Puissant transistor à effet de champ KP784A. Donnée de référence

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Les transistors à canal P en silicium KP784A avec grille isolée et enrichissement de canal, avec diode de protection intégrée, sont fabriqués à l'aide de la technologie épitaxiale-planaire. Les appareils sont conçus pour fonctionner dans des alimentations secondaires avec entrée sans transformateur, dans des régulateurs, des stabilisateurs et des convertisseurs de tension avec contrôle continu et par impulsions, dans des unités d'alimentation informatiques, dans des dispositifs d'entraînement de moteur électrique et d'autres équipements d'application étendue.

Les transistors sont logés dans un boîtier en plastique KT-28-2 (TO-220AV) avec des bornes étamées rigides estampées (Fig. 1).

Poids de l'appareil - pas plus de 2,5 g.

Analogue étranger du transistor KP784A - IRF9Z34.

Principales caractéristiques techniques

• Tension de seuil, V, à un courant de drain de 0,25 mA et grille et source connectées..... 2...4
• Résistance de canal ouvert, Ohm, pas plus, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 μs et un rapport cyclique d'au moins 50, avec un courant de drain de 11 A et une tension grille-source de 10 V.....0,14
• Courant de drain résiduel, µA, pas plus, à une tension drain-source de 60 V et une tension grille-drain nulle.....100
• Courant de fuite de grille, µA, pas plus, à une tension grille-source ±20 V et une tension drain-source nulle.....±0,1
• Pente de la caractéristique courant-tension, A/V, au minimum, avec une durée d'impulsion ne dépassant pas 300 ms et un rapport cyclique d'au moins 50, avec une tension drain-source de 25 V et un courant de drain de 11 A .....5,9
• Tension directe constante de la diode de protection, V, pas plus, avec une durée d'impulsion inférieure à 300 ms et un rapport cyclique supérieur à 50, avec une tension grille-source nulle et un courant de drain 18A.....6,3
• Fréquence de fonctionnement maximale, MHz.....1
• Résistance thermique boîtier de transition, °С/W, max.....1,7
• Temps de retard à l'allumage, non, pas plus, à une tension drain-source de 30 V, un courant de drain de 18 A et une résistance de sortie de la source de signal de 12 Ohms.....40
• valeur typique.....20
• Capacité du transistor, pF, pas plus, à une tension drain-source de 25 V, une tension grille-source nulle et une fréquence de 1 MHz, entrée.....1540
• jour de repos........660
• point de contrôle.....140
• Le temps de montée du courant de drain, sans douleur, à une tension drain-source de 30 V, un courant de drain de 18 A et une résistance de sortie de la source de signal de 12 Ohms.....240
• valeur typique.....120
• Temps de décroissance du courant de drain, non, pas plus, à une tension drain-source de 30 V, un courant de drain de 18 A et une résistance de sortie de la source de signal de 12 Ohms.....116
• valeur typique.....58

* À la température du boîtier 25 °С.

Valeurs limites

• La tension drain-source la plus élevée, V ..... 60
• Tension grille-source maximale, V.....+20
• La consommation de courant continu * la plus élevée, A ..... 18
• Le courant pulsé le plus élevé * drain, A ..... 72
• La dissipation de puissance continue la plus élevée, W, à une température de boîtier de 25 ° C ** ..... 88
• La température de transition la plus élevée, ° С ..... 175
• Plage de fonctionnement de la température ambiante, °С.....-55...+150

* À condition que les valeurs maximales de puissance dissipée et de température de jonction ne soient pas dépassées.

** Dans la plage de température du boîtier Tcorp +25...+150 °C, la puissance maximale doit être réduite conformément à la formule

Рmax =(Tnepmax -Tcorp)/Rt.n-k où Tnepmax est la température de transition la plus élevée admissible ; Rt.n-k - résistance thermique du boîtier de jonction.

La valeur admissible du potentiel statique est de 200 V (degré de rigidité III selon OST 11073.062). Le mode de fonctionnement et les conditions d'installation des transistors dans l'équipement doivent être conformes à l'OST 11336.907.0 (voir article de V. Kiselev "Transistors à effet de champ de la série KP737" dans " Radio ", 2002, n° 5, pp. 47, 48). Pas plus de trois ressoudages des bornes du transistor sont autorisés lors des opérations d'installation et d'assemblage.

Les principales dépendances graphiques typiques des paramètres du transistor KP784A sont présentées sur la Fig. 2-5.

En figue. 2, a et b montrent les dépendances du courant de drain Ic sur la tension drain-source Usi à deux valeurs de la température du boîtier Tcorp - 25 ± 10 et 150 °C, et sur la Fig. 3 - de la tension grille-source Uzi.

La variation de la résistance de canal RK d'un transistor ouvert dans la plage de fonctionnement de la température de jonction est illustrée sur la Fig. 4 (RK - valeur actuelle de la résistance du canal ; Rк25 - résistance du canal à Tper = 25 °C).

La dépendance de la capacité d'entrée, de sortie et de passage sur la tension drain-source est représentée sur la Fig. 5.

Auteur : V. Kisilei, Minsk, Biélorussie

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