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ENCYCLOPÉDIE DE LA RADIOÉLECTRONIQUE ET DU GÉNIE ÉLECTRIQUE
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Manuel des transistors à effet de champ. Donnée de référence

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Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique / Les références

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Teneur

Applications
Symboles
Données de référence FET
2P101 - KPS203
KP301 - KP312
KP313 - 3P330
3P331 - KP350
3P351 - KP364
KP501 - KP698
KP150 - KP640
KP701 - KP730
KP731 - KP771
KP801 - KP840
KP901 - 3P930
KP931 - KP948
KP951 - KP973
Paires et assemblages de transistors à effet de champ
Marquage de couleur et analogues
Dessins de cas :
Dessins 1 - 15
Dessins 16 - 30
Figures 31 à 45
Dessins 46 - 60

Du compilateur

Ce manuel est une tentative de combiner en une seule édition l'exhaustivité de la couverture des instruments, la compacité de la présentation des informations, ainsi que la commodité de son utilisation.

Le guide est destiné à un large éventail d'utilisateurs, des développeurs d'appareils électroniques aux radioamateurs. L'ouvrage de référence présente les principaux paramètres électriques des transistors à effet de champ. Pour la compacité et la facilité d'utilisation de ce guide, il utilise une forme tabulaire de présentation des informations. En plus des paramètres électriques, le livre de référence contient les dimensions globales et de connexion, ainsi qu'un domaine d'application typique des transistors à effet de champ. L'approche décrite nous a permis de créer un ouvrage de référence compact, pratique et peu coûteux qui apportera des avantages pratiques à son propriétaire.

Le livre de référence contient les paramètres des transistors à effet de champ, dispersés dans la littérature nationale. Étant donné que le principe principal de la compilation de l'ouvrage de référence était l'exhaustivité de la couverture de la nomenclature, pour certains appareils, seuls quelques paramètres sont donnés (qui ont été donnés dans l'article scientifique des développeurs de l'appareil). Au fur et à mesure que des informations supplémentaires devenaient disponibles, elles étaient incluses dans le manuel.
Pour certains appareils, des paramètres typiques sont donnés à la place des paramètres de limitation, lorsqu'il n'y a pas d'informations sur les paramètres de limitation, mais qu'il existe des informations sur les valeurs typiques.

Comment est né ce guide ? Au milieu des années 70, le compilateur du manuel a rencontré dans son travail l'absence d'un manuel qui lui conviendrait ainsi qu'à ses collègues. Les répertoires existants présentaient de nombreuses lacunes, dont les plus évidentes sont décrites ci-dessous.

1. Grande redondance :

a) De nombreux répertoires comportaient de nombreux graphiques qui étaient soit assez bien décrits par des courbes théoriques, soit reflétaient des dépendances insignifiantes ;
b) La plupart des développeurs ne sont pas intéressés par des paramètres tels que le temps de stockage et le degré de résistance des dispositifs semi-conducteurs aux moisissures et aux champignons ;
c) De 10% à 30% du volume des ouvrages de référence étaient occupés par des éléments bien connus - symboles sur les circuits électriques, classification des appareils et concepts similaires décrits à plusieurs reprises dans diverses publications.

2. Incomplétude - la longue période de passage par les maisons d'édition a conduit à l'obsolescence rapide de l'ouvrage de référence. La plupart des compilateurs étaient attirés par un certain cercle de fabricants de dispositifs à semi-conducteurs, et si les produits d'un fabricant étaient présentés de manière assez complète, les produits d'un autre fabricant n'incluaient pas de nouveaux développements. Pour le travail, j'ai dû utiliser plusieurs ouvrages de référence en même temps (d'autant plus que différents compilateurs incluaient un nombre différent de paramètres connus pour un dispositif donné) et un certain nombre d'articles de revues décrivant de nouveaux dispositifs à semi-conducteurs.

3. Inconvénient d'utilisation - la plupart des compilateurs ont introduit une décomposition du répertoire en parties selon des critères tels que la puissance de dissipation, la fréquence de fonctionnement, le type de transition. De plus, très souvent au sein de la section, le matériel était en outre regroupé selon des principes similaires. Tout cela a considérablement gêné la recherche du dispositif souhaité, et surtout la comparaison de plusieurs dispositifs semi-conducteurs en fonction d'un certain nombre de paramètres.

4. Inexactitude - dans le processus de publication, erreurs accumulées dans tout ouvrage de référence. Si les erreurs dans le texte ordinaire sont facilement détectées lors de la relecture, les erreurs dans les informations numériques sont difficiles à détecter, même par un spécialiste.

Toutes les raisons décrites ont incité la rédaction d'un manuel plus pratique pour le développeur d'équipements électroniques. Grâce à sa forme compacte, le guide s'est avéré être assez bon marché et satisfaire la plupart des besoins. Si le développeur a besoin de caractéristiques plus détaillées d'un produit (cela arrive assez rarement), il peut toujours se tourner vers une publication spécialisée ou une norme de l'industrie. Dans le travail quotidien, ce petit livre lui suffit.

Publication : cxem.net

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