Assemblage de diodes KD638AS. Schéma, description

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Assemblage de diodes KD638AS. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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L'assemblage des diodes au silicium haute puissance KD638AS est réalisé à l'aide de la technologie épitaxiale-planaire. L'ensemble est composé de deux diodes ayant une sortie de cathode commune. L'appareil est destiné à être utilisé dans des alimentations à découpage et d'autres unités d'équipement d'application étendue.

Assemblage de diodes KD638AS

Assemblage de diodes KD638AS, graphique de la dépendance du courant inverse CC sur la tension inverse CC

L'ensemble de diodes est encadré dans un boîtier en plastique KT-28 avec des fils de plaque rigides (Fig.1), la masse de l'appareil ne dépasse pas 2.5 g L'analogue étranger est BYV16-200T.

Principales données techniques à T_moy.moy.= 25^°C (pour une diode)
Courant de diode inverse constant à tension inverse 200V, pas plus 5 uA
Tension directe constante de la diode à courant continu 8A, pas plus dans 1.25
Temps de récupération inverse de la diode à courant direct 1A, tension inverse 30V, taux de diminution du courant direct 50A/µs et courant inverse égal à 0.25 de sa valeur maximale, pas plus 35ns
Résistance thermique, logement de transition pour l'ensemble dans son ensemble, pas plus 1.3 ^°C/W

Valeurs limites

La tension inverse constante la plus élevée de la diode dans 200
Le plus grand courant direct moyen de la diode avec fonctionnement simultané de la deuxième diode dans le même mode A 8
Température de jonction la plus élevée 150 ^°C
Limites de la plage de fonctionnement de la température ambiante -60 ... + 100 ^°C
Valeur admissible du potentiel statique^* dans 500
^*IV degré de rigidité selon OST 11073.062

Il est interdit de faire fonctionner des diodes aux valeurs limites de deux paramètres ou plus. Lors du montage de l'ensemble sur la carte, pas plus de deux flexions des fils sont autorisées à une distance d'au moins 5 mm du bord du boîtier à un angle de 90 degrés. avec un rayon de courbure d'au moins 1.5 mm (il est interdit de plier les bornes dans le plan du corps). Dans ce cas, il est nécessaire de prendre des mesures qui excluent le transfert de force au corps.

Assemblage de diodes KD638AS, caractéristiques courant-tension à différentes températures de boîtier

Assemblage de diodes KD638AS, dépendance de la capacité de la diode à une tension inverse constante

Assemblage de diodes KD638AS, dépendance à la température de la tension de claquage

La distance entre le boîtier et le lieu d'étamage et de soudage des cordons ne doit pas être inférieure à 5 mm. Le nombre admissible de ressoudage des fils d'assemblage lors des opérations d'installation et de réglage est de trois.

Afin de réduire la résistance thermique du boîtier-dissipateur thermique, il est recommandé d'utiliser une pâte thermoconductrice, par exemple KPT-8 (GOST 19783). Ne soudez pas la plaque du dissipateur thermique de l'assemblage au dissipateur thermique. S'il est nécessaire d'isoler l'ensemble du dissipateur, il faut tenir compte de l'augmentation de la résistance thermique jonction-dissipateur provoquée par la pastille (ou pâte) isolante.

Les dépendances graphiques des paramètres de l'ensemble de diodes KD638AS sont illustrées à la Fig. 2-5. La figure 2 montre les dépendances du courant inverse CC sur la tension inverse CC, et la figure 3 montre les caractéristiques courant-tension à différentes températures de boîtier. La dépendance de la capacité de la diode à la tension inverse constante est illustrée à la Fig. 4, et la dépendance à la température de la tension de claquage est illustrée à la Fig. 5.

Publication : N. Bolchakov, rf.atnn.ru

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