Amplificateur inverseur large bande. Schéma, description

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Amplificateur inverseur large bande. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / Radiocommunications civiles

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La bande passante de l'amplificateur inverseur proposé est de 6 à 7 octaves. La sensibilité d'un émetteur-récepteur avec un tel amplificateur peut atteindre 0,1 μV. À partir de dispositifs similaires publiés précédemment dans [1, 2]. cette option se caractérise par un niveau élevé de tension de sortie non déformée et une résistance accrue à l'auto-excitation. Il peut "basculer" l'étage final avec une puissance de sortie de 5 ... 10 W (QRP). La tension de sortie non déformée à une charge de 50 ohms peut atteindre 4 V. D'autres caractéristiques de l'amplificateur sont indiquées dans le tableau.

Fréquence f, MHz	Gain de tension, Ku, dB	Résistance d'entrée, Ohm	Résistance de sortie, Ohm
0,125	14,0	146	87
0,25	21,4	65	24
0,5	22,7	30	28
1	22,6	26	36
2	22,4	25	38
4	22,3	24	38
8	22,0	21	36
16	21,1	10	33
32	16,4	22	33
50	12,5	36	43

Le circuit amplificateur est représenté sur la figure.

Amplificateur inverseur large bande

Pour changer la direction du flux de signal, l'alimentation est fournie à l'un ou l'autre bras de l'amplificateur. Par exemple, pour faire passer un signal de XW1 à XW2, vous devez mettre sous tension le connecteur X1. Rien n'est connecté à X2 (il peut être "mis à la terre").

Diodes VD1. VD2, VD4, VD5 sont utilisés pour éliminer l'auto-excitation de l'amplificateur. Les diodes VD3, VD6 et les transistors VT2, VT4 vous permettent d'obtenir une tension non déformée à la sortie de 4 V.

Les transformateurs RF T1 et T2 sont enroulés sur des anneaux K10 * 6x4 en ferrite de marque HN avec une perméabilité magnétique de 600 ... 2000. Le bobinage est réalisé par deux morceaux de fil PELSHO torsadés ensemble d'un diamètre de 0.25 à 0,33 mm. L'étape de torsade est la suivante : 3-4 torsions par 1 cm de longueur. Le nombre de tours est de 6-8.

Les transistors VT1 et VT3 sont montés sur des dissipateurs thermiques.

La mise en place de l'amplificateur revient essentiellement à régler la consommation de courant de ses épaules en sélectionnant les résistances R2 et R8. Des résistances non inductives d'une résistance de 1 ... 2 Ohms sont connectées aux connecteurs XW47 et XW51. Mise sous tension du connecteur X1. réglez la consommation de courant entre 40 ... 45 mA en sélectionnant la résistance R2. En même temps, X2 n'est connecté nulle part (il peut être "mis à la terre"). Ensuite, en sélectionnant la résistance R8, la consommation de courant de l'autre bras est réglée (en alimentant X2 et en se déconnectant de X1).

Si possible, des valeurs de courant égales doivent être définies pour chacun des bras de l'amplificateur. La valeur de 45 mA est prise en considération que le transistor VT1 (VT3) ne surchauffe pas même pendant un fonctionnement prolongé.

Si vous utilisez KT1A comme transistors amplificateurs (VT3 et VT911) avec des dissipateurs thermiques appropriés, vous pouvez augmenter la consommation de courant de chaque bras à 100 mA. Cela augmentera légèrement la tension RF maximale à la sortie.

littérature

Artemenko V. Un simple amplificateur IF réversible. - Magazine KB. 1998. N° 3. pages 31-34.
Artemenko V. A. Amplificateur inverseur haute fréquence universel. - Radioamateur. 1998. N° 8. du 20.21

Auteur : V.Artemenko (UT5UDJ)

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