Amplificateurs de puissance large bande sur transistors à effet de champ. Schéma, description

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Amplificateurs de puissance large bande sur transistors à effet de champ. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / Amplificateurs de puissance RF

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Amplificateur de puissance avec neutralisation de la capacité de passage du transistor

Un amplificateur asymétrique de ce type ne peut fonctionner qu'en classe A. Ses performances énergétiques sont similaires à celles des amplificateurs transformateurs asymétriques basse fréquence. La valeur d'efficacité typique ne dépasse généralement pas 35...40% (en même temps, les distorsions non linéaires, causées principalement par la deuxième harmonique, sont assez perceptibles). L'amplificateur à base du transistor VMP1 à Uc = 24 V fournit Pout = 4 W à Ku = 15 dB et la bande de fréquence amplifiée de 2 à 150 MHz.

Fig.1 (cliquez pour agrandir)

T1 est enroulé avec une torsion de deux fils d'un diamètre de 0.3 mm et contient 4 tours. Type de noyau F625-BQ2. Vous pouvez utiliser un anneau RF domestique à faible perméabilité magnétique.

Amplificateur de puissance avec circuit de rétroaction négative parallèle

Cette version de l'amplificateur sans transformateur d'entrée et sans neutralisation de la capacité SZS a la moitié de la bande passante.

Amplificateurs de puissance à large bande basés sur des transistors à effet de champ
Ris.2

Diverses variantes de tels amplificateurs (selon la conception des transformateurs et des transistors utilisés) fournissent un gain Ku = 12...30 dB dans la bande de fréquence jusqu'à 300 MHz avec un facteur de bruit de 3...5 dB.

Amplificateur de puissance haut débit push-pull

Une amélioration significative des paramètres énergétiques du PA à large bande n'est possible que lors de l'utilisation de cascades push-pull fonctionnant en mode de classe AB. Cette version du circuit est illustrée à la Fig.3. A K=15 dB dans la bande 2...100 MHz, il fournit Рout=8 W. L'impédance d'entrée et de sortie de l'amplificateur est de 50 ohms.

Amplificateurs de puissance à large bande basés sur des transistors à effet de champ
Ris.3

Les condensateurs Cn sont utilisés pour la neutralisation. Les développeurs de cet amplificateur recommandent de réduire l'inductance parasite de la résistance R2 en connectant quatre ou cinq résistances plus grosses en parallèle. Au contraire, afin de réduire la capacité parasite des résistances R1 et R4, il convient de les réaliser sous la forme de plusieurs résistances en série de calibre inférieur.

Les transformateurs sont fabriqués de manière similaire au circuit de la Fig. 1 (torsion de 3 fils - 4 tours). Le type de transistors à effet de champ n'est pas donné dans l'article (je pense que vous pouvez utiliser des transistors de type KP901).

Littératureа

1. EDN Magazine, 20 juin 1974, p.71-75.
2. Circuiterie de dispositifs basés sur de puissants transistors à effet de champ. Annuaire. Éd. V.P. Diakonova.

Publication : N. Bolchakov, rf.atnn.ru

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