Amplificateur de puissance pour émetteur-récepteur QRP. Schéma, description

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Amplificateur de puissance pour émetteur-récepteur QRP. Encyclopédie de l'électronique radio et de l'électrotechnique

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L'amplificateur est conçu pour fonctionner avec un émetteur-récepteur de faible puissance (jusqu'à 1 W). Son schéma de principe est représenté sur la fig. 1. Il se compose de deux étages d'amplification et fournit une puissance de sortie jusqu'à 50 W dans la bande de fréquences de 3,5 à 30 MHz.

Le premier étage est réalisé sur un transistor à effet de champ à grille isolée 2P909A, fonctionnant en sous-tension. La deuxième étape est basée sur l'assemblage de transistors KT9105AC, qui se compose de deux transistors en silicium de petites dimensions, d'une grande fiabilité et d'une faible tension d'alimentation.

Une caractéristique de cet amplificateur est l'utilisation simultanée de transistors bipolaires et à effet de champ. Cette combinaison donne une amélioration des caractéristiques de bruit et de la linéarité par rapport à l'utilisation de transistors bipolaires uniquement, et par rapport à l'utilisation de transistors à effet de champ uniquement - une amélioration des caractéristiques énergétiques de l'amplificateur.

(cliquez pour agrandir)

La deuxième étape est réalisée selon le schéma d'addition de puissance, ce qui permet de réduire les fluctuations indésirables du deuxième et du troisième ordre dans le spectre du signal et n'est pas particulièrement sensible à la désadaptation de charge.

Dans l'amplificateur, les cascades sont bien découplées de l'influence mutuelle. En combinaison avec la connexion en série des transistors à l'entrée et à la sortie du deuxième étage, à la même puissance oscillatoire, les résistances d'entrée et de charge résultantes augmentent quatre fois. Pour augmenter la résistance d'entrée et de charge de l'amplificateur, des transformateurs avec une entrée et une sortie équilibrées T2, T3 sont inclus à son entrée et à sa sortie. Pour passer à des circuits externes déséquilibrés, des transformateurs T1, T4 avec un rapport de tours de 1:1 sont utilisés. L'utilisation de transformateurs à large bande fournit l'adaptation nécessaire et vous permet de travailler dans la bande de fréquence de 3,5 à 30 MHz sans réglage mécanique. A la sortie de l'amplificateur, des blocs de filtres passe-bas sont inclus.

Le transformateur T1 est réalisé sur un noyau magnétique annulaire (K10x5x3) en ferrite M400NN - M600NN. Ses enroulements contiennent 12 tours. Le bobinage est réalisé avec deux fils torsadés bifilaires PEV-2 0,3, le transformateur T2 est réalisé sur un anneau de ferrite (M600NN) de taille K17x7x6. L'enroulement 9-10, enroulé en premier, contient un tour de fil MGTF 12x0,075, le reste - 4 tours de fils torsadés bifilaires MGTF 12x0,075. Le transformateur TZ est réalisé sur le même circuit magnétique que T2. Ses enroulements contiennent 3 spires de fils torsadés bifilaires MGTF 19x0,12. Le transformateur T4 est réalisé sur deux circuits magnétiques toroïdaux 50VCh2, taille K17x7x7. L'enroulement est réalisé avec quatre fils MGTF 19x0,12 bifilaires torsadés (deux par enroulement), le nombre de tours est de 9. Le pas des fils dans tous les transformateurs est de 5 mm.

L'inductance L1 - L5 est enroulée sur un noyau magnétique toroïdal (K 10x6x3) en ferrite M1000NN. L1 contient 4 spires de fil PEV-2 0,3, L2, L3 (les deux sur le même anneau) - 3 spires chacune, - un L4, L5 (également sur un anneau) - 2 spires de fil PEV-2 0,49. Avant bobinage, les couronnes des selfs et des transformateurs sont traitées à la lime et enduites de laque nitro ou de colle BF. Vous pouvez également utiliser des selfs prêtes à l'emploi: L1 - inductance 15 ... 20 μH, L2, L3 - 10 μH, L4, L5 - 5 μH.

Le conducteur reliant la grille du transistor VT1 aux autres parties passe à travers trois anneaux de ferrite (M1000NN) dont le diamètre intérieur est égal au diamètre du fil. Les mêmes anneaux sont installés aux deux extrémités du conducteur (trois à chaque) allant de la borne 9 du transformateur T2 au condensateur C2. Les noyaux magnétiques sont fixés avec de la colle BF.

L'amplificateur est monté sur une carte de dimensions 110x180 mm en fibre de verre feuille d'une épaisseur de 1,5 ... 2 mm. Les dimensions de la carte peuvent être réduites si des résistances et des condensateurs modernes de petite taille sont utilisés.

Tout d'abord, les transformateurs sont installés sur la carte, la fiabilité de la soudure et l'absence de courts-circuits avec un fil commun sur la carte sont vérifiées. Après cela, le transistor KT9125AC est placé sur la carte, puis tous les autres détails. Lors de l'assemblage final, la fiabilité des transistors de fixation, en particulier KT9125AC, au dissipateur thermique est vérifiée (il est installé sur le côté de la carte sans pièces, dimensions d'au moins 150x100 mm).

La configuration de l'amplificateur commence par la vérification des courants aux points de contrôle et la sélection des résistances appropriées. Les courants de chaque étage sont réglés en l'absence de signal d'entrée. Le condensateur C 16 est sélectionné en fonction de la puissance de sortie maximale. Lors de l'utilisation des détails indiqués dans le diagramme, la réponse en fréquence de l'amplificateur s'est avérée optimale pour un fonctionnement dans la plage de 3,5 ... 30 MHz.

Auteur : Gennady Osipov (RV3AK), Moscou ; Publication : N. Bolchakov, rf.atnn.ru

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