Paramètres techniques du BMT utilisé dans les ballasts électroniques. Schéma, description

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Ballasts électroniques sur éléments discrets. Paramètres techniques du BMT utilisé dans les ballasts électroniques. Fondamentaux des circuits. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / Ballasts pour lampes fluorescentes

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La technologie de production de transistors de puissance bipolaires efficaces (BMT) a été développée il y a plusieurs années par MOTOROLA et s'appelait H2BIP (Transistors bipolaires à gain élevé et haute fréquence).

Note. L'essence de cette nouvelle technologie est que sur la même structure semi-conductrice, en plus du BMT principal haute tension, un circuit de sous-saturation actif de ce transistor et une diode anti-parallèle intégrée entre son collecteur et son émetteur sont créés.

Les BMT créés à l'aide de cette technologie se caractérisent par les meilleures combinaisons d'indicateurs statiques, dynamiques et énergétiques parmi les transistors bipolaires, alors qu'ils ont une propagation insignifiante (pas plus de ± 0,15 μs) dans le temps d'absorption t_s. Les appareils de cette série tels que BUL45D2, BUL38D, BUL39D, MJE18004D2 et les populaires MJE13003, MJE13005, MJE13007, MJE13009 sont utilisés avec succès dans les ballasts électroniques (qui sont actuellement des produits prometteurs pour le marché de masse).

Les types BMT MJE13003, MJE13005, MJE13007, MJE13009 sont produits par de nombreux fabricants, donc au lieu de MJE, il peut y avoir des désignations ST, PNE, KSE, HA, MJF, etc.

En tableau. 3.11 montre les paramètres techniques du BMT les plus couramment utilisés dans les ballasts électroniques.

Caractéristiques des circuits

Une analyse comparative des modes des touches de sortie d'un ballast électronique typique, assemblé selon un circuit en demi-pont et contrôlant le fonctionnement de deux lampes fluorescentes d'une puissance de 36-40 W chacune à une fréquence de découpage de 30-50 kHz , montre que le niveau des pertes de puissance totales sur les touches lors de l'utilisation de BMT de type BUL45D2, également , comme le MJE13005 de MOTOROLA, est une très petite valeur (environ 0,5 W par transistor).

Approximativement les mêmes indicateurs sont obtenus lors de l'utilisation dans ces unités des types BMT domestiques KT8136A et KT8181A fabriqués par OAO ELEKTRONPRIBOR (ZAO FZMT, Fryazino). En cas d'utilisation dans de tels ballasts équivalents en courant et en tension

Tableau 3.11. Paramètres techniques du BMT utilisé dans les ballasts électroniques

Paramètres techniques du BMT utilisé dans les ballasts électroniques. Fondamentaux des circuits

MOSFET type IRF830 ou IGBT "ultrarapide" type IRGB410U d'IR, le niveau de perte de puissance sur ces MT est 1,5-2 fois plus élevé (0,8-1,0 W par transistor).

BMT est également nettement moins cher que ses prototypes concurrents, ce qui est fondamentalement important pour obtenir un petit prix final des ballasts électroniques, car ils visent à remplacer les ballasts électromécaniques inefficaces mais bon marché (inductances avec démarreur) actuellement utilisés dans l'ingénierie d'éclairage dans les lampes avec LL .

Auteur : Koryakin-Chernyak S.L.

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