Transistors à effet de champ de la série KP737. Donnée de référence

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Transistors à effet de champ de la série KP737. Donnée de référence

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De puissants transistors à effet de champ en silicium KP737A-KP737V avec une grille isolée, un canal N enrichi et une diode de protection à polarisation inverse intégrée sont fabriqués à l'aide de la technologie épitaxiale-planaire. Les appareils sont conçus pour fonctionner dans des alimentations secondaires sans transformateur, des stabilisateurs et des convertisseurs de tension à commande continue et par impulsions, dans des dispositifs de commande de moteurs électriques et d'autres composants d'équipements électroniques de large application.

Les transistors sont logés dans un boîtier en plastique KT-28 (TO-220) avec des bornes étamées rigides estampées. Le poids de l'appareil ne dépasse pas 2,5 g. La conception du boîtier, les connexions internes et le brochage sont similaires à ceux des transistors de la série KP727 (voir "Radio", 2002, n° 1, pp. 46 - 48).

Analogues fonctionnels étrangers : KP737A - IRF630, KP737B - IRF634, KP737V - IRF635.

Caractéristiques principales à Tacr moy =25°C

Seuil de tension grille-source, V, avec drain et grille connectés et courant de drain 0,25 mA......2...4
Courant de drain, A, pas moins, avec une durée d'impulsion inférieure à 300 μs, un rapport cyclique supérieur à 50 et une tension grille-source de 10 V pour KP737A (à une tension drain-source de 4 V).... ...9
KP737B(4V)......8,1
KP737V (4,8V)......6,5
Résistance à canal ouvert, Ohm, pas plus, avec une durée d'impulsion inférieure à 300 μs, un rapport cyclique supérieur à 50 et une tension grille-source de 10 V pour KP737A (avec un courant de drain de 5,4 A).... ...0,4
KP737B(5,1A)......0,45
KP737V(4,1A)......0,68
Courant de drain résiduel, μA, pas plus, à une tension drain-source maximale et à une tension grille-source nulle ...... 250
Courant de fuite de grille, nA, pas plus, à une tension grille-source ±20 V et une tension drain-source nulle......±100
Pente de la caractéristique courant-tension, A/V, au minimum, avec une durée d'impulsion inférieure à 300 μs, un rapport cyclique supérieur à 50 et une tension drain-source de 25 V pour le KP737A (avec un courant de drain de 5,4 A)....... 3,8
KP737B(5,1A)......3,6
KP737V(4,1A)......2,9
Tension directe constante sur la diode de protection (avec tension drain-source inverse), V, pas plus, avec une durée d'impulsion inférieure à 300 μs, un rapport cyclique supérieur à 50, une tension grille-source nulle et la valeur absolue maximale de le courant à travers la goupille de vidange...... 2
Résistance thermique boîtier de transition, °С/W, max......1,7
Transition de résistance thermique-environnement, °С/W, pas plus......62
Temps de récupération inverse de la diode de protection, non (valeur typique), avec une durée d'impulsion inférieure à 300 μs, un rapport cyclique supérieur à 50, un courant direct de 5,9 A et un taux de diminution de courant de 100 A/μs pour le KP737A ...... 340
KP737B ...... 380
KP737V......390
Temps d'activation*, non (valeur typique), avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs, rapport cyclique d'au moins 50, tension drain-source 100 V, courant de drain 5,9 A, résistance drain-source 16 Ohms et sortie résistance de la source de signal 12 Ohms pour KP737A......41
KP737B, KP737V......48
Temps de coupure*, non (valeur typique), avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 ms, rapport cyclique d'au moins 50, tension drain-source 100 V, courant de drain 5,9 A, résistance drain-source 16 Ohms et sortie résistance de la source de signal 12 Ohms pour KP737A......59
KP737B, KP737V......62
Capacité d'entrée*, pF, pas plus, à tension grille-source nulle, tension drain-source 25 V et fréquence 1 MHz......1300
Capacité de sortie*, pF, pas plus, à tension grille-source nulle, tension drain-source 25 V et fréquence 1 MHz......360
Capacité*, pF, pas plus, à tension grille-source nulle, tension drain-source 25 V et fréquence 1 MHz ...... 120

*Paramètres de référence

Valeurs limites

La tension drain-source la plus élevée, pour KP737A......200
KP737B, KP737V......250
Tension grille-source maximale, V ...... 20
Courant de drain constant le plus élevé, A, à une température de boîtier de 25 °C pour le KP737A......9
KP737B ...... 8,1
KP737V......6,5
Courant de drain pulsé le plus élevé, A, à une température de boîtier de 25 °C pour le KP737A......36
KP737B ...... 32
KP737V......26
Dissipation de puissance constante maximale, W, à une température du boîtier de 25 °C......74
La température de transition la plus élevée, ° С ...... 150
Plage de température ambiante de fonctionnement, °С -55...+125
La valeur la plus élevée admissible du potentiel statique est de 200 V (degré de rigidité III selon OST 11073.062).

Les conditions d'installation des transistors dans l'équipement doivent être conformes à l'OST 11336.907.0. L'utilisation de transistors n'est pas autorisée aux valeurs limites de deux ou plusieurs paramètres combinés. Pour augmenter la fiabilité, il est recommandé de faire fonctionner les appareils à des valeurs de paramètres ne dépassant pas 70 % des valeurs limites.

Lors de l'installation, une flexion unique des fils n'est autorisée qu'à moins de 5 mm du bord du boîtier, le rayon de courbure n'est pas inférieur à 1,5 mm. La ligne de pliage doit se situer dans le plan des fils. Vous ne pouvez pas tordre les fils. Lors de la flexion, il est nécessaire de prendre des mesures pour empêcher le transfert de force au corps. -

La distance entre le boîtier et le lieu d'étamage et de soudure des fils ne doit pas être inférieure à 5 mm. Température de soudage - pas plus de 265°C, temps d'étamage - pas plus de 2 s, temps de soudage - pas plus de 4 s.

Afin de réduire la résistance thermique du dissipateur thermique du corps, il est recommandé de recouvrir le lieu de leur contact avec des lubrifiants ou des pâtes thermoconductrices, par exemple KPT-8 selon GOST 19783. S'il doit y avoir un joint isolant sous le transistor, il faut tenir compte de sa résistance thermique.

Les dépendances graphiques typiques des paramètres des transistors KP737A - KP737B sont présentées sur la Fig. 1-7.

En figue. La figure 1a montre les dépendances du courant de drain sur la tension drain-source à différentes valeurs de tension entre la grille et la source et à la température normale du boîtier, et sur la figure. 1,b - les mêmes dépendances à une température du boîtier de 1505 °C.

Transistors à effet de champ de la série KP737

Une caractéristique de transfert typique des appareils à deux valeurs de température du boîtier est illustrée à la Fig. 2.

La dépendance normalisée en température de la résistance du canal ouvert est illustrée à la Fig. 3, et les dépendances typiques de la capacité d'entrée, de sortie et de passage sur la tension drain-source sont représentées sur la Fig. 4. À mesure que le corps du transistor se réchauffe, le courant de drain maximum doit être réduit conformément au graphique de la Fig. 5.

Transistors à effet de champ de la série KP737

Une dépendance typique de la charge de capacité de grille sur la tension grille-source est illustrée sur la Fig. 6.

Transistors à effet de champ de la série KP737

Les capacités de la diode de protection intégrée sont illustrées sur la Fig. 7, dans lequel Iс est le courant traversant la borne de drain du transistor si la diode est ouverte, et Upr est la chute de tension directe aux bornes de la diode.

Transistors à effet de champ de la série KP737

Auteur : V.Kiselev

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