|
Arabic
Bengali
Chinese
English
French
German
Hebrew
Hindi
Italian
Japanese
Korean
Malay
Polish
Portuguese
Spanish
Turkish
Ukrainian
Vietnamese
ENCYCLOPÉDIE DE LA RADIOÉLECTRONIQUE ET DU GÉNIE ÉLECTRIQUE Multiplicateur de qualité d'antenne magnétique. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique
Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / réception radio Comme on le sait, les récepteurs simples à amplification directe ont une faible sensibilité et sélectivité, notamment dans la gamme MV. Vous pouvez les augmenter en utilisant des multiplicateurs de facteurs de qualité. Les inconvénients des récepteurs simples sont principalement dus au fait que la réception s'effectue généralement via une antenne magnétique, qui est également le seul élément sélectif d'un récepteur à amplification directe. Lorsqu'elle est enroulée avec un fil monoconducteur, le facteur de qualité de l'antenne magnétique est faible, surtout si le premier étage de l'amplificateur radiofréquence (RFA) est assemblé sur un transistor bipolaire. Pour cette raison, la bande passante à la limite supérieure de la plage CB est de 40 kHz ou plus. Une façon d'augmenter la sensibilité et la sélectivité d'un simple récepteur à amplification directe consiste à utiliser un multiplicateur de facteur de qualité (multiplicateur Q). Il sera possible de l'implémenter en introduisant une rétroaction positive dans le premier étage de l'amplificateur RF, c'est-à-dire en le modifiant, comme proposé dans [1]. Vous pouvez également introduire un dispositif commutable séparé, décrit dans [2], ou un élément avec une résistance différentielle négative. Un fonctionnement plus stable du multiplicateur Q peut être obtenu en utilisant un analogue d'une diode tunnel comme élément avec une résistance différentielle négative, par exemple une « diode lambda » [3, 4] sur deux transistors à effet de champ (Fig. 1). Ici, l'analogique est connecté en série avec une résistance variable R1 et une bobine L3. La résistance modifie progressivement la valeur totale de la résistance négative introduite dans le circuit, et donc son facteur de qualité.
Le mode DC est assuré par le stabilisateur de tension intégré DA1. La tension est fournie à l'appareil par l'interrupteur SA1 associé à une résistance. Les tests de l'appareil ont montré que dans la section haute fréquence de la gamme CB (1,2...1,6 MHz), le multiplicateur permet d'augmenter le signal à l'entrée de l'amplificateur RF de 10...15 dB (3 ...5 fois) et réduire la bande passante plusieurs fois - de 50...60 à 10 kHz. Certes, en raison de l'introduction d'une capacité supplémentaire dans le circuit récepteur, simultanément à la modification du facteur de qualité, sa fréquence d'accord a également changé - environ 10 kHz en fréquence. La bobine L3 contenait 15 à 25 % des spires de la bobine L1 et était placée à côté de son extrémité mise à la terre. Les transistors ont été sélectionnés avec des valeurs proches du courant initial et de la tension de coupure. La résistance, les transistors et le condensateur doivent être placés dans le boîtier du récepteur à proximité immédiate de l'antenne magnétique, l'installation doit être effectuée selon une méthode articulée avec des conducteurs de longueur minimale, le boîtier de la résistance variable doit être connecté à un fil commun. Il est permis d'utiliser des transistors avec un courant initial inférieur (indices de lettres A-G), mais vous devrez ensuite réduire la tension fournie à l'analogue de la diode lambda afin qu'elle corresponde approximativement au milieu de la section avec une résistance différentielle négative [ 4]. La configuration de l'appareil revient à sélectionner le nombre de tours de la bobine L3 de telle sorte qu'en position haute du moteur à résistance dans le circuit, la génération se produise à la fréquence d'accord du circuit, et avec un léger décalage vers le bas, elle disparaisse. Vous pouvez le vérifier en utilisant n’importe quel récepteur doté de la gamme CB. Dans une telle conception, il est permis d'utiliser un analogue d'une diode tunnel sur des transistors bipolaires (Fig. 2). Cela fonctionne de la même manière, mais du fait que la pente de la section avec résistance différentielle négative est ici plus élevée, la résistance variable R5 (elle peut être combinée avec l'interrupteur SA1) est utilisée avec moins de résistance. La bobine L3 contient moins de tours que la version précédente du multiplicateur - 5 % du nombre de tours de la bobine L1.
La conception décrite est fiable en fonctionnement et vous permet d'augmenter le niveau du signal à l'entrée de l'amplificateur RF jusqu'à 20 dB (10 fois). Mais la bande passante est réduite à 6 kHz et la fréquence d'accord est décalée d'environ 3 %. Cette dernière est due aux grandes capacités intrinsèques des transistors. Pour réduire cet effet, il est nécessaire d'utiliser des transistors de plus faible capacité. littérature
Auteur : I. Nechaev, Koursk
Cuir artificiel pour émulation tactile
15.04.2024 Litière pour chat Petgugu Global
15.04.2024 L’attractivité des hommes attentionnés
14.04.2024
▪ Les cellules cérébrales échangent des batteries ▪ Panneau interactif pour les salles de classe avec détecteurs de mouvement ▪ L'abus de sel retarde la puberté ▪ Vulnérabilité critique des cartes SIM de tout opérateur
▪ section du site Mise à la terre et mise à la terre. Sélection d'articles ▪ L'article de Littlefinger n'en vaut pas la peine. Expression populaire ▪ article Mannik grand. Légendes, culture, méthodes d'application ▪ article Amplificateurs de puissance. Annuaire
Page principale | bibliothèque | Articles | Plan du site | Avis sur le site
www.diagramme.com.ua |
Voir d'autres articles section 
Dernières nouvelles de la science et de la technologie, nouvelle électronique :
Toutes les langues de cette page