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ENCYCLOPÉDIE DE LA RADIOÉLECTRONIQUE ET DU GÉNIE ÉLECTRIQUE
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Transistors de la série KT8156. Donnée de référence

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Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / Les références

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Les puissants transistors npn composites en silicium KT8156A et KT8156B avec amortissement intégré et diodes d'accélération base-émetteur sont fabriqués à l'aide de la technologie épitaxiale planaire. Les dispositifs sont conçus pour fonctionner dans les étages de sortie du balayage horizontal de tubes à rayons cathodiques de petite taille et d'autres unités et blocs d'équipements largement utilisés.

Les transistors sont emballés dans un boîtier en plastique standard KT-28 (TO-220) avec des fils rigides en plaque étamée (Fig. 1). Poids de l'appareil - pas plus de 2,5 g.

Transistors série KT8156

Analogue étranger du transistor KT8156A - BU807.

Le schéma de principe de l'appareil est illustré à la fig. 2.

Transistors série KT8156

principales caractéristiques

  • Tension limite collecteur-émetteur, V, pas moins que (à courant de collecteur 100 mA, courant de base nul, durée d'impulsion pas plus de 500 µs et rapport cyclique pas moins de 100), pour KT8156A......150
  • KT8156B......200
  • Courant de collecteur inverse, mA, pas plus que (à une tension collecteur-base de 330 V et un courant d'émetteur nul), pour KT8156A ...... 0.1
  • KT8156B......1
  • Courant inverse collecteur-émetteur, mA, max (à une tension collecteur-émetteur de 330 V et une tension émetteur-base nulle), pour KT8156A......0,1
  • KT8156B......1
  • Courant d'émetteur inverse, mA, pas plus que (à une tension de base d'émetteur de 6 V et un courant de collecteur nul)......3
  • Coefficient de transfert de courant statique, pas inférieur à (à une tension collecteur-émetteur de 1,5 V et un courant de collecteur de 5 A) ...... 100
  • Tension de saturation collecteur-émetteur, V, pas plus de (avec un courant de collecteur de 5 A et un courant de base de 50 mA) ...... 1.5
  • Tension de saturation base-émetteur, V, pas plus de (avec un courant de collecteur de 5 A et un courant de base de 50 mA)...... 2,4
  • Résistance thermique boîtier de transition, °С/W, max......2,08
  • Diode d'amortissement de tension directe. B, pas plus ...... 2
  • Plage de température de fonctionnement, °С......-60...+100

Valeurs limites

  • La tension collecteur-base la plus élevée, V ...... 330
  • La tension collecteur-émetteur la plus élevée, pour KT8156A ...... 150
  • KT8156B......200
  • La tension émetteur-base la plus élevée, V ...... 6
  • Le courant de collecteur CC le plus élevé. A......8
  • Le courant d'impulsion de collecteur le plus élevé. A (avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 10 ms et un rapport cyclique d'au moins 100) ...... 15
  • La plus grande dissipation de puissance constante du collecteur. W (lorsqu'il est installé sur un dissipateur thermique et une température de boîtier entre -60 ... + 25 ° С) ..... 60
  • La plus grande dissipation de puissance constante du collecteur. W (sans dissipateur thermique à température ambiante entre -60 ... + 25 ° С) ...... 1,5
  • La température de transition la plus élevée, ° С ...... 150

Il est interdit de faire fonctionner des transistors aux valeurs limites de deux paramètres.

Une flexion unique des fils de l'appareil est autorisée à moins de 5 mm du corps (il n'est pas recommandé de les plier dans le plan des fils). Dans ce cas, il est nécessaire de prendre des mesures qui excluent le transfert de force au corps. Rayon de courbure - pas moins de 1,5 mm. La distance entre le corps et le lieu d'étamage et de soudure des fils ne doit pas être inférieure à 5 mm.

Afin d'améliorer le transfert de chaleur du transistor au dissipateur thermique, il est recommandé de recouvrir sa bride métallique d'une couche de lubrifiant conducteur de chaleur avant de monter l'appareil (par exemple, KTP-8 selon GOST 19783). Sur la fig. 3 montre la dépendance du coefficient de transfert de courant statique de la base du transistor sur son courant de collecteur, à la fig. 4 - dépendance de la dissipation de puissance constante du collecteur à la température du boîtier, et sur la fig. 5 - dépendance typique de la tension directe constante sur la diode d'amortissement (VD2 sur la Fig. 2) sur le courant direct qui la traverse.

Transistors série KT8156
(cliquez pour agrandir)

Une dépendance typique de la tension de saturation collecteur-émetteur sur le courant continu de base est illustrée à la fig. 6, et du courant du collecteur - sur la fig. 7. Une dépendance typique de la tension de saturation base-émetteur sur le courant continu du collecteur est illustrée à la fig. 8.

Auteur : V.Kiselev, Minsk, Biélorussie

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