Diodes de limitation de redressement puissantes de la série KD2972. Donnée de référence

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Diodes de limitation de redressement puissantes de la série KD2972. Donnée de référence

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Les diodes de limitation de redresseur au silicium KD2972A2, KD2972B2 et KD2972V2, fabriquées à l'aide de la technologie épitaxiale-planaire, sont conçues pour protéger les composants électroniques des voitures et des tracteurs, ainsi que les équipements largement utilisés contre les surtensions pulsées et les interférences conduites. De plus, les diodes peuvent être utilisées comme de puissants redresseurs basse tension.

Les diodes sont logées dans un boîtier en plastique KT28-1 (TO-220AS) avec des fils étamés rigides estampés (Fig. 1). Poids de la diode - pas plus de 2,5 g.

Diodes de limitation de redresseur puissantes de la série KD2972

Les diodes de protection sont connectées au circuit d'alimentation du nœud protégé en parallèle, comme une diode Zener, c'est-à-dire dans le sens opposé (VD1 sur la Fig. 2 ; la diode VD2 sert à protéger le module de la tension d'alimentation de secours en polarité inversée). Pour redresser le courant alternatif, ils sont utilisés dans une connexion de diode conventionnelle (le brochage sur la figure 1 est illustré pour ce cas).

Principales caractéristiques techniques

Courant inverse constant, mA, pas plus, pour KD2972A2 (à tension inverse 20 V)....0,2
KD2972B2 (36 V) ..... 0,4
KD2972V2(14V).....0,2
Tension d'impulsion directe, V, pas plus, avec un courant d'impulsion directe de 35 A, une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs et un rapport cyclique d'au moins 50 pour KD2972A2.....1,15
KD2972B2.....1,2
KD2972V2.....1,1
Tension d'ouverture de diode en commutation inverse, V, avec un courant inverse de 10 mA et une durée d'impulsion inférieure à 500 μs pour KD2972A2.....22...32
KD2972B2.....40...50
KD2972V2.....18...23
Tension de limitation d'impulsion (en commutation inverse), V, pas plus, avec un courant traversant la diode de 45 A et une durée d'impulsion ne dépassant pas 80 μs pour KD2972A2.....43
KD2972B2.....73
KD2972V2.....33
Résistance thermique boîtier de transition, °С/W, max.....1,3

Valeurs limites

La tension inverse d'impulsion répétitive la plus élevée, V, pour KD2972A2.....20
KD2972B2.....36
KD2972V2.....15
Le courant direct moyen le plus élevé, A, à une température de boîtier de 100 ° C et une fréquence de 50 Hz ..... 35
Courant direct pulsé non répétitif le plus élevé, A, à une température du boîtier de 125 °C et une durée d'impulsion inférieure à 1 ms.....180
Courant maximal en mode limitation, A, à une température du boîtier de 125 °C et une durée d'impulsion inférieure à 80 μs.....45
La température de transition la plus élevée, ° С ..... 150
Plage de fonctionnement de la température ambiante, °С.....-60...+125

La valeur admissible du potentiel statique est de 200 V (degré de dureté III selon OST 11 073.062). Selon les conditions d'installation, les diodes ne diffèrent pas des transistors dans un boîtier similaire.

En figue. La figure 3 montre une vue typique de la branche directe de la caractéristique courant-tension d'une diode à deux températures de transition, et sur la figure. 4 - dépendance de la tension de limitation d'impulsion des diodes en mode protection sur la température de jonction.

Diodes de limitation de redresseur puissantes de la série KD2972

Auteur : V.Kisilev, Minsk, Biélorussie

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