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MOSFET haute tension pour dispositifs de commutation haute vitesse

12.04.2016

Toshiba Electronics Europe (TEE), la division électronique européenne de Toshiba Corporation, a introduit une nouvelle série de MOSFET haute vitesse à haute vitesse pour les régulateurs de tension à découpage.

Les quatre dispositifs à canal n 800 V et 900 V présentent une faible résistance à l'état passant typique (RDS(ON)) jusqu'à 1,9 ohms. Les applications cibles pour les nouveaux appareils sont les convertisseurs indirects pour l'éclairage LED, les alimentations auxiliaires et d'autres circuits nécessitant des courants de commutation inférieurs à 5 A.

Les nouveaux MOSFET à mode d'amélioration sont fabriqués à l'aide du procédé de fabrication de semi-conducteurs plans Pi-MOS-8 de huitième génération de Toshiba, qui associe un haut niveau d'intégration à une structure de cellule optimisée. Cette technologie réduit la charge et la capacité de la grille sans perdre les avantages d'un faible RDS (ON), a déclaré la société.

Toshiba envisage ces MOSFET comme un ajout à faible courant à la série 800V DTMOS IV existante avec la technologie DTMOS4 Super Junction. Les transistors TK3A90E 2,5 A et TK5A90E 4,5 A ont une cote VDSS de 900 V et des cotes RDS(ON) typiques de 3,7 et 2,5 ohms, respectivement. Les transistors 4A TK80A4,0E et 5A TK80A5,0E ont une cote VDSS de 800V et des cotes RDS(ON) typiques de 2,8 et 1,9 ohms, respectivement.

Les nouveaux MOSFET de Toshiba présentent un courant de fuite maximum ultra-faible de seulement 10 µA (VDS = 60 V) et une plage de seuil de tension de grille de 2,5 à 4,0 V (à VDS = 10 V et un courant de drain de 0,4 mA) . Tous les appareils sont expédiés dans des boîtiers TO-220SIS au facteur de forme standard.

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L'énergie de l'espace pour Starship 08.05.2024

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Nouvelles aléatoires de l'Archive

Convertisseur DC-DC 5W TRACO TDN 5WI 15.06.2017

TRACO POWER a développé des convertisseurs DC-DC stabilisés isolés avec une puissance de sortie de 5 W dans une conception miniature - série TDN 5WI (montage en trou) et série TDN 5WISM (montage en surface).

Le volume du boîtier des convertisseurs de la nouvelle série n'est que de 1,23 cm3, soit 5 fois moins que le boîtier DIP-24 habituel pour cette puissance (6,6 cm3). Ils ont une large plage de tension d'entrée (4:1), une rigidité diélectrique de 1600 V et une large plage de température de -40°С...+75°С. TDN 5WI a une protection contre les courts-circuits et une capacité marche/arrêt à distance (Remote On/Off).

En plus de la version 5 W, cette famille dispose de convertisseurs 3 W (séries TDN 3WI, TDN 3WISM). La garantie constructeur de la famille TDN est de 3 ans. Ces convertisseurs sont conçus pour une large gamme d'applications où la fiabilité et la compacité sont des qualités importantes.

Paramètres principaux des séries TDN 5WI, TDN 5WISM :

Puissance de sortie 5W
Plage de tension d'entrée 4,5-13,2 ; 9-36 ; 18-75V
Tension de sortie à partir d'un nombre de 3,3 ; 5 ; 12; quinze; 15; +/-24 ; +/-5 ; +/-12V
Rigidité diélectrique 1600 V
Type de boîtier DIP ; CMS
Plage de température -40°С...+75°С
Dimensions 13,2 x 9,1 x 10,2 mm
3 ans de garantie

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