Assemblages de transistors de la série KT222. Donnée de référence

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Assemblages de transistors de la série KT222. Donnée de référence

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Les paires appariées de transistors n-p-n en silicium KT222AS-KT222BC sont destinées à être utilisées dans des équipements électroniques pour de nombreuses applications, en particulier pour la construction d'amplificateurs différentiels. L'ensemble est réalisé dans un boîtier plastique rectangulaire 2101.8-1 (DIP-8), les bornes sont étamées dur (voir figure). Poids - pas plus de 1 g. L'analogue étranger le plus proche est le DI4044 de DIONICS Inc.

Assemblages de transistors de la série KT222

Brochage de l'assemblage : broches 1, 2 et 3 - respectivement collecteur, base et émetteur du premier transistor ; broches 5, 6 et 7 - émetteur, base, collecteur du deuxième transistor ; les broches 4 et 8 sont libres.

Technologiquement, l'ensemble est fabriqué sur une seule puce avec isolation diélectrique des éléments, ce qui assure des valeurs proches des principaux paramètres (coefficient de transfert de courant statique, chute de tension base-émetteur) avec un courant collecteur de 10 μA à 1 mA et sur toute la plage de température de fonctionnement. Dans le même temps, les transistors de l'assemblage ont une faible capacité mutuelle.

Spécifications électriques principales*

Différence des valeurs de tension base-émetteur des transistors, V, pas plus, avec un courant collecteur de 10 μA et une tension collecteur-émetteur de 5 V.....3
Le rapport des valeurs du coefficient de transfert de courant statique de la base des transistors à un courant de collecteur de 10 μA et une tension collecteur-émetteur de 5 V pour KT222AS.....0,8...1,25
KT222BS.....0,9...1,11
KT222VS.....0,95...1,05
Courant inverse de la jonction du collecteur, nA, pas plus, pour une tension de jonction de 45 V et une température ambiante de 25 °C.....1
70 °С......50
Courant inverse de la jonction de l'émetteur, nA, pas plus, à une tension à la jonction de 5 V.....1
Coefficient de transfert de courant de base statique, pas moins, à une tension collecteur-émetteur de 5 V et un courant collecteur de 10 μA.....200
1mA.....225
Capacité entre les collecteurs des transistors, pF, pas plus, avec une différence de valeurs de tension aux bornes du collecteur des transistors 5V.....0,8
Fréquence de coupure, MHz, rien de moins, à un courant de collecteur de 1 mA et une tension collecteur-émetteur de 10 V.....200

*À une température ambiante de 25 °C, sauf indication contraire.

Limites de fonctionnement

La tension inverse la plus élevée de la jonction du collecteur à un courant de collecteur de 10 μA.....60
La tension inverse collecteur-émetteur la plus élevée, V, à un courant de collecteur de 1 mA ..... 60
La tension inverse la plus élevée de la jonction d'émetteur, V, à un courant d'émetteur de 10 μA ..... 7
Le courant de collecteur CC le plus élevé, mA ..... 1,5
La plus grande différence de valeurs de tension sur le collecteur des transistors, V ..... 100
Plage de fonctionnement de la température ambiante, °С.....-10...+70

Auteur : S. Konovalov, Briansk

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