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Organisation du soutien médical de la population dans les situations d'urgence. Bases de la vie en toute sécurité

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Pour la mise en œuvre réussie des tâches auxquelles est confronté le système de gestion de la qualité, les forces existantes et supplémentaires du système de gestion de la qualité créées sur la base des établissements de santé existants sont utilisées.

Ceux-ci comprennent formations, institutions, organes directeurs et gestion de la formation du SMQ du ministère de la Santé de la Fédération de Russie:

  • équipes ambulancières - BSMP (linéaires et spécialisées); conçu pour fournir des CEM dans la zone sinistrée au stade pré-hospitalier ;
  • équipes médicales d'urgence - BEMP (médico-infirmier et pré-médical) ; leur objectif principal est de renforcer le service ambulancier au stade préhospitalier dans la zone sinistrée ;
  • les détachements médicaux (MO), composés de brigades EMP ; servir à fournir les premiers soins d'urgence au stade préhospitalier;
  • les brigades médicales spécialisées de disponibilité constante (SMBPG) et les brigades de soins médicaux spécialisés d'urgence (BESMP) font partie des centres de médecine de catastrophe et sont conçues pour renforcer les établissements de santé qui fournissent des soins médicaux qualifiés et spécialisés ;
  • hôpitaux médicaux mobiles autonomes (AVMG); conçu pour fournir les premiers soins médicaux et médicaux qualifiés dans les centres de catastrophes ou en dehors de leur médiocre proximité.

Auteurs : Aizman R.I., Krivoshchekov S.G.

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FET SuperMESH3 24.02.2009

STMicroelectronics a élargi sa gamme de transistors à effet de champ de puissance avec une nouvelle famille de dispositifs hautement fiables et efficaces fabriqués à l'aide de la technologie SuperMESH3. Ces transistors sont destinés à être utilisés dans des correcteurs de puissance et des cascades en demi-pont de ballasts électroniques de lampes fluorescentes et dans des alimentations à découpage.

Les premiers transistors de la famille sont conçus pour fonctionner à des tensions inverses de 620 V - STx6N62K3 et STx3NK62K3, ainsi que 525 V STx7N52K3 et STx6N52K3. La nouvelle technologie fournit une faible résistance à l'état passant du canal, un temps de récupération réduit, une charge de grille et une capacité d'entrée, ce qui améliore finalement les propriétés de commutation et la fréquence de fonctionnement.

Un avantage supplémentaire de cette technologie, qui combine la technologie stripline avec une structure de transistor vertical optimisée, est certaines des meilleures propriétés dv/dt de sa catégorie. L'obtention d'une faible résistance de canal permet également l'utilisation de petits boîtiers pour les FET haute tension, ce qui garantit une densité de carte maximale.

Ainsi, par exemple, le transistor STx3N62K3 avec une résistance de 2,5 ohms est disponible dans les boîtiers IPAK, DPAK, D2PAK, T0-220, TO-220FP.

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