Transistors complémentaires KT529A et KT530A. Donnée de référence

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Transistors complémentaires KT529A et KT530A. Donnée de référence

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Une paire complémentaire de transistors KT529A (pn-p) et KT530A (npn) à faible tension de saturation est fabriquée en technologie épitaxiale-planaire. Les appareils sont logés dans un boîtier en plastique KT-26 avec des câbles étamés rigides estampés (Fig. 1).

Transistors complémentaires KT529A et KT530A

Poids de l'appareil - pas plus de 0,3 g.

Les transistors sont conçus pour fonctionner dans des unités de commutation et d'impulsions d'équipements à large application.

Caractéristiques principales à Tacr.av = 25±10°C

Courant de collecteur inverse, µA, pas plus, à une tension collecteur-base de 80 V......1
Courant d'émetteur inverse, μA, pas plus, à une tension base-émetteur de 4V......1
Tension de saturation collecteur-émetteur, V, pas plus, à un courant de collecteur de 300 mA et un courant de base de 10 mA......0,2
valeur typique ...... 0,13
Coefficient de transfert de courant de base statique, pas moins, à une tension collecteur-émetteur de 5 V et un courant collecteur de 300 mA......180
valeur typique ...... 250
Tension limite, V, pas moins, à courant d'émetteur 10 mA......40
valeur typique ...... 45
Module de coefficient de transfert de courant de base à haute fréquence, pas moins, à une tension collecteur-émetteur de 5 V, courant d'émetteur de 300 mA et fréquence de 100 MHz...... 1,5

Valeurs limites

Le collecteur-émetteur de tension continue le plus élevé, V ...... 60
La base d'émetteur à tension constante la plus élevée, V ...... 4
Courant continu de collecteur le plus élevé, A, à condition que la puissance dissipée admissible ne soit pas dépassée......1
Dissipation de puissance constante maximale, W, à température ambiante -60...+25°C......0,5
+85 °С......0,25
Plage de fonctionnement de la température ambiante, °C......-60...+85

En figue. La figure 2 montre une dépendance typique du coefficient de transfert statique du courant de base h21e des transistors KT529A et KT530A sur le courant de collecteur Ik, sur la figure. 3 - de la tension collecteur-émetteur Uke, et sur la Fig. 4 - tension de saturation collecteur-émetteur Uke nous à partir du courant de base IB à différentes valeurs du courant collecteur Ik.

Transistors complémentaires KT529A et KT530A

Un fragment du circuit montré sur la Fig. La figure 5 illustre une des applications possibles des dispositifs décrits, notamment le transistor KT530A.

Dans les télécommandes des téléviseurs modernes, des transistors à effet de champ KP505G avec une grille isolée (analogue fonctionnel étranger - IRML24) sont utilisés comme amplificateur de courant de sortie. Le mode de fonctionnement du transistor est la commutation, la charge est une diode émettrice infrarouge. Cet amplificateur doit fournir la résistance de canal la plus faible possible avec une consommation d'énergie d'entrée minimale. Ces exigences strictes prédéterminent le coût très élevé du transistor.

L'utilisation du transistor KT6A dans l'amplificateur de courant de sortie de la télécommande RC5-505 de la télévision biélorusse "Horizon" au lieu du KP530G (voir Fig. 5) a permis, en plus de réduire le coût de la télécommande, de considérablement élargit son champ d'action, tant en distance au téléviseur qu'en angle de visibilité. La résistance de la résistance de limitation R1 est déterminée par la valeur minimale du coefficient de transfert statique du courant de base du transistor VT1 (>200), le courant de fonctionnement de la diode électroluminescente BI1 (600 mA) et l'amplitude minimale du signal de la sortie MDATA (broche 7) du microcircuit DD1 (analogue étranger - INA3010D).

À mesure que la température ambiante augmente de +25 à +85°C, la valeur maximale admissible de puissance dissipée diminue selon une loi linéaire.

Auteur : A. Shtyrev

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