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ENCYCLOPÉDIE DE LA RADIOÉLECTRONIQUE ET DU GÉNIE ÉLECTRIQUE Convertisseur transistor à 144 MHz. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique
Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / réception radio Le convertisseur, décrit dans cet article, vous permet de recevoir des signaux de stations de radio VHF amateurs dans la gamme 144-146 MHz. Il est conçu pour fonctionner avec un récepteur de communication ayant une gamme de 4-6 MHz. Le convertisseur est de conception simple et facile à configurer, et peut donc être facilement répliqué. Il est destiné principalement aux travaux de terrain. Pour alimenter le convertisseur, une tension de 6 V avec un courant de 18 mA est nécessaire. Le facteur de bruit du convertisseur est de 4,5 à 5 kTo, les dimensions de conception sont de 130x45x20 mm. Le circuit convertisseur est représenté sur la fig. 1. Dans celui-ci, ayant mis en œuvre le principe actuel de construction d'un amplificateur RF résonant. Un amplificateur RF construit selon ce principe présente un certain nombre d'avantages par rapport à un amplificateur conventionnel, car les propriétés d'amplification du transistor sont plus pleinement utilisées dans le mode de contrôle du courant, les connexions d'adaptation inter-étages sont simplifiées et les pertes y sont réduites, et il y a pas besoin d'utiliser la neutralisation.
L'amplificateur RF est à deux étages, montés sur les transistors T1, T2. Le courant de collecteur des transistors est réglé entre 3,5 et 4 mA et le facteur de bruit le plus faible est obtenu avec un gain suffisamment élevé. Le circuit d'entrée de l'amplificateur est formé par l'inductance de la bobine L1, la capacité du condensateur d'accord C1 et la capacité d'entrée du transistor. Pour obtenir un facteur de bruit minimum, la bande passante du circuit d'entrée est de 6 à 10 MHz. La capacité de sortie du transistor T1 ainsi que la capacité du condensateur ajustable C4, l'inductance de la bobine L2 et la capacité d'entrée du transistor T2 forment un filtre P d'adaptation inter-étages. Le filtre P de sortie du deuxième étage de l'amplificateur est agencé de manière similaire. L'accord de l'amplificateur RF est effectué par des condensateurs accordés C4, C8, connectés en parallèle avec la capacité de sortie des transistors T1, T2, cependant, cela peut également être fait en modifiant l'inductance des bobines L2, L8. Au cours de la vérification expérimentale, il a été constaté que cet amplificateur RF à deux étages, en l'absence de tendance à l'auto-excitation, fournit un gain légèrement supérieur à un amplificateur à trois étages typique basé sur des transistors à base commune avec couplage interétage autotransformateur. Le mélangeur convertisseur est monté sur un transistor T3 selon un circuit d'émetteur commun. La tension de signal amplifiée est fournie à la base du transistor T3 via le condensateur C9, et via le condensateur C11, la tension de l'oscillateur local lui est également appliquée. Le circuit collecteur comprend un circuit large bande L4C13, accordé sur une fréquence de 5 MHz. La tension du signal IF de la bobine de couplage L5 est appliquée à l'entrée KB du récepteur.
L'oscillateur local du convertisseur est à deux étages. A l'aide du transistor T4, assemblage d'un oscillateur maître selon un circuit « trois points » avec quartz dans le circuit de rétroaction positive. Le quartz avec une fréquence fondamentale de 11666 kHz est excité à la troisième harmonique mécanique. Le circuit L6C17C18 du circuit collecteur est réglé sur une fréquence de 35 MHz. Un multiplicateur de fréquence paramétrique est monté sur le transistor T5. La capacité de la jonction collecteur-base de ce transistor dépend de la tension qui lui est appliquée. Lorsqu'un signal haute fréquence est appliqué à l'entrée d'un transistor, une tension amplifiée est appliquée à sa jonction collecteur et provoque une modulation de sa capacité non linéaire, ce qui conduit à une génération paramétrique d'harmoniques. Un multiplicateur à transistors dans ce mode équivaut à un étage amplificateur suivi d'un multiplicateur de fréquence varactor. De tels multiplicateurs sont simples et efficaces, notamment dans les cas où la fréquence du signal de sortie dépasse la fréquence de coupure du transistor. Un système oscillatoire est inclus dans le circuit collecteur du transistor T5. Il se compose d'un circuit accordé à 35 MHz - L8C20 et d'un circuit associé accordé à la fréquence de sortie - L9C23. Pour obtenir une efficacité de multiplication maximale, le collecteur du transistor T5 est connecté à une partie des spires de la bobine L8 de manière à ce que le circuit série formé par une partie des spires de L8 et le condensateur C20 soit accordé sur une fréquence proche de la deuxième harmonique - environ 70 MHz. Pour un bon filtrage des harmoniques, le circuit L9C23 doit avoir un facteur de qualité aussi élevé que possible. Le convertisseur est monté sur un châssis de dimensions 130x45x20 mm, réalisé en tôle de laiton argenté de 0,5 mm d'épaisseur (voir Fig. 2). Le châssis est divisé par des cloisons bien soudées qui séparent les cascades les unes des autres. Des condensateurs de traversée et des isolateurs sont installés dans les cloisons, des condensateurs de blocage C3, C7, C12 sont installés sur les cloisons. L'installation a été réalisée selon une méthode articulée conformément aux caractéristiques d'installation des équipements VHF. Une attention particulière doit être portée à la longueur minimale des conducteurs des transistors, des condensateurs de blocage, etc. Les données pour les bobines et les selfs sont données dans le tableau. Les bobines sans cadre sont enroulées au pas de 1 mm sur un mandrin d'un diamètre de 8 mm, le reste - tour à tour. Les noyaux de réglage des bobines L6 et L8 sont en laiton, avec filetage M4, les bobines L4 sont en ferrite. L'établissement du convertisseur commence par la vérification de l'installation et des modes. Tableau 1
Les courants de collecteur sont fixés à 1-2 mA pour les transistors T3,5, T4 et 3-4 mA pour T2,5, T3. Le courant collecteur du transistor T5 dépend de la tension d'excitation. En sélectionnant la connexion entre la bobine L7 et la bobine L6 avec l'oscillateur maître configuré, ce courant est réglé entre 8 et 10 mA. Ensuite, les circuits de l'oscillateur local sont ajustés en allumant temporairement un condensateur d'une capacité de 10 à 30 pF au lieu du quartz. L'oscillateur maître doit générer à une fréquence d'environ 35 MHz. La fréquence est vérifiée à l'aide d'un ondemètre, d'un récepteur ou d'un fréquencemètre. Après cela, le quartz est activé et, en modifiant le rapport des capacités des condensateurs C17, C18, une génération stable est obtenue avec le plus grand désaccord du circuit L6C17C18. À l'aide d'un voltmètre à tube et d'un générateur de signal standard, par exemple G4-7A, GZ-8A, réglez le circuit L9C23 sur une fréquence de 140 MHz. En ajustant le circuit L8C20 et en sélectionnant la prise de la bobine L9, la tension de signal la plus élevée avec une fréquence de 140 MHz est obtenue lorsque le multiplicateur de tension d'excitation est fourni au fruit depuis l'oscillateur maître. Si nécessaire, sélectionner l'emplacement du robinet de la bobine L8. Le circuit L4C13 dans le circuit collecteur T3 est réglé sur une fréquence IF de 5 MHz, les circuits d'amplification RF sur la fréquence moyenne de la gamme - 145 MHz. La bande passante de l'amplificateur de l'entrée de l'antenne à la base du transistor T3 est de 1,5 à 2,5 MHz. Si un amateur dispose d'un générateur de bruit, la tension de l'oscillateur local doit être sélectionnée. le courant du transistor T1, le coefficient d'inclusion de l'émetteur T1 dans le circuit L1C1, ainsi qu'une instance du transistor T1 pour le facteur de bruit minimum. En conclusion, il faut dire que l'utilisation de transistors à fréquence de coupure élevée (GT329, GT330 et autres) peut réduire considérablement le chiffre de bruit. Le principe de construction d'un convertisseur avec de tels transistors peut être différent. Auteur : L. Rud (RB5LCE), Izyum ; Publication : N. Bolshakov, rf.atnn.ru
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