Stabilisation des hautes tensions à l'aide de diodes zener au silicium basse tension. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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En utilisant une diode zener au silicium basse tension comme référence de tension, une alimentation haute tension stabilisée peut être conçue. La tension de sortie d'une telle alimentation est régulée entre 50 et 250 V, tandis que le coefficient de stabilisation est de 0,5%. L'utilisation de ce schéma est conseillée, par exemple, dans le cas où aucune tension d'alimentation positive et négative n'est requise pour les amplificateurs opérationnels.

La diode Zener au silicium D1 constitue la tension de référence. Le courant de la diode Zener est sélectionné en fonction du coefficient de température spécifié et du courant de sortie maximal. En utilisant le FET Q1, les résistances R1 et R2 peuvent être de haute résistance et de faible puissance, ce qui réduit le shunt de la tension de sortie. Dans le cas de la connexion directe de ces résistances à la base du transistor Q2, le coefficient de stabilisation du circuit se dégrade et la résistance de sortie varie fortement, ce qui s'explique par la faible résistance d'entrée du transistor Q2.

La tension de sortie du stabilisateur peut être écrite comme

Le gain en boucle ouverte du transistor Q2 est de 67 dB et dépend de la transconductance du FET et de la résistance de charge. Le coefficient de rétroaction dans le circuit régulateur est égal à :

où R2=9R1.

Le gain de tension en boucle fermée est de 20 dB et est donné par :

Alors le gain avec une boucle de rétroaction fermée peut être écrit comme

Auteur : N.Coers ; Publication : N. Bolchakov, rf.atnn.ru

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