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ENCYCLOPÉDIE DE LA RADIOÉLECTRONIQUE ET DU GÉNIE ÉLECTRIQUE
Bibliothèque gratuite / Schémas des appareils radio-électroniques et électriques

Transistors complémentaires des séries KT6116 et KT6117. Donnée de référence

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Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / Les références

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Les transistors pnp en silicium KT6116A et KT6116B de puissance moyenne à large application sont fabriqués à l'aide de la technologie épitaxiale planaire. Ils sont conçus pour fonctionner dans des amplificateurs de signal, des convertisseurs de fréquence et d'autres appareils avec une tension d'alimentation accrue.

Les transistors sont emballés dans un boîtier en plastique standard KT-26 (TO-92 selon la classification occidentale) avec des fils étamés durs (Fig. 1). Analogues étrangers - KT6116A - 2N5401: KT6116B - 2N5400.

Transistors complémentaires des séries KT6116 et KT6117

Sur la fig. 2 montre la dépendance du courant d'émetteur à la tension à la jonction d'émetteur des transistors de la série KT6116.

Transistors complémentaires des séries KT6116 et KT6117

Sur la fig. 3 - la fréquence de coupure d'amplification et le coefficient de transfert de courant statique de la base à partir du courant de collecteur.

Transistors complémentaires des séries KT6116 et KT6117

La tension de saturation du collecteur-émetteur et de la base-émetteur en fonction du courant de collecteur est représentée sur la fig. 4.

Transistors complémentaires des séries KT6116 et KT6117

Une dépendance typique de la capacité de jonction de collecteur des transistors sur la tension continue collecteur-base est illustrée à la fig. 5, et la zone de fonctionnement en toute sécurité - sur la fig. 6.

Transistors complémentaires des séries KT6116 et KT6117

Les transistors npn au silicium de puissance moyenne à large application KT6117A et KT6117B sont également fabriqués à l'aide de la technologie épitaxiale planaire. Ils sont conçus pour fonctionner dans des amplificateurs de signal, des convertisseurs de fréquence et d'autres appareils avec une tension d'alimentation accrue.

Les transistors sont emballés dans un boîtier en plastique standard KT-26 (TO-92) avec des fils étamés durs (voir Fig. 1). Analogues étrangers - KT6117A - 2N5551; KT6117B - 2N5550.

Les transistors KT6117A, KT6117B et KT6116A, KT6116B peuvent être sélectionnés par paires complémentaires.

Une dépendance typique du courant d'émetteur sur la tension de la base-émetteur des transistors de la série KT6117 est illustrée à la fig. 7, et les caractéristiques de sortie typiques - dans la fig. 8.

Transistors complémentaires des séries KT6116 et KT6117

Les dépendances typiques de la fréquence de coupure et de la tension de saturation du collecteur-émetteur et de la base-émetteur sur le courant du collecteur, ainsi que la capacité de la jonction collecteur sur la tension continue collecteur-base sont illustrées à la fig. 9-11 respectivement.

Transistors complémentaires des séries KT6116 et KT6117

Le domaine de fonctionnement sûr des transistors de la série KT6117 est le même que celui des transistors de la série KT6116 (voir Fig. 6).

En conclusion - quelques astuces communes aux transistors des deux séries. Il n'est pas recommandé de faire fonctionner des transistors à faible courant, proportionnel à un courant inverse incontrôlé dans toute la plage de température. Il est également interdit de faire fonctionner des appareils à deux valeurs limites de paramètres électriques.

Lors de la mise sous tension d'un transistor dans un circuit électrique sous tension, la borne de base doit être connectée en premier (et déconnectée en dernier).

Une flexion unique des fils du transistor est autorisée à une distance d'au moins 2 mm du boîtier; rayon de courbure - pas moins de 1.5 mm. Lors de la flexion, il est nécessaire de prendre des mesures pour empêcher le transfert de force au corps.

La distance entre le corps et le lieu de soudure (étamage) de la sortie est d'au moins 3 mm. Lors de l'installation, seuls trois fils de soudure sont autorisés. Température de soudure - pas supérieure à 265'С, temps de soudure - pas plus de 4 s.

Il est permis d'utiliser des transistors de modification climatique conventionnels dans des équipements conçus pour fonctionner dans toutes les conditions climatiques, mais en même temps, ils doivent être recouverts après l'installation de trois ou quatre couches de vernis UR-231 (TU6-21-14) ou EP -730 (GOST 20824) avec séchage ultérieur.

Caractéristiques principales à Tacr moy =25°C

  • Coefficient de transfert de courant statique de la base à une tension collecteur-émetteur de 5 V et un courant de collecteur de 10 mA pour
  • KT6P6A......60...240
  • KT6116B......40...180
  • Courant inverse collecteur, µA, pas plus, pour KT6116A (à tension collecteur-base 120 V)......005
  • KT6P6V(100V)......0.1
  • Courant d'émetteur inverse, μA. pas plus, à une tension émetteur-base de 3 V et un courant de collecteur nul ...... 0.05
  • Courant collecteur-émetteur inverse. mA, pas plus, avec la base désactivée pour KT6116A (à une tension collecteur-émetteur de 150 V)...... 1
  • KT61165(120V)......1
  • Tension de saturation collecteur-émetteur. V. pas plus, au courant du collecteur
  • 50 mA et courant de base 5 mA......0.5
  • Tension de saturation base - émetteur, V, pas plus, à un courant de collecteur de 50 mA et un courant de base de 5 mA......1
  • Fréquence limite du coefficient de transfert de courant, MHz. pas moins, à une tension collecteur-émetteur de 10 V et un courant de collecteur de 10 mA......100
  • capacité de jonction du collecteur. pF. pas plus, avec une tension collecteur-base de 10 V et un courant d'émetteur nul à une fréquence de 10 MHz ...... 6
  • Facteur de bruit, dB, pas plus, avec une tension collecteur-émetteur de 3 V, un courant de collecteur de 200 μA et une résistance dans le circuit de base de 3 kOhm. à une fréquence de 1 kHz pour KT6116A......8
  • KT6116B......10
  • Jonction de résistance thermique - environnement. °С/W, pas plus de......200

Valeurs limites

  • Le collecteur de tension le plus élevé - base. B, pour KT6116A......160
  • KT6116B......130
  • La tension collecteur-émetteur la plus élevée, V, pour KT6P6A ...... 150
  • KT6116B......120
  • La tension base-émetteur la plus élevée, V ...... 5
  • Le courant de collecteur CC le plus élevé, A ...... 0.6
  • La puissance dissipée constante la plus élevée du collecteur, W ...... 0,625
  • Valeur admissible du potentiel statique (degré de rigidité IV selon OST 11073.062), V ...... 500
  • La température de transition la plus élevée, ° С ...... 150
  • Valeurs limites de la température ambiante de fonctionnement, °С......-45...+100
  • Principales caractéristiques à Tacr.av = 25°C
  • Coefficient de transfert de courant de base statique à une tension collecteur-émetteur de 5 V et un courant de collecteur de 10 mA pour KT6117A ...... 80 ... 250
  • KT6117B......60...250
  • Courant inverse collecteur, μA, pas plus, pour KT6117A (à une tension collecteur-base de 120 V) ...... 0,05
  • KT6117B(100V)......0,1
  • Courant d'émetteur inverse, μA, pas plus, à une tension émetteur-base de 3 V et un courant de collecteur nul ...... 0,05
  • Courant collecteur-émetteur inverse. mA, pas plus, avec la base désactivée pour KT6117A (à une tension collecteur-émetteur de 160 V)...... 1
  • KT61175(140V)......1
  • Collecteur-émetteur de tension de saturation, V. pas plus, à un courant de collecteur de 50 mA et un courant de base de 5 mA pour KT6117A ...... 0.2
  • KT6117B......0.25
  • Tension de saturation base-émetteur. V. pas plus, avec un courant de collecteur de 50 mA et un courant de base de 5 mA pour KT6117A......1
  • KT6117B......1,2
  • Fréquence de coupure du rapport de transfert de courant. MHz, pas moins, à une tension collecteur-émetteur de 10 V et un courant de collecteur de 10 mA......100
  • Capacité de jonction collecteur, pF, pas plus, à une tension collecteur-base de 10 V et un courant d'émetteur nul à une fréquence de 10 MHz ...... 6
  • Facteur de bruit, dB, pas plus, à une tension collecteur-émetteur de 5 V, un courant de collecteur de 200 μA et une résistance dans le circuit de base de 2 kOhm, à une fréquence de 1 kHz pour KT6117A...... 8
  • KT6117B......10
  • Transition de résistance thermique-environnement, 'С/W, pas plus......200

Valeurs limites

  • La tension collecteur-base la plus élevée, V, pour KT6117A ...... 180
  • KT6117B......160
  • La tension collecteur-émetteur la plus élevée, V, pour KT6117A ...... 160
  • KT6117B......140
  • La tension base-émetteur la plus élevée, V ...... 6
  • Le courant de collecteur CC le plus élevé, A ...... 0.6
  • La plus grande dissipation de puissance constante du collecteur. W ...... 0,625
  • Valeur admissible du potentiel statique (degré de rigidité IV selon OST 11073.062), V ...... 500
  • La température de transition la plus élevée, ° С ...... 150
  • Valeurs limites de la température ambiante de fonctionnement, °С......-45...+100

Auteur : V.Kiselev

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Par conséquent, le résultat n'était pas inattendu pour les scientifiques, bien qu'ils soulignent eux-mêmes qu'ils ont été très surpris par le fait que l'effet de l'arôme a duré combien de temps.

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