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ENCYCLOPÉDIE DE LA RADIOÉLECTRONIQUE ET DU GÉNIE ÉLECTRIQUE
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Antenne Triple carré. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / Antennes VHF

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Для связи в диапазоне 28- 29,7 МГц на радиостанции UB5GFI используется антенна "Тройной квадрат" с вертикальной поляризацией (см. рис. 1). Вертикальная поляризация применена для достижения уверенной связи прямым лучом, поскольку большинство любителей применяют в этом диапазоне штыревые антенны.

Antenne Triple carré
Fig. 1

L'antenne se compose d'un vibreur actif de côté carré de 259 cm, d'un réflecteur de côté de 269 cm et d'un directeur de côté de 240 cm.Les cadres sont fixés aux extrémités de lattes de bois d'une section de 20x20 mm. Un cordon d'antenne d'un diamètre de 2,5 mm a été utilisé comme fil.

Pour augmenter la rigidité de la structure, les équerres sont fixées entre elles par quatre rails longitudinaux d'une section de 10x10 mm.

Активный вибратор питается в точке А коаксиальным кабелем с волновым сопротивлением 75 ом. Центральная жила подключена к нижнему, оплетка - к верхнему проводу рамки (установлено, что при таком подключении диаграмма антенны меньше "косит"). В пассивные элементы включены шлейфы из симметричной двухпроводной линии с расстоянием между проводами 10 и длиной 50 см. Шлейфы прикреплены к горизонтальным рейкам и расположены внутри квадратов.

Sur la fig. La figure 2 montre le diagramme d'antenne expérimental (lobe principal) pris avec un indicateur de champ espacé d'une distance de 100 m (10 lambda).

Antenne Triple carré
Fig. 2

Pendant le fonctionnement de l'antenne, de nombreuses communications à courte portée (jusqu'à 200 km) et à longue distance ont été installées. La plupart des correspondants ont estimé la force des signaux S9 avec une puissance d'émission de seulement 10 watts.

Автор: А. Терентьев (UB5GFI); Публикация: cxem.net

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Le nitrure de gallium a été pris comme matériau de base pour créer des composants électroniques à haute température. Le fait est que le silicium, qui est traditionnellement utilisé pour créer des microprocesseurs et des modules de mémoire, a une bande interdite relativement faible (cet indicateur détermine l'énergie minimale requise pour qu'un électron passe de la bande de valence à la bande de conduction) - seulement 1,12 eV. Dans le même temps, pour le nitrure de gallium, il est égal à 3,4 eV, ce qui permet aux appareils de fonctionner normalement à des températures beaucoup plus élevées. Dans le même temps, on note que ce n'est pas le seul matériau semi-conducteur à large bande interdite étudié dans le cadre du programme d'électronique haute température. Un autre candidat valable avec une large bande interdite est le carbure de silicium.

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