduit également le bruit de commutation, contribuant ainsi à réduire les interférences électromagnétiques.

Le boîtier SOP Advance (WF) utilise une conception de conducteur latéral mouillé pour inspecter visuellement automatiquement la soudure des PCB, une exigence clé en matière de contrôle de la qualité dans l'industrie automobile.

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