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MOTS AILES, UNITES PHRASEOLOGIQUES
Annuaire / Mots ailés, unités phraséologiques / Un champ de baies

Mots ailés, unités phraséologiques. Signification, histoire d'origine, exemples d'utilisation

Mots ailés, unités phraséologiques

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Baies des champs

Proverbes et dictons
Proverbes et dictons

Phraséologisme : Un champ de baies.

Signification: A propos de quelqu'un qui ressemble à quelqu'un dans le comportement, les opinions, appartient à la même entreprise (généralement désapprouvé).

Origine: Il est entendu que, tout comme les baies cultivées sur le même sol sont similaires, les gens qui ont des intérêts communs le sont aussi.

Phraseologie aléatoire :

Goliath.

Signification:

À propos d'un homme de très grande taille et d'une grande force physique.

Origine:

Goliath est un Philistin, un héros géant, que David a tué avec une pierre lancée d'une fronde (Bible, 1er Livre des Rois).

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Nouvelles aléatoires de l'Archive

Semi-conducteurs puissants en carbure de silicium de Renesas Electronics 01.02.2012

Renesas Electronics a annoncé la livraison de trois dispositifs semi-conducteurs haute puissance utilisant du carbure de silicium (SiC). Les nouveaux articles ont reçu les désignations RJQ6020DPM, RJQ6021DPM et RJQ6022DPM. Ce sont des ensembles de diodes et de transistors dans un boîtier commun, conçus pour des convertisseurs ou des commutateurs puissants.

Les produits appartiennent à la deuxième série de dispositifs semi-conducteurs haute puissance en carbure de silicium de Renesas, dont l'utilisation permet de réduire les pertes. Parmi les domaines d'application des nouveaux produits, le fabricant nomme les serveurs, les stations de base cellulaires, les appareils électroménagers tels que les climatiseurs, ainsi que les systèmes d'alimentation basés sur des panneaux solaires.

Le boîtier RJQ6020DPM contient une diode Schottky SiC-SBD haute tension nominale jusqu'à 600 V avec un temps de récupération de résistance inverse de seulement 15 ns, et deux transistors MOSFET haute tension haute puissance avec une résistance à l'état passant de 100 mΩ.

Le boîtier RJQ6021DPM contient une diode SiC-SBD et deux transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) avec une faible tension résiduelle à l'état passant de 1,5 V. Le boîtier RJQ6022DPM contient deux diodes SiC-SBD et deux IGBT.

Des échantillons de produits d'introduction apparaîtront en février au prix de 10 $ chacun. La société prévoit de démarrer la production en série en mai.

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