Multivibrateurs sur transistors à effet de champ KR504NT. Schéma, description

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Multivibrateurs sur transistors à effet de champ KR504NT. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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Des multivibrateurs symétriques et asymétriques à des fins diverses peuvent être construits non seulement sur des transistors bipolaires, mais également sur des transistors de terrain. Un exemple de ceci peut être trouvé dans [1]. Étant donné que les transistors à effet de champ présentent un certain nombre d'avantages par rapport aux transistors bipolaires, dont le principal est le courant extrêmement faible dans le circuit de commande lorsqu'il fonctionne à basse fréquence ou en mode statique, on peut supposer qu'un multivibrateur classique à deux transistors, mais uniquement sur les transistors à effet de champ, seront en position gagnante devant des nœuds similaires assemblés sur leurs homologues bipolaires.

Vous pouvez voir le schéma du premier mulvibrateur sur la fig. 1. Son fonctionnement est à bien des égards similaire au fonctionnement d'un multivibrateur sur des transistors bipolaires pn-p - les LED clignoteront également. La différence est que pour fermer chacun des transistors VT1.1, VT1.2, il faut appliquer une tension grille-source positive, qui doit dépasser la tension de coupure de ces transistors (environ 4 V). Ceci se produit à chaque commutation des bras du multivibrateur, du fait de la présence des condensateurs de mise à l'heure C1, C2. C'est pourquoi il n'y a pas besoin d'une alimentation bipolaire.

Multivibrateurs sur transistors à effet de champ KR504NT. Schéma de principe du multivibrateur sur KR504NT
Fig. 1

La fréquence de commutation des transistors de ce générateur est d'une fois toutes les 6 s. Lors de l'installation de condensateurs électrolytiques de haute qualité (avec un faible courant de fuite), d'une capacité de 100 ... 4700 μF, il est possible d'obtenir une commutation de transistor avec une période de plusieurs dizaines de minutes, ce qui est inaccessible pour des appareils simples basés sur transistors bipolaires.

Les résistances des résistances R2 et R3 peuvent différer de plusieurs milliers de fois, par exemple, R2 peut être pris comme 30 MΩ et R3 comme 10 kΩ. Le multivibrateur deviendra alors asymétrique. Les capacités des condensateurs évoluent de la même manière. En ayant correctement sélectionné ces éléments, il est possible d'obtenir des impulsions très courtes à la sortie du drain de l'un des transistors, suivies d'un rapport cyclique important (100 ... 10000). Si dans un appareil fabriqué selon le schéma de la Fig. 1, au lieu des LED ordinaires, allumez celles qui clignotent comme une charge de transistors, par exemple, L-36BSRD, puis l'une d'entre elles, clignotant plusieurs fois, se reposera pendant que son voisin clignote. Si vous devez faire fonctionner le multivibrateur à des fréquences audio, la résistance des résistances R2 et R3 doit être réduite de 10 à 20 fois et les condensateurs doivent être pris avec une capacité de plusieurs centaines de picofarads.

Au lieu des résistances classiques R2, R3, vous pouvez installer des photorésistances (FSK, SF2-x, SFZ-x, FR117, etc.). Dans ce cas, la fréquence de commutation des transistors changera plusieurs milliers de fois en fonction du niveau d'éclairement. On notera seulement que si la valeur des résistances R2, R3 est inférieure à 3 kΩ, la génération peut échouer.

Un multivibrateur fabriqué selon le schéma illustré à la fig. 1, nécessite l'utilisation de transistors à effet de champ avec un courant de drain initial important (10 ... 30 mA). En l'absence de tels assemblages de la série KR504, il est possible d'assembler un multivibrateur similaire selon le schéma illustré à la Fig. 2. Ici, les transistors à effet de champ fonctionnent avec un courant de drain plus faible, et afin d'obtenir une luminosité suffisante des LED, des amplificateurs de courant sont installés sur les transistors bipolaires VT1, VT4. La fréquence de commutation de ce multivibrateur est d'environ 1 Hz. Si vous installez de puissants transistors composites de la série KT1 à la place des transistors VT4, VT829, des lampes à incandescence peuvent être utilisées comme charge. Dans ce cas, R2, R6 ne sont pas installés, car les transistors de type KT829 contiennent leurs propres résistances intégrées.

Si ce multivibrateur "refuse" de fonctionner, les résistances R3, R7 doivent être sélectionnées avec plus de précision. Dans un nœud assemblé selon le schéma illustré à la Fig. 1, il est possible d'utiliser des microensembles de paires appariées de transistors à effet de champ de la série KR504, (K504, 504) avec un courant de drain initial supérieur à 10 mA. KR504NT4V, KR504NTZV sont les plus appropriés, mais vous pouvez également essayer avec les index A, B. Lors du changement de polarité de la tension d'alimentation et de la connexion des LED, au lieu d'un assemblage de transistors, vous pouvez utiliser deux transistors à canal n à effet de champ séparés du Série KP302, KP307. S'ils ont une tension de coupure élevée, la tension d'alimentation peut être augmentée à 15 V.

Multivibrateurs sur transistors à effet de champ KR504NT. Schéma de principe du multivibrateur sur KR504NT
Fig. 2

Pour le nœud, dont le schéma est illustré à la Fig. 2, les microcircuits KR504NT1, KR504NT2 avec n'importe quel index alphabétique conviennent, et lors de la sélection des résistances R3, R7 - KR504NTZ, KR504NT4. De plus, de nombreux transistors à effet de champ des séries KP103, KP101 fonctionneront également sans réglage. Il est préférable d'utiliser des condensateurs non polaires, par exemple, K73-17 de petite taille pour 63 V. Les LED "régulières" peuvent être l'une des séries AL307, KIPD21, KIPD35, KIPD40, ainsi que 1-1513, L- 934, etc... Clignotant - L-816BRSC-B, L-769BGR, L-56DGD, Т1ВК5410 et autres.

Étant donné que les transistors à effet de champ des ensembles KR504NT (1 ... 4) autorisent une tension source-drain maximale ne dépassant pas 10 V, la tension d'alimentation des multivibrateurs ne doit pas dépasser 10 ... 12 V.

littérature

A. Butov. Multivibrateur sur transistors à effet de champ. -Radio, 2002, N4, p.53.
Les microcircuits et leur application. - M. : Radio et communication, 1984, p.73.

Publication : cxem.net

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