Antenne UHF. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique
Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / Antennes de télévision
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L'antenne, dont une représentation schématique est montrée sur la figure, est un "canal d'onde" d'éléments en anneau pour recevoir des signaux dans la gamme UHF. Il est composé de trois directeurs D1, D2, D3, d'un réflecteur R et d'un double vibreur actif V1-V2.
Une telle antenne a une bonne suppression du lobe arrière (jusqu'à 30 dB), une bande passante relative d'environ 10% et un gain plus élevé qu'un "canal d'onde" conventionnel de même longueur.
Lorsque le câble est connecté par le bas, comme indiqué sur la figure, l'antenne reçoit des signaux à polarisation horizontale. La circonférence des éléments d'antenne est déterminée à partir des rapports : R = 1,08l ; V2=1,02l ; V1=0,98l ; D1=0,95 l ; D2 = 0,94 l ; D3=0,93l, et les distances entre eux - selon les formules : lR=0,2l ; LV = 0,125 l ; l1=0,06l ; l2=0,12l; l3=0,23l, où l est la longueur d'onde moyenne de l'intervalle (ou canal) reçu dans la gamme UHF (elle varie de 633 mm pour le 21ème canal de télévision à 382 mm pour le 60ème canal).
La tige horizontale porteuse de l'antenne d'une longueur d'environ 0,75 l est en matériau isolant. Pour la fabrication d'éléments annulaires, on utilise du fil de cuivre ou d'aluminium d'un diamètre de 3 ... 4 mm. Les éléments passifs (directeurs et réflecteur) peuvent également être fabriqués à partir de bandes de 8 ... 10 mm de large. La distance entre les centres des conducteurs de la ligne de connexion des vibrateurs est égale à deux diamètres de fil. L'antenne est ajustée en changeant la position du directeur D1. Au point de connexion du câble, à des fins d'équilibrage, un anneau de ferrite avec une perméabilité magnétique relative de 400 ... 600 est placé dessus.
La taille de la bague n'est pas critique. Il est sécurisé avec du ruban isolant.
Auteur : N. Turkin, Saint-Pétersbourg ; Publication : N. Bolchakov, rf.atnn.ru
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La transition vers la nouvelle méthodologie réduira la consommation d'énergie des puces de 35 % ou augmentera leurs performances de 45 % par rapport aux processus Intel modernes. Avec la miniaturisation croissante des micropuces, les portes ont commencé à souffrir de fuites de courant, ce qui entraîne de fausses alarmes et une consommation d'énergie accrue.
Une façon de résoudre ce problème consiste à augmenter la surface de la porte. Ceci peut être réalisé en plaçant plusieurs grilles sur un transistor à la fois. On suppose que les transistors à trois grilles seront initialement utilisés dans les puces Intel fabriquées à l'aide de la technologie 45 nm. Par la suite, la technique permettra d'établir la production de microcircuits utilisant les technologies 32 nm et 22 nm.
Actuellement, d'autres méthodes sont en cours de développement, qui pourront à l'avenir être utilisées dans la fabrication de processeurs de nouvelle génération. Par exemple, IBM explore la possibilité de créer des transistors à base de nanotubes. On s'attend à ce que de tels transistors de plus petite taille soient plus efficaces que ceux au silicium.
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