Augmentation de la tension d'alimentation des étages de sortie des émetteurs. Schéma, description

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Augmentation de la tension d'alimentation des étages de sortie des émetteurs. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / Amplificateurs de puissance RF

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Lors de la construction d'émetteurs radio avec alimentation autonome basse tension (interphones radio, émetteurs d'alarme antivol, etc.), les développeurs sont obligés d'utiliser des transistors basse tension coûteux et, en règle générale, extrêmement rares (par exemple, KT925.KT927) pour fournir les indicateurs de puissance requis des étages de sortie.

Les tentatives pour atteindre la puissance requise grâce à l'utilisation de transistors haute puissance disponibles tels que KT904, KT907 ne donnent pas le résultat souhaité, car ces derniers doivent être utilisés à des tensions d'alimentation plus élevées (20-24 V).

La méthode proposée permet d'utiliser la base d'éléments disponible pour construire un émetteur simple et stable avec les performances de puissance requises. Ceci est assuré en augmentant la tension d'alimentation grâce à l'utilisation d'un doubleur capacitif.

Augmentation de la tension d'alimentation des étages de sortie des émetteurs

Le schéma ci-dessus d'un émetteur FM typique pour la bande 27 MHz avec le doubleur de tension d'alimentation proposé est assez simple et ne nécessite aucune explication. Nous notons seulement qu'avec les valeurs nominales indiquées des capacités C 12 et C 13, le courant consommé par l'émetteur peut être de 0,2 à 0,3 A à une tension d'alimentation de 20 V.

Le courant à vide du convertisseur est déterminé par la fréquence du multivibrateur (DD1.1, DD1.2), les valeurs des éléments R8C10, R9C11 et est de 5-10 mA.

S'il est nécessaire d'utiliser l'émetteur en mode basse consommation (avec une tension d'alimentation de 12 V), le convertisseur est éteint en appliquant un niveau bas sur la broche 2 de DD 1.1.

Auteur : Sh. Mnatsakanyan ; Publication : N. Bolchakov, rf.atnn.ru

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